-
公开(公告)号：CN102216401A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN200980145186.7
申请日：2009-09-10
申请人： 巴斯夫涂料有限公司
IPC分类号： C09D4/00
CPC分类号： C09D4/06 , Y10S977/814 , Y10T428/259
摘要： 本发明涉及用于涂覆尤其是透明的聚碳酸酯基底的方法，其中将包含(A)至少一种辐射固化性基料、(B)纳米微粒和(C)任选的至少一种反应性稀释剂和/或任选的溶剂的透明涂层剂施涂到聚碳酸酯基底上，其特征在于，所述涂层剂含有二氧化硅纳米微粒(B)，所述纳米微粒具有介于80和300nm之间的d50值，和所述纳米微粒(B)具有这样的粒度分布，少于15重量％的微粒具有在小于80nm范围内的粒度，75至95重量％的微粒具有在80至300nm范围内的粒度，0至5重量％的微粒具有在大于300至1,000nm范围内的粒度，和0至5重量％的微粒具有在大于1,000nm至10,000nm范围内的粒度。此外本发明的主题是在这种方法中所使用的涂层剂以及通过所述方法可获得的经涂覆的聚碳酸酯基底。
-
公开(公告)号：CN105204106A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510658524.4
申请日：2015-10-12
申请人： 深圳市华星光电技术有限公司
IPC分类号： G02B5/30 , G02F1/1335
CPC分类号： G02B5/3041 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , G02B1/14 , G02B5/3033 , G02F1/1335 , G02F1/133528 , G02F2202/10 , G02F2202/36 , Y10S977/774 , Y10S977/814 , Y10S977/815 , Y10S977/824 , Y10S977/891 , Y10S977/892 , Y10S977/952 , G02B5/3008
摘要： 本发明提供一种量子点偏光片的制作方法。本发明的量子点偏光片的制作方法，将量子点层、偏光层分别形成于不同的基材上而分别得到量子点膜片、偏光膜片，然后将量子点膜片、偏光膜片相贴合后得到量子点偏光片，量子点偏光片并非在同一基材上依次成膜得到，从而使得量子点偏光片中的量子点层通过高低温制程均可制备，扩大了量子点材料的选择和制备范围，由该方法得到的量子点偏光片，在增加显示面板色域覆盖率的同时，不会发生光偏振消除的现象。
-
公开(公告)号：CN102216401B
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN200980145186.7
申请日：2009-09-10
申请人： 巴斯夫涂料有限公司
IPC分类号： C09D4/00
CPC分类号： C09D4/06 , Y10S977/814 , Y10T428/259
摘要： 本发明涉及用于涂覆尤其是透明的聚碳酸酯基底的方法，其中将包含(A)至少一种辐射固化性基料、(B)纳米微粒和(C)任选的至少一种反应性稀释剂和/或任选的溶剂的透明涂层剂施涂到聚碳酸酯基底上，其特征在于，所述涂层剂含有二氧化硅纳米微粒(B)，所述纳米微粒具有介于80和300nm之间的d50值，和所述纳米微粒(B)具有这样的粒度分布，少于15重量％的微粒具有在小于80nm范围内的粒度，75至95重量％的微粒具有在80至300nm范围内的粒度，0至5重量％的微粒具有在大于300至1,000nm范围内的粒度，和0至5重量％的微粒具有在大于1,000nm至10,000nm范围内的粒度。此外本发明的主题是在这种方法中所使用的涂层剂以及通过所述方法可获得的经涂覆的聚碳酸酯基底。
-
公开(公告)号：CN101823355B
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN200910128143.X
申请日：2009-03-03
申请人： E.I.内穆尔杜邦公司
IPC分类号： B32B27/08 , H01L31/042 , H01L31/0203
CPC分类号： B32B27/36 , B32B3/08 , B32B7/12 , B32B15/08 , B32B15/18 , B32B27/08 , B32B27/18 , B32B27/20 , B32B27/28 , B32B27/304 , B32B27/306 , B32B27/308 , B32B27/32 , B32B27/322 , B32B2255/10 , B32B2255/20 , B32B2255/205 , B32B2255/24 , B32B2270/00 , B32B2307/40 , B32B2307/50 , B32B2307/54 , B32B2307/546 , B32B2307/584 , B32B2307/712 , B32B2307/7244 , B32B2307/7246 , B32B2457/12 , H01L31/048 , H01L31/049 , Y02E10/50 , Y10S977/814 , Y10S977/948 , Y10T428/24967 , Y10T428/263
摘要： 公开了一种叠层膜，它包括：(a)基层；(b)在该基层一个主表面上的接合层，该接合层选自：(i)乙烯-(甲基)丙烯酸C1-4烷酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物或者乙烯-马来酸酐共聚物；(ii)乙烯与选自(甲基)丙烯酸C1-4烷酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物或者乙烯-马来酸酐共聚物中的至少两种共聚单体形成的多元共聚物；(iii)乙烯和(甲基)丙烯酸缩水甘油酯与选自(甲基)丙烯酸C1-4烷酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物或者乙烯-马来酸酐共聚物中的至少一种共聚单体形成的含(甲基)丙烯酸缩水甘油酯的共聚物；或者(iv)上述共聚物中的两种或多种的共混物；其中，所述接合层直接置于所述基层上或者在该基层与接合层之间具有一层厚度小于0.99微米的底涂层。
-
公开(公告)号：CN101231944B
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN200810008557.4
申请日：2008-01-23
申请人： 友达光电股份有限公司
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/314 , H01L21/3105 , H01L31/04 , H01L31/18 , H01L29/792 , H01L29/51 , H01L27/115 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/8247 , H01L31/08
CPC分类号： C23C16/345 , C23C16/401 , C23C16/56 , Y10S977/784 , Y10S977/809 , Y10S977/814 , Y10S977/844 , Y10S977/89 , Y10S977/891
摘要： 本发明公开了包括硅纳米管芯的多层结构及其制造方法、太阳能电池及形成其的方法、非易失性存储器单元及其制造方法、以及光感测单元及其制造方法。在一实施例中，包括硅纳米管芯的多层结构的制造方法包括步骤：于基底上形成第一导电层，于第一导电层上形成富硅介电层，至少对富硅介电层进行激光退火步骤，使富硅激发产生聚集，以于富硅介电层中形成多个硅纳米管芯。富硅介电层折射系数大体上为1.47～2.5的富硅氧化层，或折射系数约为1.7～2.5的富硅氮化层，包括硅纳米管芯的多层结构可用于太阳能电池、光侦测器、触控显示器、非易失性存储器元件的储存节点或液晶显示器。
-
公开(公告)号：CN1989270A
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200580024926.3
申请日：2005-07-13
申请人： 应用材料股份有限公司
IPC分类号： C23C16/24
CPC分类号： C23C16/24 , Y10S977/814
摘要： 本发明公开了一种用于在衬底上沉积纳米晶体硅层的方法的不同实施方式。在本发明的一实施方式中，将衬底放置于单晶圆腔室中并加热至约300℃到490℃之间的温度。另外，将硅源导入所述单晶圆腔室中。
-
公开(公告)号：CN106575685A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201480081292.4
申请日：2014-11-20
申请人： 庆熙大学校产学协力团
IPC分类号： H01L31/10 , C01B32/186
CPC分类号： H01L31/1804 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B31/0453 , C01B31/0484 , C01B32/182 , C01B32/186 , H01L31/0288 , H01L31/035218 , H01L31/03529 , H01L31/0384 , H01L31/09 , H01L31/10 , H01L31/109 , Y10S977/734 , Y10S977/774 , Y10S977/814 , Y10S977/843 , Y10S977/847 , Y10S977/89 , Y10S977/896 , Y10S977/948
摘要： 提供了一种通过控制硅量子点大小和石墨烯掺杂浓度，提高光学特性及电性特性的包括石墨烯硅量子点混合结构的光电二极管。本发明的包括石墨烯硅量子点混合结构的光电二极管制作方便，可大面积制作，且从紫外线领域到近紫外线领域的光检测带宽广，选择性地可调整吸收能量。
-
公开(公告)号：CN104409650A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410718023.6
申请日：2014-12-01
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
CPC分类号： H01L51/502 , B82Y20/00 , H01L27/288 , H01L51/0042 , H01L51/0078 , H01L51/0096 , H01L51/50 , H01L51/5056 , H01L51/5072 , H01L51/5088 , H01L51/5206 , H01L51/5221 , H01L51/56 , H01L2251/5369 , Y10S977/774 , Y10S977/814 , Y10S977/818 , Y10S977/819 , Y10S977/824 , Y10S977/95
摘要： 本发明提供了一种发光器件及其制作方法、显示装置、光检测装置，涉及发光器件技术领域，能够提高发光器件的出光效率。其中发光器件包括：基板及依次层叠于基板上的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和阳极，空穴传输层和/或电子传输层的形成材料包括光导电高分子材料。由于光导电高分子材料在光照激发下能够产生载流子，促进载流子转移，提高器件的载流子传输性能，因此本发明所提供的发光器件具有更高的出光效率。
-
公开(公告)号：CN101736354B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200810225926.5
申请日：2008-11-06
申请人： 北京有色金属研究总院
IPC分类号： C25B1/00 , C30B29/06 , C30B29/62 , C30B30/02 , C01B33/021
CPC分类号： C25B1/006 , C01B33/021 , C30B9/14 , C30B29/06 , C30B29/60 , Y10S977/762 , Y10S977/814 , Y10S977/899
摘要： 本发明提供一种从化合物SiX或包含化合物SiX的混合物直接制备硅纳米粉末、纳米线(管)的电化学方法。其特性是：以化合物SiX或包含化合物SiX的混合物为阴极，设置阳极，置于包含金属化合物熔盐的电解质中，在阴极和阳极之间施加电压，控制反应条件，在阴极制得硅纳米粉末、纳米线(管)。本发明生产流程短、无污染、操作简单、原料易得、设备便宜，易于连续生产，同时为电化学法的应用于一维纳米材料的制备开辟了一个新领域，为制备硅纳米粉末、纳米线(管)探索出一条新途径。
-
公开(公告)号：CN101823355A
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN200910128143.X
申请日：2009-03-03
申请人： E.I.内穆尔杜邦公司
IPC分类号： B32B27/08 , H01L31/042 , H01L31/0203
CPC分类号： B32B27/36 , B32B3/08 , B32B7/12 , B32B15/08 , B32B15/18 , B32B27/08 , B32B27/18 , B32B27/20 , B32B27/28 , B32B27/304 , B32B27/306 , B32B27/308 , B32B27/32 , B32B27/322 , B32B2255/10 , B32B2255/20 , B32B2255/205 , B32B2255/24 , B32B2270/00 , B32B2307/40 , B32B2307/50 , B32B2307/54 , B32B2307/546 , B32B2307/584 , B32B2307/712 , B32B2307/7244 , B32B2307/7246 , B32B2457/12 , H01L31/048 , H01L31/049 , Y02E10/50 , Y10S977/814 , Y10S977/948 , Y10T428/24967 , Y10T428/263
摘要： 公开了一种叠层膜，它包括：(a)基层；(b)在该基层一个主表面上的接合层，该接合层选自：(i)乙烯-(甲基)丙烯酸C1-4烷酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物或者乙烯-马来酸酐共聚物；(ii)乙烯与选自(甲基)丙烯酸C1-4烷酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物或者乙烯-马来酸酐共聚物中的至少两种共聚单体形成的多元共聚物；(iii)乙烯和(甲基)丙烯酸缩水甘油酯与选自(甲基)丙烯酸C1-4烷酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物或者乙烯-马来酸酐共聚物中的至少一种共聚单体形成的含(甲基)丙烯酸缩水甘油酯的共聚物；或者(iv)上述共聚物中的两种或多种的共混物；其中，所述接合层直接置于所述基层上或者在该基层与接合层之间具有一层厚度小于0.99微米的底涂层。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
24 条记录 (耗时 0.014 秒)
