公开(公告)号：CN1669121B

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN03816319.5

申请日：2003-07-07

申请人： 日本奥特克株式会社 ,  东京毅力科创株式会社

发明人： 奥村胜弥 ,  永关一也 ,  佐藤直行

IPC分类号： H01L21/027 ,  G03F1/16 ,  G03F7/20

CPC分类号： B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/20 ,  G03F1/50 ,  H01J37/3174 ,  H01J2237/31788 ,  H01J2237/31794

摘要： 本发明为具备具有各自形成预定图形开口的多个单元的掩模部的曝光用转写掩模。所述多个单元各自根据在该单元上形成的开口图形，在使带电粒子从该单元一侧照射时，将该带电粒子束透过至该单元另一侧。由此，在该单元另一侧上配置被处理基板时，在该被处理基板上转写所述单元的开口图形，进而在该被处理基板上形成曝光图形。此外，在所述掩模部上，所述多个单元的一部分或全部可以更换。

公开(公告)号：CN1174402A

公开(公告)日：1998-02-25

申请号：CN97116763.X

申请日：1997-08-15

申请人： 日本电气株式会社

发明人： 山田泰久 ,  野末宽

IPC分类号： H01L21/30 ,  G03F7/20

CPC分类号： B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/20 ,  H01J37/3174 ,  H01J2237/31788 ,  H01J2237/31794

摘要： 一种电子束曝光掩模,此掩模包括一基片,该基片具有一第一区域和第二区域,在第一区域内形成第一组多个单元孔径,在第二区域内形成第二组多个单元孔径。被辐射到第一区域的带电束的偏转角小于基准角。被辐射到第二区域的带电束的偏转角大于或等于基准角。每个第一组多个单元孔径都对应于需要高图形转换精度的精细图形。每个第二组多个单元孔径对应于不需高图形转换精度的精略图形。

公开(公告)号：CN1295754C

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：CN02815975.6

申请日：2002-08-27

申请人： 库克有限公司

发明人： 大卫·诺曼·杰米尔森 ,  史蒂夫·卜劳 ,  安德鲁·史蒂夫·德祖瑞克 ,  罗伯特·格雷姆·克拉克 ,  杨长义

IPC分类号： H01L21/265 ,  H01L31/115 ,  B82B3/00 ,  G06N1/00 ,  G01T1/00

CPC分类号： H01J37/08 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G06N10/00 ,  H01J37/20 ,  H01J37/244 ,  H01J37/3171 ,  H01J37/3174 ,  H01J2237/08 ,  H01J2237/20228 ,  H01J2237/20292 ,  H01J2237/31703 ,  H01J2237/31711 ,  H01J2237/31713 ,  H01J2237/31755 ,  H01J2237/31788 ,  H01L21/265 ,  H01L21/26513

摘要： 一种用于单离子掺杂和处理的方法和系统检测衬底中的单离子的注入、穿透以及终止。这种检测对于将可数数量的31P离子成功地注入到用于构成凯恩量子计算机的半导体衬底内很必要。该方法和系统特别涉及衬底(20)的表面上两个电极(22，23)上的电位(24)的应用，以产生电场将衬底(20)内形成的电子空穴对分开并清除。然后使用检测器(30)检测电极中的瞬时电流，由此决定衬底(20)中单离子的到达。

公开(公告)号：CN1669121A

公开(公告)日：2005-09-14

申请号：CN03816319.5

申请日：2003-07-07

申请人： 日本奥特克株式会社 ,  东京毅力科创株式会社

发明人： 奥村胜弥 ,  永关一也 ,  佐藤直行

IPC分类号： H01L21/027 ,  G03F1/16 ,  G03F7/20

CPC分类号： B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/20 ,  G03F1/50 ,  H01J37/3174 ,  H01J2237/31788 ,  H01J2237/31794

摘要： 本发明为具备具有各自形成预定图形开口的多个单元的掩模部的曝光用转写掩模。所述多个单元各自根据在该单元上形成的开口图形，在使带电粒子从该单元一侧照射时，将该带电粒子束透过至该单元另一侧。由此，在该单元另一侧上配置被处理基板时，在该被处理基板上转写所述单元的开口图形，进而在该被处理基板上形成曝光图形。此外，在所述掩模部上，所述多个单元的一部分或全部可以更换。

公开(公告)号：CN101084567A

公开(公告)日：2007-12-05

申请号：CN200580039382.8

申请日：2005-11-17

申请人： NFAB有限公司

发明人： 德里克·安东尼·伊斯特汉

IPC分类号： H01J37/317

CPC分类号： B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J37/3177 ,  H01J2237/20228 ,  H01J2237/3175 ,  H01J2237/31788

摘要： 一种掩模，适用于粒子束源例如离子或电子源以形成特征和结构并且在材料表面上进行写入。该掩模包括具有多个孔的孔板以及位于孔板之下的聚焦装置。该多个孔形成阵列，由此每个板孔适于接收入射到孔板上的粒子束的一部分。然后该粒子束的每一个部分经过聚焦装置，通过该装置被聚焦到表面上。该掩模由此形成多个高分辨率的可被同时操作的聚焦粒子束。

公开(公告)号：CN1543667A

公开(公告)日：2004-11-03

申请号：CN02815975.6

申请日：2002-08-27

申请人： 尤尼瑟驰有限公司

发明人： 大卫·诺曼·杰米尔森 ,  史蒂夫·卜劳 ,  安德鲁·史蒂夫·德祖瑞克 ,  罗伯特·格雷姆·克拉克 ,  杨长义

IPC分类号： H01L21/265 ,  H01L31/115 ,  B82B3/00 ,  G06N1/00 ,  G01T1/00

CPC分类号： H01J37/08 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G06N10/00 ,  H01J37/20 ,  H01J37/244 ,  H01J37/3171 ,  H01J37/3174 ,  H01J2237/08 ,  H01J2237/20228 ,  H01J2237/20292 ,  H01J2237/31703 ,  H01J2237/31711 ,  H01J2237/31713 ,  H01J2237/31755 ,  H01J2237/31788 ,  H01L21/265 ,  H01L21/26513

摘要： 一种用于单离子掺杂和处理的方法和系统检测衬底中的单离子的注入、穿透以及终止。这种检测对于将可数数量的31P离子成功地注入到用于构成凯恩量子计算机的半导体衬底内很必要。该方法和系统特别涉及衬底(20)的表面上两个电极(22，23)上的电位(24)的应用，以产生电场将衬底(20)内形成的电子空穴对分开并清除。然后使用检测器(30)检测电极中的瞬时电流，由此决定衬底(20)中单离子的到达。

公开(公告)号：CN1086512C

公开(公告)日：2002-06-19

申请号：CN97116763.X

申请日：1997-08-15

申请人： 日本电气株式会社

发明人： 山田泰久 ,  野末宽

IPC分类号： H01L21/30 ,  G03F7/20

CPC分类号： B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/20 ,  H01J37/3174 ,  H01J2237/31788 ,  H01J2237/31794

摘要： 一种电子束曝光掩模，此掩模包括一基片，该基片具有一第一区域和第二区域，在第一区域内形成第一组多个单元孔径，在第二区域内形成第二组多个单元孔径。被辐射到第一区域的带电束的偏转角小于基准角。被辐射到第二区域的带电束的偏转角大于或等于基准角。每个第一组多个单元孔径都对应于需要高图形转换精度的精细图形。每个第二组多个单元孔径对应于不需高图形转换精度的精略图形。