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公开(公告)号：CN1669121B
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN03816319.5
申请日：2003-07-07
申请人： 日本奥特克株式会社 , 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/027 , G03F1/16 , G03F7/20
CPC分类号： B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/20 , G03F1/50 , H01J37/3174 , H01J2237/31788 , H01J2237/31794
摘要： 本发明为具备具有各自形成预定图形开口的多个单元的掩模部的曝光用转写掩模。所述多个单元各自根据在该单元上形成的开口图形，在使带电粒子从该单元一侧照射时，将该带电粒子束透过至该单元另一侧。由此，在该单元另一侧上配置被处理基板时，在该被处理基板上转写所述单元的开口图形，进而在该被处理基板上形成曝光图形。此外，在所述掩模部上，所述多个单元的一部分或全部可以更换。
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公开(公告)号：CN1669121A
公开(公告)日：2005-09-14
申请号：CN03816319.5
申请日：2003-07-07
申请人： 日本奥特克株式会社 , 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/027 , G03F1/16 , G03F7/20
CPC分类号： B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/20 , G03F1/50 , H01J37/3174 , H01J2237/31788 , H01J2237/31794
摘要： 本发明为具备具有各自形成预定图形开口的多个单元的掩模部的曝光用转写掩模。所述多个单元各自根据在该单元上形成的开口图形，在使带电粒子从该单元一侧照射时，将该带电粒子束透过至该单元另一侧。由此，在该单元另一侧上配置被处理基板时，在该被处理基板上转写所述单元的开口图形，进而在该被处理基板上形成曝光图形。此外，在所述掩模部上，所述多个单元的一部分或全部可以更换。
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公开(公告)号：CN109841476B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201811440918.2
申请日：2018-11-29
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本公开涉及半导体制造装置用的部件以及半导体制造装置，目的在于使对蚀刻率和倾斜中的至少一项的控制性提高。提供半导体制造装置用的部件，所述部件被通电，在所述部件的一部分设置有绝缘构件。
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公开(公告)号：CN102420089B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201110296183.2
申请日：2011-09-27
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/3065 , H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32449 , C23C16/455 , C23C16/45561 , C23C16/45563 , C23C16/45565 , C23C16/505 , C23C16/509 , H01J37/32009 , H01J37/3244 , H01J37/32541
摘要： 本发明提供一种等离子体蚀刻用的电极板和等离子体蚀刻处理装置。该等离子体蚀刻用的电极板能够将贯通电极板的多种类型的气孔的配置最优化。等离子体蚀刻用的电极板(160)呈具有规定的厚度的圆板状，在同心圆状的多个不同的圆周上形成有将电极板(160)的一个面铅垂地贯通的多个气孔，在沿着径向将电极板(160)分割成两个以上的区域中的各区域形成有不同类型的气孔。
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公开(公告)号：CN101950721A
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN201010226907.1
申请日：2010-07-09
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/324 , H01L21/263
CPC分类号： C23C8/36 , C23C8/80 , C23C16/325 , C23C16/4404 , C23C16/56 , H01J2237/31
摘要： 本发明提供能够容易地消除形成在部件表面特别是台阶部的破碎层的表面处理方法。对表面具有破碎层25h的由碳化硅形成的聚焦环25，向表面照射电子束45，或使用等离子体喷枪50加热表面，或将其收容于退火处理装置60进行加热，从而将聚焦环25的表面加热到碳化硅的重结晶温度，例如1100℃～1300℃，使该部分的碳化硅重结晶从而改性为致密层，使当将聚焦环25应用于等离子体处理装置10时的从聚焦环25的表面释放出的粒子数减少。
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公开(公告)号：CN118231215A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202311699286.2
申请日：2023-12-12
申请人： 东京毅力科创株式会社
摘要： 本发明提供能够保护基片支承单元的粘接层并且控制基片的外周部的磁场的基片支承单元和等离子体处理装置。基片支承单元包括：基座；静电吸盘，其设置在上述基座上，具有用于支承基片的基片支承面；粘接层，其设置在上述基座与上述静电吸盘之间，将上述基座与上述静电吸盘粘接在一起；以及具有主体部和磁场产生部的保护部件，其中，上述主体部包围上述粘接层的外周，保护上述粘接层，上述磁场产生部设置在上述主体部，在上述基片的外周部和上述基片的周围产生磁场。
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公开(公告)号：CN117043918A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202280021365.5
申请日：2022-03-10
申请人： 东京毅力科创株式会社
发明人： 佐藤直行
IPC分类号： H01L21/31
摘要： 本发明提供一种半导体制造装置，其具备：处理腔室；基板支承部，其设于所述处理腔室内，用于保持基板；板，其与所述基板支承部相对，并具有气体导入口；以及圆筒构件，其支承所述板，并包围所述基板的周围，所述板和所述圆筒构件是具有利用CVD成膜而成的SiC膜的SiC构件的部件，其中，所述圆筒构件具有相对于载荷能够变形的第1部分。
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公开(公告)号：CN111799146A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN202010217975.5
申请日：2020-03-25
申请人： 日本钨合金株式会社 , 东京毅力科创株式会社
摘要： 本发明提供一种等离子体处理装置用部件、具备该部件的等离子体处理装置及烧结体的使用方法。等离子体处理装置用部件具有碳化钨相及副相，该副相包含选自由相I、相II、相III、相IV及相V构成的组中的至少一种，相I为将除W以外的元素周期表的第四族、第五族及第六族元素中的至少一种作为构成元素的碳化物相，相II为将除W以外的元素周期表的第四族、第五族及第六族元素中的至少一种作为构成元素的氮化物相，相III为将除W以外的元素周期表的第四族、第五族及第六族元素中的至少一种作为构成元素的碳氮化物相，相IV为碳相，相V为由WxMyCz的式表示的复合碳化物相，碳化钨相的含有比例为99体积％以上，副相的含有比例为1体积％以下，孔隙率为2体积％以下。
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公开(公告)号：CN102931056B
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201210391650.4
申请日：2010-07-09
申请人： 东京毅力科创株式会社
CPC分类号： C23C8/36 , C23C8/80 , C23C16/325 , C23C16/4404 , C23C16/56 , H01J2237/31
摘要： 本发明提供表面处理方法、由碳化硅形成的部件和等离子体处理装置。该表面处理方法是表面具有破碎层的由碳化硅形成的部件的表面处理方法，其特征在于，具有：准备表面具有破碎层的由碳化硅形成的部件的工序；在氧等离子体中加热上述破碎层，使部件表面的碳化硅进行SiOxCy化的工序；和对进行了上述SiOxCy化的部件表面进行氢氟酸处理将其溶析而除去的工序，通过将由上述破碎层构成的部件表面改性为致密层，使在将上述部件应用于等离子体处理装置时从上述部件表面释放出的粒子数减少。
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