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公开(公告)号：CN107196612A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710363961.2
申请日：2017-05-22
申请人： 电子科技大学
CPC分类号： H03F1/483 , H03F3/211 , H03F3/3022 , H03F3/45179 , H03F2203/30117 , H03F2203/45024
摘要： 本发明属于模拟集成电路设计领域，具体的说是涉及一种具有高增益特性的推挽放大器。本发明的电路将第一级出来的信号拆分开来，下拉电流由共源级NMOS管替代PMOS follower，上拉电流由共源级NMOS输出接NPN管的follower提供，形成输出级。同时，加入RZ和CC分离主极点和输出极点，通过将输出极点推向高频来实现高带宽。第一级通过折叠式Cascode提供高输出阻抗以形成主极点。本发明的有益效果是：本发明的放大器实现了高增益，高带宽，高SR，解决了传统功率放大电路无法兼顾电流增益和电压增益的问题。
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公开(公告)号：CN106817098A
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201611088894.X
申请日：2016-12-01
申请人： 亚德诺半导体集团
IPC分类号： H03F3/45
CPC分类号： H03F3/45394 , H03F2200/294 , H03F2203/45024
摘要： 本文涉及低噪声跨导放大器，提供了用于跨导放大器(诸如，分离共源共栅低噪声跨导放大器(LNTAs)的装置和方法。在实施例中，LNTA包括分离电流路径，每个分离电流路径通过不同的交流(AC)耦合电容器耦合到不同的混频器。在不同操作模式期间，例如当LNTA的输入在不同频带内时，可以启用LNTA的分离电流路径。
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公开(公告)号：CN106656058A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201611093259.0
申请日：2016-10-28
申请人： 艾壳
CPC分类号： H03F3/245 , H03F1/3211 , H03F3/1935 , H03F3/21 , H03F3/45188 , H03F3/45385 , H03F2200/451 , H03F2203/45024 , H03F2203/45386 , H03F2203/45481 , H03F2203/45631 , H03F1/223 , H03F3/195
摘要： 本发明涉及电容交叉耦合与谐波抑制，其中的功率放大器包括第一级联结构，第一级联结构包括MOSFET和JFET以及电连接在JFET的源极与漏极之间的第一电容器。并联的两个这样的功率放大器形成差分功率放大器。在差分放大器中，第二电容器可以电连接在第二JFET的源极与漏极之间。另一个差分功率放大器包括：电连接在第一MOSFET的栅极与第二MOSFET的源极之间的第一电容器，以及电连接在第二MOSFET的栅极与第一MOSFET的源极之间的第二电容器。这些差分功率放大器中的一些还包括：电连接在JFET的源极与漏极之间的电容器。
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公开(公告)号：CN106533375A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201610957389.8
申请日：2016-10-27
申请人： 天津大学
CPC分类号： H03F3/193 , H03F3/245 , H03F3/45385 , H03F2203/45024
摘要： 本发明公开了一种高带宽的伪差分结构调节型共源共栅跨阻放大器，所述伪差分结构调节型共源共栅跨阻放大器包括：使用差分结构放大级替换传统RGC结构的共源级辅助放大级，整体结构仍然使用单端输出；将差分结构放大级MOS管的源极分别增加一个电阻R和电容C构成伪差分结构，利用容性退化技术产生的零点来抵消极点，提高电路的整体带宽。本发明利用引入新的零点来抵消电路极点，进而拓展工作频带。通过对电路元器件参数的调节和优化，在保证跨阻放大器整体增益不降低的前提下，提升电路带宽，实现一种高带宽、伪差分结构的RGC跨阻放大器。
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公开(公告)号：CN102460959B
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201080028858.9
申请日：2010-06-28
申请人： 高通股份有限公司
CPC分类号： H03F1/3211 , H03F1/3223 , H03F3/45188 , H03F2203/45024 , H03F2203/45166 , H03F2203/45318 , H03F2203/45366
摘要： 本发明揭示用于设计用在例如通信接收器中的高度差动的单端/差动转换器的技术。在示范性实施例中，包括级联互补晶体管的辅助电流路径耦合到包括输入晶体管及级联晶体管的主电流路径。对所述晶体管加偏压，使得由所述辅助电流路径产生的相互调制产物消除由所述主电流路径产生的相互调制产物。在另一示范性实施例中，视所接收的输入信号的电平而以自适应方式对用于所述主电流路径的电流源晶体管加偏压。在示范性实施例中，可将所述技术应用于设计用于在通信接收器中将单端低噪声放大器LNA输出电压与差动混频器输入介接的转换器。
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公开(公告)号：CN106877829A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201610813817.X
申请日：2016-09-09
申请人： 矽创电子股份有限公司
发明人： 郑家麒
IPC分类号： H03F3/45
CPC分类号： H03F3/45179 , H03F2203/45024 , H03F2203/45564
摘要： 本发明公开了一种运算放大器，包含一输入单元、一输出单元、一放大单元及一控制单元。该输入单元可用来接收一差分输入电压，以产生一偏置电流。该输出单元包含一第一晶体管及一第二晶体管，可用来产生一输出电压。该放大单元耦接于该输入单元及该输出单元之间，可用来接收该偏置电流，以根据该偏置电流控制该第一晶体管及该第二晶体管开启或关闭，进而控制该输出电压的大小。该控制单元耦接于该放大单元，可用来接收该差分输入电压，并在该差分输入电压的差异大于一临界值时，输出一增益电流到该放大单元。
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公开(公告)号：CN106026952A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610171228.6
申请日：2016-03-24
申请人： 亚德诺半导体集团
CPC分类号： H03F3/193 , H03F1/0233 , H03F3/45188 , H03F2200/451 , H03F2203/45024 , H03F2203/45481 , H03F3/45632
摘要： 在此提供一种用于针对毫米波功率应用的共源共栅放大器拓扑结构的设备和方法。共源共栅放大器可使用与自举的公共栅极级共源共栅的抵消的公共源极级来提供具有改善的性能、增益、稳定性和可靠性的放大器拓扑结构。此外，公共栅极级的自举的电容器可在共源共栅晶体管的源极指状物和漏极指状物之间形成图案，由此改进器件性能。作为RF功率放大器工作的情况下，具有自举公共栅极级的采用抵消的公共源极级的单级共源共栅放大器可为E带的信号提供多于15dB的功率增益。
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公开(公告)号：CN1918790B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200580004622.0
申请日：2005-02-02
申请人： 硅实验室股份有限公司
发明人： A·W·克朗
CPC分类号： H03G1/0023 , H03F1/26 , H03F3/193 , H03F3/45179 , H03F2200/06 , H03F2200/294 , H03F2200/372 , H03F2203/45024 , H03F2203/45464 , H03F2203/45638 , H03G1/0035 , H03G7/001
摘要： 一种低噪声放大器(500)包括：第一跨导设备(326)，具有用于接收第一输入信号的控制电极以及第一电流电极；第一负载设备(322)，具有耦合到第一电源电压端子的第一端子以及耦合到第一跨导设备(326)第一电流电极并在其上形成第一输出电压信号的第二端子；第二跨导设备(336)，具有用于接收第二输入信号的控制电极以及第二电流电极；第二负载设备(332)，具有耦合到第一电源电压端子的第一端子以及耦合到第二跨导设备(336)第一电流电极并在其上形成第二输出信号的第二端子；以及衰减设备(340)，耦合在第一(326)与第二跨导设备(336)的第一电流电极之间，并具有用于在其上接收所述控制电压的控制输入端子。
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公开(公告)号：CN106026952B
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201610171228.6
申请日：2016-03-24
申请人： 亚德诺半导体集团
CPC分类号： H03F3/193 , H03F1/0233 , H03F3/45188 , H03F2200/451 , H03F2203/45024 , H03F2203/45481
摘要： 在此提供一种用于针对毫米波功率应用的共源共栅放大器拓扑结构的设备和方法。共源共栅放大器可使用与自举的公共栅极级共源共栅的抵消的公共源极级来提供具有改善的性能、增益、稳定性和可靠性的放大器拓扑结构。此外，公共栅极级的自举的电容器可在共源共栅晶体管的源极指状物和漏极指状物之间形成图案，由此改进器件性能。作为RF功率放大器工作的情况下，具有自举公共栅极级的采用抵消的公共源极级的单级共源共栅放大器可为E带的信号提供多于15dB的功率增益。
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公开(公告)号：CN108768312A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810813904.4
申请日：2018-07-23
申请人： 上海亮牛半导体科技有限公司
CPC分类号： H03F1/3205 , H03F1/3211 , H03F3/193 , H03F3/211 , H03F3/245 , H03F3/45188 , H03F3/68 , H03F2200/451 , H03F2203/45024 , H03F2203/45228
摘要： 本发明公开一种利用可调电感和改善功率放大器线性度的电路结构及方法，包含片上变压器耦合输入网络、晶体管放大器电路、输出网络、控制及偏置产生电路和包络检测电路；晶体管放大器电路分别与片上变压器耦合输入网络及输出网络连接；晶体管放大器电路设有电容电感并联谐振回路，电容电感并联谐振回路中并联的电容和可调电感；包络检测电路与控制及偏置产生电路连接，检测输入网络或输出网络的射频信号的包络信号，产生所需的偏置信号和可调电感的控制信号。本发明通过采用并联可调LC回路的办法，实现动态可调的低阻偏置回路改善AM‑AM非线性、可调电感消除AM‑PM非线性；方便地用在多级放大器级间匹配和阻抗变换网络中，便于多级射频功放级联实现。
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