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    可调谐半导体激光器设备和用于操作可调谐半导体激光器设备的方法
    1.
    发明公开
    可调谐半导体激光器设备和用于操作可调谐半导体激光器设备的方法 失效

    公开(公告)号：CN103238256A

    公开(公告)日：2013-08-07

    申请号：CN201180058050.X

    申请日：2011-11-11

    申请人： 尤菲尼克斯股份有限公司

    发明人： M·恩吉尔曼 ,  B·范索美伦

    IPC分类号： H01S5/06 ,  H01S5/12

    CPC分类号： H01S5/06 ,  H01S5/0607 ,  H01S5/1234 ,  H01S5/1237 ,  H01S5/22

    摘要： 本发明提供半导体激光器设备，包括：-半导体结构（10），在沿纵向轴线（2）的相对侧上具有端部表面（1a，1b），结构（10）被形成为在该结构的顶部表面（4）和底部表面（5）之间具有有源区层（12）；-纵向结构（20），设置在顶部表面（4）上，以通过接触表面（22）接收电流；-第一纵向交指型换能器IDT（35），设置在顶部表面（4）上，第一IDT（35）在平行于纵向轴线（2）的方向上纵向延伸，且被布置为在平行于纵向轴线（2）的方向上产生表面声波SAW，其中第一IDT（35）被布置为平行于纵向结构（20），IDT（35）的中心和纵向结构的中心沿横向轴线（3）分隔开一个距离。电流经由顶部触点（22a）和底部触点被供应至有源区，且经由两个触点（22b,22c）被供应至IDT（35）。结构（20）可以是一个脊。

    声学可调谐分布反馈激光器中的自加热缓解
    8.
    发明公开
    声学可调谐分布反馈激光器中的自加热缓解 无效

    公开(公告)号：CN107112721A

    公开(公告)日：2017-08-29

    申请号：CN201580073612.6

    申请日：2015-12-14

    申请人： 阿尔卡特朗讯

    发明人： 托马斯·法伊弗

    IPC分类号： H01S5/12 ,  H01S5/068 ,  H01S5/06

    CPC分类号： H01S5/1234 ,  H01S5/0617 ,  H01S5/068

    摘要： 本申请案涉及一种显示自加热缓解的激光器组合件。所述激光器组合件(100；200)包括：半导体激光器(110)，其具有有源半导体区域，所述有源半导体区域用于响应于施加到所述有源半导体区域的驱动电流而发射光信号；驱动电路(120)，其用于根据输入信号而产生所述驱动电流且将所述驱动电流施加到所述有源半导体区域；可控振荡器(140)，其用于产生施加到所述半导体激光器(110)的周期性电信号以在所述有源半导体区域中或附近产生表面声波，使得所述表面声波在所述有源半导体区域中或附近形成衍射光栅结构，所述有源半导体区域的发射波长由所述衍射光栅结构的周期性确定，其中所述可控振荡器(140)经配置以根据控制信号来设定所述周期性电信号的频率；及控制电路(150、160、170)，其用于以使得在所述光信号的发射期间由于所述有源半导体区域的加热导致的所述发射波长远离预定发射波长的移位被通过在所述有源半导体区域中或附近由于所述衍射光栅结构的所述周期性的改变导致的所述发射波长的相反移位而至少部分地补偿的方式为所述可控振荡器(140)产生所述控制信号。本申请案进一步涉及一种用于驱动半导体激光器的方法。

    可调谐半导体激光器设备和用于操作可调谐半导体激光器设备的方法
    10.
    发明授权
    可调谐半导体激光器设备和用于操作可调谐半导体激光器设备的方法 失效

    公开(公告)号：CN103238256B

    公开(公告)日：2015-08-12

    申请号：CN201180058050.X

    申请日：2011-11-11

    申请人： 尤菲尼克斯股份有限公司

    发明人： M·恩吉尔曼 ,  B·范索美伦

    IPC分类号： H01S5/06 ,  H01S5/12

    CPC分类号： H01S5/06 ,  H01S5/0607 ,  H01S5/1234 ,  H01S5/1237 ,  H01S5/22

    摘要： 本发明提供半导体激光器设备，包括：半导体结构（10），在沿纵向轴线（2）的相对侧上具有端部表面（1a，1b），结构（10）被形成为在该结构的顶部表面（4）和底部表面（5）之间具有有源区层（12）；纵向结构（20），设置在顶部表面（4）上，以通过接触表面（22）接收电流；第一纵向交指型换能器IDT（35），设置在顶部表面（4）上，第一IDT（35）在平行于纵向轴线（2）的方向上纵向延伸，且被布置为在平行于纵向轴线（2）的方向上产生表面声波SAW，其中第一IDT（35）被布置为平行于纵向结构（20），IDT（35）的中心和纵向结构的中心沿横向轴线（3）分隔开一个距离。电流经由顶部触点（22a）和底部触点被供应至有源区，且经由两个触点（22b,22c）被供应至IDT（35）。结构（20）可以是一个脊。