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公开(公告)号：CN117270084A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311255846.5
申请日：2017-12-12
申请人： 六号元素技术有限公司
发明人： A·C·幕赫
摘要： 本公开涉及合成金刚石光学元件。提供一种光学元件，包括由合成金刚石材料形成的窗口和直接形成在合成金刚石材料表面中的光学表面图案。合成金刚石材料的窗口是楔形金刚石窗口的形式，其中非平行主表面限定在1弧分至10°范围内的楔角，并且光学表面图案直接形成在一个或两个非平行中主要表面。还描述了一种激光系统，其包括光学元件和具有相干长度的激光器，其中激光器的相干长度大于楔形金刚石窗口在其最厚点处的厚度的两倍。
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公开(公告)号：CN109923247B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN201780069563.8
申请日：2017-11-08
申请人： 六号元素技术有限公司
摘要： 一种制造多个单晶CVD金刚石的方法。该方法包括在第一载体基底上安装多个单晶金刚石基底。使所述多个单晶金刚石基底进行第一CVD金刚石生长过程，以便在多个单晶金刚石基底上形成多个单晶CVD金刚石。将所述多个单晶CVD金刚石安装在凹陷的载体基底中并进行第二CVD金刚石生长过程。
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公开(公告)号：CN113423875A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202080011424.1
申请日：2020-03-30
申请人： 六号元素技术有限公司
发明人： A·M·埃德蒙斯 , M·L·玛尔卡哈姆 , P-O·F·M·科拉德
摘要： 单晶CVD金刚石材料，包含至少5ppm的总氮浓度和至少0.7的中性单一替位氮Ns0与总单一替位氮Ns之比。尽管氮的浓度相对高，但观察到这样的金刚石具有相对少量的棕色着色。还公开了制造单晶金刚石的方法，该方法包括在工艺气体中生长CVD金刚石，所述工艺气体除含碳气体和氢之外还包含60至200ppm氮，其中含碳气体中的碳原子与氢气中的氢原子之比为0.5至1.5％。
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公开(公告)号：CN107949900B
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201680049071.8
申请日：2016-08-22
申请人： 六号元素技术有限公司
摘要： 一种用于在微波等离子体增强化学气相沉积(MPECVD)系统中使用的微波发生器系统，微波发生器系统包括：微波发生器单元，被配置为以适合于经由化学气相沉积处理制造合成金刚石材料的操作功率输出产生微波；故障检测系统，被配置为检测微波发生器单元中导致操作功率输出的减少或者频率的改变的故障；以及重新启动系统，被配置为响应检测到故障而重新启动微波发生器单元并且在微波发生器单元中导致操作功率输出的减少或者频率的改变的故障之后少于10秒的时间段内，恢复操作功率输出或者频率。
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公开(公告)号：CN104854267B
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201380056310.9
申请日：2013-09-13
申请人： 六号元素技术有限公司
摘要： 一种着色的单晶CVD合成金刚石材料，其包含：多个层；其中所述多个层包括至少两组层，所述至少两组层在它们的缺陷组成和颜色方面不同，其中所述至少两组层各自的缺陷类型、缺陷浓度和层厚度为：如果将所述着色的单晶CVD金刚石材料制造成圆形明亮式切割金刚石，该圆形明亮式切割金刚石包含台面和底尖，并且具有大于1mm的台面至底尖深度,那么至少在通过台面至底尖的方向上于标准环境观察条件下通过肉眼观察时，该圆形明亮式切割金刚石包含均匀的颜色。
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公开(公告)号：CN109477238A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201680080219.4
申请日：2016-12-06
申请人： 六号元素技术有限公司 , 六号元素技术美国公司
摘要： 一种单晶金刚石材料，其包含：中性氮-空位缺陷(NV0)；带负电荷的氮-空位缺陷(NV-)；和单一取代的氮缺陷(Ns)，所述氮缺陷将它们的电荷转移到中性氮-空位缺陷(NV0)，以将它们转化为带负电荷的氮-空位缺陷(NV-)，其特征在于所述单晶金刚石材料具有的磁力测定品质因数(FOM)为至少2，其中所述磁力测定品质因数由(I)定义，其中R是带负电荷的氮-空位缺陷与中性氮-空位缺陷的浓度比率([NV-]/[NV0])，[NV-]是以所述单晶金刚石材料的百万分率(ppm)的原子测量的带负电荷的氮-空位缺陷的浓度，[NV0]是以所述单晶金刚石材料的百万分率(ppm)原子测量的中性氮-空位缺陷的浓度，且T2'是NV-缺陷的退相干时间，其中T2'是对于DC磁力测定而言的T2*或对于AC磁力测定而言的T2。
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公开(公告)号：CN104798381B
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201380028743.3
申请日：2013-05-23
申请人： 六号元素技术有限公司
CPC分类号： A44C17/007 , C23C16/01 , C23C16/27 , C23C16/274 , C23C16/458 , H04R7/127 , H04R31/003 , H04R2307/023 , Y10T428/21 , Y10T428/24355
摘要： 一种独立式非平面聚晶CVD合成金刚石部件，该独立式非平面聚晶CVD合成金刚石部件包含成核面和生长面，所述成核面包含比所述生长面更小的晶粒，所述成核面具有不大于50nm的表面粗糙度Ra，其中所述独立式非平面聚晶CVD合成金刚石部件在投影到平面上时具有不小于5mm的最长线性尺寸，并且在其至少中心区域上基本无裂纹，其中所述中心区域是所述独立式非平面聚晶CVD合成金刚石部件总面积的至少70％，其中所述中心区域没有与所述独立式非平面聚晶CVD合成金刚石部件的两个外部主要面相交并且延伸大于2mm长度的裂纹。
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公开(公告)号：CN104937136A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201380064698.7
申请日：2013-12-04
申请人： 六号元素技术有限公司
发明人： C·S·J·皮克尔斯 , C·沃特 , J·布兰登 , N·珀金斯
CPC分类号： C23C16/274 , C23C16/511 , C30B25/105 , C30B25/12 , C30B25/165 , C30B29/04
摘要： 使用微波等离子体化学气相沉积(CVD)合成技术采用合成金刚石材料涂覆非耐火的和/或非平面的基材(8)的方法，该方法包括：·形成复合基材组件(1)，该组件(1)包括：·包含上表面的支撑基材(2)；·布置在该支撑基材的上表面上方并且延伸至高于该支撑基材的上表面的高度hg的一个或多个导电耐火防护物(6)；和布置在该支撑基材的上表面上方并且延伸至高于该支撑基材的上表面的高度hs的一个或多个非耐火的和/或非平面的基材，其中高度hs小于高度hg，其中高度差hg－hs处于0.2mm至10mm范围内；·将该复合基材组件置于微波等离子体CVD反应器的等离子体室内；·将工艺气体供给到等离子体室中，包括含碳气体和含氢气体；·在等离子体室中供给微波以在该复合基材组件上方的位置处形成微波等离子体；和·在该一个或多个非耐火的和/或非平面的基材上生长合成金刚石材料。
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公开(公告)号：CN104812946A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201380042784.8
申请日：2013-08-09
申请人： 六号元素技术有限公司
CPC分类号： H01S5/02484 , C01B32/25 , C23C16/274 , C23C16/511 , C23C16/52 , C30B25/105 , C30B25/16 , C30B25/18 , C30B29/04 , Y10T428/21 , Y10T428/24471
摘要： 一种制造聚晶CVD合成金刚石材料的方法，该聚晶CVD合成金刚石材料具有至少2000Wm-1K-1的通过其厚度的室温平均热导率，该方法包括：将难熔金属基底装入CVD反应器中；在难熔金属基底的周边区域周围设置难熔金属护圈，所述难熔金属护圈限定出介于所述难熔金属基底边缘和难熔金属护圈之间的具有1.5mm到5.0mm宽度的间隙；将微波引入CVD反应器中，其功率使得按所述难熔金属基底单位面积的功率计的功率密度在2.5-4.5W mm-2的范围内；将工艺气体引入CVD反应器中，其中所述CVD反应器内的工艺气体包含：以分子氮N2计算的在600ppb到1500ppb范围内的氮浓度、1.5-3.0体积％的含碳气体浓度和92-98.5体积％的氢气浓度；将所述难熔金属基底的平均温度控制在750-950℃的范围内，并且维持所述难熔金属基底上的边缘和中心点之间的温度差不超过80℃；在所述难熔金属基底上生长聚晶CVD合成金刚石材料达到至少1.3mm的厚度；并且冷却所述聚晶CVD合成金刚石材料以产生具有至少1.3mm厚度的聚晶CVD合成金刚石材料，在所述聚晶CVD合成金刚石材料的至少中心区域上的至少2000Wm-1K-1的通过所述聚晶CVD合成金刚石材料厚度的室温平均热导率，其中所述中心区域是所述聚晶CVD合成金刚石材料的总面积的至少70％，在所述聚晶CVD合成金刚石材料的至少中心区域上的单取代氮浓度不超过0.80ppm，并且其中所述聚晶CVD合成金刚石材料在其至少中心区域上是基本没有裂纹的，以致于所述中心区域没有与所述聚晶CVD合成金刚石材料的两个外部主面相交且延伸长度大于2mm的裂纹。
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