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公开(公告)号：CN101939253B
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN200980104087.4
申请日：2009-02-03
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： B82B3/00
CPC分类号： H01L21/0338 , B81B2203/0369 , B81C1/00031 , B81C2201/0149 , B81C2201/0198 , B82Y30/00 , H01L21/0337 , H01L51/0017 , Y10S977/882 , Y10S977/887 , Y10S977/888 , Y10T428/24479 , Y10T428/2457 , Y10T428/24612 , Y10T428/24736 , Y10T428/24802
摘要： 在一个实施例中，包围大区域的六边形瓦片被分为三个群组，每个群组含有彼此分离的所有六边形瓦片的三分之一。在模板层(2OA，2OB，20C)中形成每个群组(01，02，03)中的六边形瓦片的开口，且在每个开口内施加并构图自组装嵌段共聚物的组。重复该过程三次以涵盖所有三个群组，产生遍布宽广区域的自对准图形。在另一实施例中，该大区域被分为两个不重迭且互补的群组的矩形瓦片。每个矩形区域的宽度小于自组装嵌段共聚物的有序范围。以顺序方式在每一群组中形成自组装自对准的线与间隔结构(4OA，5OA；4OB，5OB；4OC，50C)，从而线与间隔图形形成为遍及了延伸超出有序范围的大区域。
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公开(公告)号：CN102123967B
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN200980132095.X
申请日：2009-08-12
申请人： 康宁股份有限公司
IPC分类号： C04B35/573 , C04B38/00
CPC分类号： C04B35/573 , C04B35/63488 , C04B38/0022 , C04B2111/0081 , C04B2235/3418 , C04B2235/3834 , C04B2235/3873 , C04B2235/441 , C04B2235/48 , C04B2235/80 , Y10S977/882 , Y10S977/883 , Y10T428/24496 , C04B35/565 , C04B38/0054
摘要： 本发明涉及制备有序中孔碳化硅(OMSiC)纳米复合物的方法，所述的方法使用前体组合物的蒸发引起的自装配，所述的前体组合物优选地包含酚醛树脂、预水解的原硅酸四乙酯、表面活性剂和丁醇。使前体混合物干燥、交联和加热形成具有有序的中等规模的孔的不连续区域的有序的中孔碳化硅材料。
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公开(公告)号：CN102123967A
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN200980132095.X
申请日：2009-08-12
申请人： 康宁股份有限公司
IPC分类号： C04B35/573 , C04B38/00
CPC分类号： C04B35/573 , C04B35/63488 , C04B38/0022 , C04B2111/0081 , C04B2235/3418 , C04B2235/3834 , C04B2235/3873 , C04B2235/441 , C04B2235/48 , C04B2235/80 , Y10S977/882 , Y10S977/883 , Y10T428/24496 , C04B35/565 , C04B38/0054
摘要： 本发明涉及制备有序中孔碳化硅(OMSiC)纳米复合物的方法，所述的方法使用前体组合物的蒸发引起的自装配，所述的前体组合物优选地包含酚醛树脂、预水解的原硅酸四乙酯、表面活性剂和丁醇。使前体混合物干燥、交联和加热形成具有有序的中等规模的孔的不连续区域的有序的中孔碳化硅材料。
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公开(公告)号：CN1318640C
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN01810839.3
申请日：2001-02-07
申请人： 迈脱有限公司
发明人： A·D·威斯纳格洛斯
CPC分类号： B05D3/12 , B05D5/00 , B05D2401/32 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , C30B35/00 , Y10S977/724 , Y10S977/84 , Y10S977/88 , Y10S977/882 , Y10S977/888 , Y10S977/89 , Y10S977/932
摘要： 提供了自动控制物体(130)的系统(100，100’，100”)和方法，其中通过转换能量振动微粒(110，110’)来建立微粒(110，110’)的定形粒状运动。微粒(110，110’)的定形粒状运动形成驻波(112)。将物体(130)对准到驻波(112)并因此动态设置在由驻波(112)的定位所建立的结构中。通过控制施加给能量施加系统(140)的信号波形可预先确定驻波(112)的位置。由信号源(150)能量施加系统(140)提供预定的波形。
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公开(公告)号：CN1550030A
公开(公告)日：2004-11-24
申请号：CN01816168.5
申请日：2001-08-22
申请人： 哈佛学院董事会
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： H01L29/0665 , B01J23/50 , B01J23/52 , B01J23/72 , B01J35/0013 , B01J37/349 , B81C1/0019 , B81C1/00206 , B82Y10/00 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C30B11/00 , C30B25/005 , C30B29/605 , G01N27/4146 , G01N33/54373 , G11C13/0014 , G11C13/0019 , G11C13/025 , G11C13/04 , G11C2213/77 , G11C2213/81 , H01L21/02521 , H01L21/02532 , H01L21/0254 , H01L21/02543 , H01L21/02557 , H01L21/0256 , H01L21/02573 , H01L21/02581 , H01L21/02603 , H01L21/02606 , H01L21/0262 , H01L21/02628 , H01L21/02631 , H01L21/02636 , H01L21/02639 , H01L21/02645 , H01L21/02653 , H01L23/53276 , H01L29/045 , H01L29/0673 , H01L29/068 , H01L29/16 , H01L29/1602 , H01L29/18 , H01L29/20 , H01L29/207 , H01L29/22 , H01L29/24 , H01L29/26 , H01L29/267 , H01L33/06 , H01L33/18 , H01L33/20 , H01L51/002 , H01L51/0048 , H01L2924/0002 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , Y10S438/962 , Y10S977/762 , Y10S977/847 , Y10S977/858 , Y10S977/882 , Y10S977/883 , Y10S977/892 , Y10S977/936 , Y10T428/24 , H01L2924/00
摘要： 是下列至少其中之一的体搀杂半导体：单晶体；拉长且体搀杂的半导体，所述半导体在沿其纵轴上的任意点上具有小于500纳米的最大横截面尺寸；以及具有至少一个具有小于500纳米的最小宽度的部分的独立式且体搀杂的半导体。这样的半导体可能包含一个包含第一半导体的内核；以及一个包含不同于第一半导体的材料的外壳。这样的半导体可能被拉长，并且可能在沿这样的半导体的纵剖面上的任意点，具有大于4∶1、或者大于10∶1、或者大于100∶1、或者甚至大于1000∶1的剖面长度和最大宽度的比值。这样的半导体的至少一个部分可能(具有，原文丢失have)小于200纳米、或小于150纳米、或小于100纳米、或小于80纳米、或小于70纳米、或小于60纳米、或小于40纳米、或小于20纳米、或小于10纳米、或者甚至小于5纳米的最小宽度。这样的半导体可能是单晶体且是独立式的。这样的半导体可能或者是轻n搀杂、重n搀杂、轻p搀杂或重p搀杂的。这样的半导体可能在生长过程中被搀杂。这样的半导体可能是器件的零件，该器件可能包括多种器件及其组合中的任一个，并且多种装配技术能被用于用这样的半导体制造器件。两个或更多这样的半导体，包括这类半导体的阵列，能被组合以形成器件，例如，形成器件的交p－n结。这样的器件在某些尺寸上可能表现出量子限制和其他的量子现象，并且从一个或更多这样的半导体发射的光的波长能够通过选择这样的半导体的宽度来控制。这样的半导体和以及用其制造的器件能被用于多种应用。
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公开(公告)号：CN105452163B
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201480045241.6
申请日：2014-08-14
申请人： 印度马德拉斯理工学院
IPC分类号： C01B32/184
CPC分类号： C01B32/194 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/16 , C01B32/184 , C01B32/192 , C09K11/65 , Y10S977/774 , Y10S977/882
摘要： 描述了基于对表面钝化的官能化氧化石墨(f‑GO PEG)进行剥脱/缩减而合成零维GQD的程序。该合成程序可包括利用聚焦太阳辐射并且在真空下，在氢气存在下剥脱/缩减f‑GO PEG。
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公开(公告)号：CN101462391B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN200710125411.3
申请日：2007-12-21
申请人： 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC分类号： B32B27/08 , B32B27/18 , B32B27/281 , B32B27/286 , B32B27/288 , B32B27/302 , B32B27/308 , B32B27/32 , B32B27/322 , B32B27/34 , B32B27/36 , B32B37/003 , B32B37/02 , B32B37/04 , B32B2264/108 , B32B2307/202 , B32B2307/302 , B32B2307/734 , B32B2309/14 , B32B2310/0843 , B32B2313/04 , Y10S977/882
摘要： 一种碳纳米管复合材料的制备方法，其具体包括以下步骤：制备至少一碳纳米管薄膜，该碳纳米管薄膜包括多个相互平行的碳纳米管；提供至少一高分子薄膜，并将所述至少一碳纳米管薄膜设置于该高分子薄膜表面，使所述至少一碳纳米管薄膜中的多个相互平行的碳纳米管平行于高分子薄膜的表面，形成一碳纳米管薄膜结构，从而得到一碳纳米管复合材料预制体，所述高分子薄膜由热塑性高分子材料组成；对上述碳纳米管复合材料预制体进行预复合处理；对上述预复合后的至少一碳纳米管复合材料预制体进行热压成型处理，形成一碳纳米管复合材料。
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公开(公告)号：CN100565783C
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN01816168.5
申请日：2001-08-22
申请人： 哈佛学院董事会
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： H01L29/0665 , B01J23/50 , B01J23/52 , B01J23/72 , B01J35/0013 , B01J37/349 , B81C1/0019 , B81C1/00206 , B82Y10/00 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C30B11/00 , C30B25/005 , C30B29/605 , G01N27/4146 , G01N33/54373 , G11C13/0014 , G11C13/0019 , G11C13/025 , G11C13/04 , G11C2213/77 , G11C2213/81 , H01L21/02521 , H01L21/02532 , H01L21/0254 , H01L21/02543 , H01L21/02557 , H01L21/0256 , H01L21/02573 , H01L21/02581 , H01L21/02603 , H01L21/02606 , H01L21/0262 , H01L21/02628 , H01L21/02631 , H01L21/02636 , H01L21/02639 , H01L21/02645 , H01L21/02653 , H01L23/53276 , H01L29/045 , H01L29/0673 , H01L29/068 , H01L29/16 , H01L29/1602 , H01L29/18 , H01L29/20 , H01L29/207 , H01L29/22 , H01L29/24 , H01L29/26 , H01L29/267 , H01L33/06 , H01L33/18 , H01L33/20 , H01L51/002 , H01L51/0048 , H01L2924/0002 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , Y10S438/962 , Y10S977/762 , Y10S977/847 , Y10S977/858 , Y10S977/882 , Y10S977/883 , Y10S977/892 , Y10S977/936 , Y10T428/24 , H01L2924/00
摘要： 是下列至少其中之一的体搀杂半导体：单晶体；拉长且体搀杂的半导体，所述半导体在沿其纵轴上的任意点上具有小于500纳米的最大横截面尺寸；以及具有至少一个具有小于500纳米的最小宽度的部分的独立式且体搀杂的半导体。这样的半导体可能包含一个包含第一半导体的内核；以及一个包含不同于第一半导体的材料的外壳。这样的半导体可能被拉长，并且可能在沿这样的半导体的纵剖面上的任意点，具有大于4∶1、或者大于10∶1、或者大于100∶1、或者甚至大于1000∶1的剖面长度和最大宽度的比值。这样的半导体的至少一个部分可能(具有，原文丢失have)小于200纳米、或小于150纳米、或小于100纳米、或小于80纳米、或小于70纳米、或小于60纳米、或小于40纳米、或小于20纳米、或小于10纳米、或者甚至小于5纳米的最小宽度。这样的半导体可能是单晶体且是独立式的。这样的半导体可能或者是轻n搀杂、重n搀杂、轻p搀杂或重p搀杂的。这样的半导体可能在生长过程中被搀杂。这样的半导体可能是器件的零件，该器件可能包括多种器件及其组合中的任一个，并且多种装配技术能被用于用这样的半导体制造器件。两个或更多这样的半导体，包括这类半导体的阵列，能被组合以形成器件，例如，形成器件的交叉p-n结。这样的器件在某些尺寸上可能表现出量子限制和其他的量子现象，并且从一个或更多这样的半导体发射的光的波长能够通过选择这样的半导体的宽度来控制。这样的半导体和以及用其制造的器件能被用于多种应用。
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公开(公告)号：CN101305280A
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200680020405.5
申请日：2006-06-09
申请人： 吉卢比有限公司
IPC分类号： G01N33/543 , G01N21/55
CPC分类号： G01N33/54373 , B82Y5/00 , B82Y15/00 , B82Y25/00 , B82Y30/00 , G01N21/554 , G01N21/6489 , G01N2021/258 , Y10S977/882 , Y10S977/891 , Y10S977/957 , Y10S977/958 , Y10S977/959
摘要： 本发明一般涉及生物传感器技术，并且具体涉及基于金属纳米岛、半导体纳米岛和磁性纳米岛有序阵列的用于医学、生物学、生物化学、化学和环境学应用的新颖多功能生物传感器。
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公开(公告)号：CN1941249A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200510100089.X
申请日：2005-09-30
申请人： 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC分类号： H01J1/304 , H01J9/025 , Y10S977/842 , Y10S977/882
摘要： 本发明提供一种场发射装置，其包括一支撑体，导电浆料，以及至少一段碳纳米管线，其中，该导电浆料将所述碳纳米管线固定在该支撑体上。本发明还提供该种场发射装置的制备方法，将至少一段碳纳米管用导电浆料粘住再烧结的方式固定在支撑体上即可。该方法简单、操作性强；且所得场发射装置的碳纳米管线发射体与支撑体之间结合牢固，在较大电场力作用下也不易被拔出。
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