绝缘结构及绝缘方法
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104217913B

    公开(公告)日:2018-02-16

    申请号:CN201410158429.3

    申请日:2014-04-18

    发明人: 佐藤正辉

    IPC分类号: H01J37/317

    摘要: 本发明提供一种绝缘结构及绝缘方法,其有助于降低维护频度并提高装置运转率。本发明提供设置在用于从等离子体生成部引出离子束的多个电极间的绝缘结构(30)。绝缘结构(30)具备:第1部分(52),连接于第1电极(20);及第2部分(54),连接于第2电极(22),且具备:绝缘部件(32),用于将第1电极(20)支承于第2电极(22);第1罩体(70),为了保护第1部分(52)免受污染粒子(18)的影响而包围第1部分(52)的至少一部分;及第2罩体(72),为了保护第2部分(54)免受污染粒子(18)的影响而包围第2部分(54)的至少一部分。第1部分(52)及第2部分(54)中的至少一部分由可加工陶瓷或多孔陶瓷形成。

    绝缘结构及绝缘方法
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104217913A

    公开(公告)日:2014-12-17

    申请号:CN201410158429.3

    申请日:2014-04-18

    发明人: 佐藤正辉

    IPC分类号: H01J37/317

    摘要: 本发明提供一种绝缘结构及绝缘方法,其有助于降低维护频度并提高装置运转率。本发明提供设置在用于从等离子体生成部引出离子束的多个电极间的绝缘结构(30)。绝缘结构(30)具备:第1部分(52),连接于第1电极(20);及第2部分(54),连接于第2电极(22),且具备:绝缘部件(32),用于将第1电极(20)支承于第2电极(22);第1罩体(70),为了保护第1部分(52)免受污染粒子(18)的影响而包围第1部分(52)的至少一部分;及第2罩体(72),为了保护第2部分(54)免受污染粒子(18)的影响而包围第2部分(54)的至少一部分。第1部分(52)及第2部分(54)中的至少一部分由可加工陶瓷或多孔陶瓷形成。