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公开(公告)号:CN112863978A
公开(公告)日:2021-05-28
申请号:CN202110278015.4
申请日:2021-03-15
申请人: 中国科学院上海应用物理研究所
摘要: 本发明公开了一种电子束引出窗及包含其的电子束发生器,该电子束引出窗包括:薄膜;窗体,窗体的中部设置有窗口;至少一个第一格栅单元,第一格栅单元包括第一格栅槽;至少一个第二格栅单元,第二格栅单元包括第二格栅槽,第一格栅单元与第二格栅单元间隔设置,且均位于窗口上,第二格栅单元相对于第一格栅单元沿扫描方向被配置于窗口的远端。该电子束引出窗利用了近端第一格栅槽长度短的优点,便于薄膜上的热量快速传导至窗体,同时,窗口被第一格栅单元和第二格栅单元分割,使得第二格栅槽的长度变短,有利于第二格栅单元中部的热量传导至窗体的边缘,延长薄膜及电子束引出窗的使用寿命。
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公开(公告)号:CN106029110B
公开(公告)日:2019-08-23
申请号:CN201580009494.2
申请日:2015-01-21
申请人: 利乐拉瓦尔集团及财务有限公司
摘要: 一种用于给包装容器(2)杀菌的杀菌装置,该杀菌装置包括用于支撑多个杀菌设备(50)的第一旋转传送器(20)和用于输送所述包装容器(2)的输送系统,所述杀菌设备(50)适于通过电子束照射给所述包装容器(2)的内部杀菌,所述输送系统包括与所述第一旋转传送器(20)共轴的第二旋转传送器(40),其中所述第一旋转传送器(20)包括第一旋转轴件(28)且所述第二旋转传送器(40)包括与所述第一旋转轴件(20)共轴的单独的第二旋转轴件(44)。
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公开(公告)号:CN116504602A
公开(公告)日:2023-07-28
申请号:CN202310722006.9
申请日:2023-06-19
申请人: 四川杰诺创科技有限公司
IPC分类号: H01J37/07 , H01J37/075
摘要: 本发明公开了一种用于磁控注入电子枪的返流电子抑制器件,涉及磁控注入电子枪反流电子抑制领域,其包括套设在电子枪阴极上的直角结构遮挡电极,以及套设在直角结构遮挡电极前端的遮挡块;直角结构遮挡电极的电压与电子枪阴极相同;直角结构遮挡电极的直角与阴极发射带中心的水平距离为48 mm,直角结构遮挡电极的直角高度大于等于6mm;遮挡块的右端与阴极发射带中心的水平距离为34 mm,遮挡块的高度大于等于5mm。本发明能有效抑制返流电子向电子枪前端运动,防止返流电子击打在电子枪前端的陶瓷上,保障了回旋行波管的长时间稳定安全工作。
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公开(公告)号:CN111048383A
公开(公告)日:2020-04-21
申请号:CN201811190768.4
申请日:2018-10-12
申请人: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
IPC分类号: H01J37/06 , H01J37/065 , H01J37/07
摘要: 本公开提供了一种电子源,该电子源包括:一个或多个针尖,其中,至少一个针尖包括一个或多个固定的发射点,所述发射点包括针尖表面的金属原子与气体分子形成的反应产物,本公开还提供了一种电子枪。
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公开(公告)号:CN108541332A
公开(公告)日:2018-09-14
申请号:CN201680079171.5
申请日:2016-10-13
申请人: 阿卡姆股份公司
发明人: M.法格
IPC分类号: H01J37/075 , H01J37/07 , B22F3/105 , B29C67/00 , B33Y10/00 , B22F3/10 , B33Y30/00 , H01J29/46 , B23K15/02 , B29C64/153 , B23K15/00 , H01J37/24 , B33Y50/02 , H01J37/317 , B29C64/393
摘要: 本发明涉及一种通过接连地沉积粉末材料的单独层而形成三维物品的方法,所述粉末材料的单独层被熔融在一起以便形成物品,其包括操作包括阴极(102)、栅极(104)以及阳极(106)的三极电子射束源的方法,具有如下步骤:(a)将电子射束电流、阴极加热功率、栅极电势Ug和阴极电势Uc设置到预定的起始值;(b)减小阴极加热功率并且降低Ug-Uc电势差以用于维持预定的电子射束电流;(c)利用至少一个X射线检测器(190)来检测发源自电子射束源的X射线信号;(d)重复所述减小和检测步骤直到所检测的X射线信号高于预定值为止;以及(e)使阴极加热功率在导致高于所述预定值的X射线信号的加热功率值之上增加预定安全值。从而确定了最低可接受的阴极加热功率而不影响电子射束电流,并且因而延长了阴极元件的寿命时间。
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公开(公告)号:CN114937585A
公开(公告)日:2022-08-23
申请号:CN202210698168.9
申请日:2018-04-10
申请人: ASML荷兰有限公司
IPC分类号: H01J37/065 , H01J37/067 , H01J37/07 , H01J37/10 , H01J37/244 , H01J37/317 , H01J37/04 , H01J1/88 , H01J3/02 , G03F7/20
摘要: 本发明涉及一种用于产生和发射带电粒子束的带电粒子源模块,包括:框架,包括第一框架部分、第二框架部分以及布置在第一框架部分和第二框架部分之间的并且刚性地连接至它们的一个或多个刚性支撑构件,框架包括安装构件,安装构件通过挠曲连接件而连接到第二框架部分;用于产生带电粒子束的带电粒子源装置,其中带电粒子源装置被布置在第二框架部分处,包括:发射器装置,被配置用于发射带电粒子;以及电极,用于从由发射器装置发射的带电粒子形成带电粒子束;和布置在第一框架部分处的电力连接组件,电力连接组件刚性地连接到第一框架部分,并且带电粒子源装置刚性地连接到第二框架部分,其中带电粒子源装置经由电线电连接至电力连接组件。
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公开(公告)号:CN107256819B
公开(公告)日:2019-02-12
申请号:CN201710456645.X
申请日:2017-06-16
申请人: 上海集成电路研发中心有限公司
IPC分类号: H01J37/07 , H01J37/20 , H01J37/317
摘要: 本发明公开了一种离子注入机的靶盘装置,包括靶盘平台和支撑架,支撑架的上端安装靶盘平台,用于放置待加工晶圆,高能离子束进入所述靶盘装置,入射在待加工晶圆上,实现离子注入工艺,其中,还包括石墨电极单元和供电单元,所述支撑架的下端安装石墨电极单元,所述石墨电极单元为中空结构,包括石墨电极和中空区域Ⅰ,所述石墨电极和所述供电单元连接。本发明提供的一种离子注入机的靶盘装置,放置硅片的靶盘面积小于硅片面积,同时在靶台后面放置石墨电极,并在其上施加一定电压,对轰击在其上的束流进行减速,从而避免高能离子束轰击靶盘装置的其他部件,产生二次污染离子和轰击产生的颗粒。
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公开(公告)号:CN106029110A
公开(公告)日:2016-10-12
申请号:CN201580009494.2
申请日:2015-01-21
申请人: 利乐拉瓦尔集团及财务有限公司
摘要: 一种用于给包装容器(2)杀菌的杀菌装置,该杀菌装置包括用于支撑多个杀菌设备(50)的第一旋转传送器(20)和用于输送所述包装容器(2)的输送系统,所述杀菌设备(50)适于通过电子束照射给所述包装容器(2)的内部杀菌,所述输送系统包括与所述第一旋转传送器(20)共轴的第二旋转传送器(40),其中所述第一旋转传送器(20)包括第一旋转轴件(28)且所述第二旋转传送器(40)包括与所述第一旋转轴件(20)共轴的单独的第二旋转轴件(44)。
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公开(公告)号:CN105874555A
公开(公告)日:2016-08-17
申请号:CN201480071807.2
申请日:2014-12-22
申请人: 迈普尔平版印刷IP有限公司
CPC分类号: H01J37/3174 , G03F7/70058 , H01J1/15 , H01J1/28 , H01J3/027 , H01J3/029 , H01J37/075 , H01J37/3177 , H01J2229/481 , H01J2237/061
摘要: 本发明涉及一种阴极配置(20),其包括:热离子阴极,其包括发射部分(30)和贮存器(38),该发射部分设置有用于发射电子的发射表面,该贮存器用于保留材料,其中,该材料在受热时释放功函数降低微粒,这些功函数降低微粒朝该发射部分扩散并且以第一蒸发速率从该发射表面处发出;聚焦电极(40),其包括聚焦表面,用以聚焦从该阴极的发射表面处被发射的电子;以及可调整的热源(50),其被配置成用以保持该聚焦表面在可防止功函数降低微粒累积在该聚焦表面上的温度。
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公开(公告)号:CN118414683A
公开(公告)日:2024-07-30
申请号:CN202280083655.2
申请日:2022-10-13
申请人: ICT半导体集成电路测试有限公司
发明人: P·阿达麦茨
IPC分类号: H01J1/304 , H01J37/07 , H01J37/073 , H01J3/02
摘要: 描述了一种电子显微镜(100)。电子显微镜包括用于产生电子束的电子源(110)、用于准直电子源下游的电子束的聚光透镜(130)和用于将电子束聚焦到样本(16)上的物镜(140)。电子源包括:冷场发射器,具有发射尖端(112);提取电极(114),用于从冷场发射器提取电子束(105)以沿光轴线(A)传播,提取电极具有被配置为第一射束限制孔的第一开口(115)、用于通过加热发射尖端(112)来清洁发射尖端的第一清洁布置(121)、以及用于通过加热提取电极(114)来清洁提取电极的第二清洁布置(122)。进一步描述了操作这种电子显微镜的方法。
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