公开(公告)号：CN107369686A

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：CN201610668659.3

申请日：2016-08-15

申请人： 美光科技公司

发明人： 王国镇 ,  管式凡 ,  拉尔斯·黑尼克 ,  山·唐

IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC分类号： H01L27/10823 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76224 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53257 ,  H01L23/53271 ,  H01L27/10811 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10888 ,  H01L27/10891 ,  H01L29/0649 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/10844 ,  H01L27/10882

摘要： 本发明公开了一种半导体存储器件，包含半导体基材，具有有源区域及介于有源区域之间的沟渠绝缘区域。各有源区域沿着第一方向延伸。埋入字线，位在半导体基材中，沿着第二方向延伸。各有源区域与两条埋入字线相交，将各有源区域区分为三部位:一位线接触区及两个存储单元接触区。第二方向不垂直于第一方向。位线接触结构，直接设在位线接触区上。存储节点接触结构，直接设在各存储单元接触区上。位线接触结构与存储节点接触结构为共平面。位线，位在半导体基材的主表面上，沿着第三方向延伸。位线直接接触位线接触结构。

公开(公告)号：CN100590732C

公开(公告)日：2010-02-17

申请号：CN200710091645.0

申请日：2002-11-20

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 广濑雅庸 ,  饭田真久 ,  大田清人

IPC分类号： G11C7/18 ,  H01L27/108 ,  H01L23/522 ,  H01L21/8242

CPC分类号： H01L27/10882 ,  G11C7/02 ,  G11C7/18 ,  H01L23/5225 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10897 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

摘要： 一种半导体存储装置，包括放大互补位线对的电压差的读出放大电路；构成上述读出放大电路的P沟道型或者N沟道型的配对晶体管的两个栅电极在同一活性区域中相互平行形成；上述两个栅电极的栅长被设定为上述活性区域的两端部分比中央部分长。

公开(公告)号：CN100359683C

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：CN03122667.1

申请日：2003-01-30

申请人： 株式会社东芝

发明人： 梶山健

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L23/48 ,  H01L27/00 ,  G11C11/15

CPC分类号： G11C11/16 ,  B82Y10/00 ,  H01L23/5226 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/10882 ,  H01L27/228 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一种配置具有孔的布线的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：具有第1贯通孔的第1布线；和与所述第1布线隔开且通过所述第1贯通孔的第1连接部件。

公开(公告)号：CN101083226A

公开(公告)日：2007-12-05

申请号：CN200710108143.4

申请日：2007-05-30

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 张润泽

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/8242 ,  H01L23/522 ,  H01L27/108

CPC分类号： H01L21/76804 ,  H01L21/76831 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/10808 ,  H01L27/10882 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10888

摘要： 提供制造半导体器件的方法，该半导体器件对于上金属布线层和下接触焊盘之间的空隙形成，具有减小的敏感性。根据该方法，为了防止接触焊盘不受后续刻蚀工序影响，形成刻蚀屏蔽层。还提供根据该方法制造的半导体器件。

公开(公告)号：CN1315192C

公开(公告)日：2007-05-09

申请号：CN02152706.7

申请日：2002-11-20

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 广濑雅庸 ,  饭田真久 ,  大田清人

IPC分类号： H01L27/108 ,  G11C11/34

CPC分类号： H01L27/10882 ,  G11C7/02 ,  G11C7/18 ,  H01L23/5225 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10897 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

摘要： 单节点方式(开敞位线型)的动态型RAM中，以读出放大为中心左右配置了子阵。这个子阵拥有多数动态型储存元件。在位于读出放大列的左侧或右侧的子阵中，由同一行位线构成互补位线对。各个子阵中的各个位线之间的每一个间隔，配置着与这些位线平行且制成在同一配线层的屏蔽用的配线形式。这些配线形式设定了全电源电位等的固定电位。因此，有效地减少了相邻位线之间的生成干涉杂音。

公开(公告)号：CN108231773A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201711223457.9

申请日：2017-11-29

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金真雅 ,  李善荣 ,  金容宽 ,  金志永 ,  赵昶贤

IPC分类号： H01L27/108

CPC分类号： H01L27/10885 ,  H01L22/26 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10888 ,  H01L27/10897 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/10829 ,  H01L27/10882

摘要： 一种制造半导体器件的方法。单元区域和核心区域被限定在衬底中。设置在单元区域中的位线结构被提供。设置在核心区域中的栅极结构被提供，以及设置在栅极结构上的核心盖膜被提供。核心盖膜的高度大于位线结构的高度。第一接触膜在位线结构上被形成。第二接触膜在核心盖膜上被形成。掩模在第一接触膜上被形成。核心盖膜的上表面使用掩模被暴露。第一接触膜使用蚀刻工艺被蚀刻直到第一接触膜的高度变得小于位线结构的高度。在蚀刻工艺中，对于第一接触膜的蚀刻速率大于对于位线结构和核心盖膜的蚀刻速率。

公开(公告)号：CN103151334B

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201210524164.5

申请日：2012-12-07

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 洪琮沅 ,  朴仁善 ,  金会承 ,  白宗玟

IPC分类号： H01L23/528 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76877 ,  C25D3/38 ,  C25D5/08 ,  C25D7/123 ,  C25D17/001 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/522 ,  H01L27/04 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/10882 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供了制造半导体器件的方法和由此制造的半导体器件。在所述方法中，可以在单元凹陷区和周边电路区之间形成伪凹陷区。由于伪凹陷区的存在，可以减小伪图案区附近电镀溶液中所含的抑制剂的浓度梯度，以使单元图案区中抑制剂的浓度更均匀，并向单元图案区更有效地供给电流。结果，在单元图案区中能更均匀地形成电镀层，其中没有空隙形成。

公开(公告)号：CN103946981B

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201180075236.6

申请日：2011-12-02

申请人： 英特尔公司

发明人： P.沃格特 ,  A.沙伊费尔 ,  W.莫罗 ,  J.哈尔伯特 ,  金镇永 ,  K.休梅克

IPC分类号： H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC分类号： H01L25/0657 ,  G11C5/06 ,  H01L23/481 ,  H01L24/16 ,  H01L27/108 ,  H01L27/10882 ,  H01L27/10897 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541

摘要： 描述具有提供偏移互连的接口的堆叠式存储器的操作的动态操作。存储器装置的实施例包括系统元件和与所述系统元件耦合的存储器堆栈，所述存储器堆栈包括一个或多个存储器裸晶层。每个存储器裸晶层包括第一面和第二面，每个存储器裸晶层的第二面包括用于将存储器裸晶层的数据接口引脚与耦合的元件的第一面的数据接口引脚耦合的接口。每个存储器裸晶层的接口可包括提供存储器裸晶层的数据接口引脚中的每个与耦合的元件的数据接口引脚中的对应的数据接口引脚之间的偏移的连接。

公开(公告)号：CN102339830B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201010268539.7

申请日：2010-08-30

申请人： 海力士半导体有限公司

发明人： 权世仁

IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC分类号： H01L21/28008 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10867 ,  H01L27/10882 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10888

摘要： 本发明公开一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：半导体基板，其包括由器件隔离膜限定的有源区；位线孔，其设置在所述半导体基板的顶部上；氧化物膜，其设置在所述位线孔的侧壁处；以及位线导电层，其埋入在包括氧化物膜的所述位线孔中。位线间隔物由氧化物膜来形成，从而减小了寄生电容。存储节点触点形成为线型，从而确保了图案化裕量。存储节点触点插塞由浓度不同的多晶硅形成，从而减小了漏电流。

公开(公告)号：CN103946980A

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201180075219.2

申请日：2011-12-02

申请人： 英特尔公司

发明人： K.舍马克 ,  P.富格特

IPC分类号： H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L23/147 ,  H01L23/481 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/18 ,  H01L27/108 ,  H01L27/10882 ,  H01L27/10897 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 堆栈式存储器允许在装置互连中的变化。存储装置的实施例包括用于存储装置的系统元件和与系统元件连接的存储栈，系统元件包括多个衬垫，存储栈具有一个或多个存储器管芯层，系统元件和存储栈的连接包括用于连接第一存储器管芯层和系统元件的多个衬垫的互连。对于在存储栈中的单个存储器管芯层，多个衬垫的第一子集用于第一组互连，所述第一组互连用于系统元件和存储栈的连接，以及对于两个或更多的存储器管芯层，多个衬垫的第一子集和附加的第二子集用于第一组互连和第二组互连，所述第一组互连和第二组互连用于系统元件和存储栈的连接。