公开(公告)号：CN101231944A

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200810008557.4

申请日：2008-01-23

申请人： 友达光电股份有限公司

发明人： 卓恩宗 ,  赵志伟 ,  彭佳添 ,  刘婉懿 ,  孙铭伟

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/314 ,  H01L21/3105 ,  H01L31/04 ,  H01L31/18 ,  H01L29/792 ,  H01L29/51 ,  H01L27/115 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8247 ,  H01L31/08

CPC分类号： C23C16/345 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  Y10S977/784 ,  Y10S977/809 ,  Y10S977/814 ,  Y10S977/844 ,  Y10S977/89 ,  Y10S977/891

摘要： 本发明公开了包括硅纳米管芯的多层结构及其制造方法、太阳能电池及形成其的方法、非易失性存储器单元及其制造方法、以及光感测单元及其制造方法。在一实施例中，包括硅纳米管芯的多层结构的制造方法包括步骤：于基底上形成第一导电层，于第一导电层上形成富硅介电层，至少对富硅介电层进行激光退火步骤，使富硅激发产生聚集，以于富硅介电层中形成多个硅纳米管芯。富硅介电层折射系数大体上为1.47～2.5的富硅氧化层，或折射系数约为1.7～2.5的富硅氮化层，包括硅纳米管芯的多层结构可用于太阳能电池、光侦测器、触控显示器、非易失性存储器元件的储存节点或液晶显示器。

公开(公告)号：CN104321700A

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN201380013521.4

申请日：2013-02-07

申请人： 得克萨斯大学体系董事会

发明人： C·G·威尔森 ,  W·J·杜兰德 ,  C·J·埃利森 ,  C·M·贝茨 ,  濑下武宏 ,  J·卡申 ,  L·J·桑托斯 ,  L·迪安 ,  E·L·劳施

IPC分类号： G03F7/00 ,  B81C1/00

CPC分类号： C09D153/00 ,  B29C43/32 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C03C17/30 ,  C03C17/3405 ,  C03C2218/152 ,  C23C16/44 ,  G03F7/0002 ,  Y10S977/788 ,  Y10S977/809 ,  Y10S977/811 ,  Y10S977/839 ,  Y10S977/888 ,  Y10S977/89 ,  Y10S977/891 ,  Y10T428/24802 ,  Y10T428/31504 ,  Y10T428/31663 ,  Y10T428/31931

摘要： 本发明使用真空沉积的材料薄膜，形成与下面的嵌段共聚物薄膜的不同域无优先相互作用的界面。无优先界面防止形成湿润层并影响嵌段共聚物内的域取向。沉积的聚合物的目的是在嵌段共聚物薄膜内产生可充当平版印刷图案的纳米结构特征。

公开(公告)号：CN104321700B

公开(公告)日：2018-07-03

申请号：CN201380013521.4

申请日：2013-02-07

申请人： 得克萨斯大学体系董事会

发明人： C·G·威尔森 ,  W·J·杜兰德 ,  C·J·埃利森 ,  C·M·贝茨 ,  濑下武宏 ,  J·卡申 ,  L·J·桑托斯 ,  L·迪安 ,  E·L·劳施

IPC分类号： G03F7/00 ,  B81C1/00

CPC分类号： C09D153/00 ,  B29C43/32 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C03C17/30 ,  C03C17/3405 ,  C03C2218/152 ,  C23C16/44 ,  G03F7/0002 ,  Y10S977/788 ,  Y10S977/809 ,  Y10S977/811 ,  Y10S977/839 ,  Y10S977/888 ,  Y10S977/89 ,  Y10S977/891 ,  Y10T428/24802 ,  Y10T428/31504 ,  Y10T428/31663 ,  Y10T428/31931

摘要： 本发明使用真空沉积的材料薄膜，形成与下面的嵌段共聚物薄膜的不同域无优先相互作用的界面。无优先界面防止形成湿润层并影响嵌段共聚物内的域取向。沉积的聚合物的目的是在嵌段共聚物薄膜内产生可充当平版印刷图案的纳米结构特征。

公开(公告)号：CN101231944B

公开(公告)日：2012-01-18

申请号：CN200810008557.4

申请日：2008-01-23

申请人： 友达光电股份有限公司

发明人： 卓恩宗 ,  赵志伟 ,  彭佳添 ,  刘婉懿 ,  孙铭伟

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/314 ,  H01L21/3105 ,  H01L31/04 ,  H01L31/18 ,  H01L29/792 ,  H01L29/51 ,  H01L27/115 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8247 ,  H01L31/08

CPC分类号： C23C16/345 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  Y10S977/784 ,  Y10S977/809 ,  Y10S977/814 ,  Y10S977/844 ,  Y10S977/89 ,  Y10S977/891

摘要： 本发明公开了包括硅纳米管芯的多层结构及其制造方法、太阳能电池及形成其的方法、非易失性存储器单元及其制造方法、以及光感测单元及其制造方法。在一实施例中，包括硅纳米管芯的多层结构的制造方法包括步骤：于基底上形成第一导电层，于第一导电层上形成富硅介电层，至少对富硅介电层进行激光退火步骤，使富硅激发产生聚集，以于富硅介电层中形成多个硅纳米管芯。富硅介电层折射系数大体上为1.47～2.5的富硅氧化层，或折射系数约为1.7～2.5的富硅氮化层，包括硅纳米管芯的多层结构可用于太阳能电池、光侦测器、触控显示器、非易失性存储器元件的储存节点或液晶显示器。