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公开(公告)号：CN112209334B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202011088889.5
申请日：2020-10-13
申请人： 深圳迪致科技术有限公司
摘要： 本发明实施例公开了一种微孔制备方法，其具体包括提供待制孔的基材，且基材具有供印刷的印刷面，在印刷面上印刷耐腐蚀的第一保护层，且第一保护层上留有多个孔位，在印刷面上喷淋腐蚀液，以使腐蚀液穿过孔位腐蚀基材；采用本发明提供的微孔制备方法制备微孔，可精准控制微孔与其它微孔之间的距离，进而提高基材的合格率，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN118376810A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410480354.4
申请日：2024-04-22
申请人： 福州市福大微纳显示科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种集成Micro‑LED发光芯片的AFM探针及其制备方法，其中，AFM探针包括：基座，基座的一侧延展出有微悬臂梁，微悬臂梁远离基座的末端下侧刻蚀有针尖，微悬臂梁在针尖的相对侧表面设置有Micro‑LED发光芯片，Micro‑LED发光芯片用于朝四象限探测器发送光信号，以使四象限探测器将光信号转化为电信号进而检测待测物体的形貌。本发明对应的结构可以有效提高AFM探针的稳定性和灵敏度。
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公开(公告)号：CN115285930B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202210878799.9
申请日：2022-07-25
申请人： 武汉衷华脑机融合科技发展有限公司
摘要： 本发明公开了一种微针与排线倒焊连接结构及其制备工艺。该工艺通过制备微针的倒焊金属层、制备排线的倒焊金属层、将微针的倒焊金属层与排线的倒焊金属层对齐，按压形成倒焊接触的方式实现了微针与排线的倒焊连接，与传统的TSV工艺制备微针阵列相比，明显简化了工艺步骤，且能够实现信号的精准传输。通过本发明的工艺倒焊连接的微针和排线的焊接稳定性比传统TSV工艺制备得到的连接到一起的微针和排线的稳定性更高，使用寿命更长，故障率明显降低；触点的电学接触产生的欧姆电阻的阻值明显降低，明显提升了信号传输的稳定性和精准性。
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公开(公告)号：CN118125371A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410251264.8
申请日：2024-03-06
申请人： 杭州邦齐州科技有限公司
发明人： 张晓旭
摘要： 本发明属于有序微纳结构制备技术领域，具体涉及一种周期性金属纳米中空火山口结构模板及其制备方法和应用。本发明得到镀有金属膜层的基底后，在其上进行光刻处理，得到具有周期性结构的衬底。随后对该衬底进行反应离子刻蚀和去胶，即可得到周期较好的纳米火山口结构模板。本发明借助半导体生产的方法得到带有周期性结构的衬底，大幅减少了使用纳米球模板制备工艺时的缺陷，使获得的结构模板在亚波长尺度上周期性良好。本发明通过控制反应离子束刻蚀的条件直接调整所需结构的尺寸，缩短了制备时间，提升了加工效率。
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公开(公告)号：CN112591707B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202011482916.7
申请日：2020-12-15
申请人： 南方科技大学
摘要： 本发明涉及一种纳米锥形阵列结构及其制备方法，所述制备方法包括如下步骤：(1)利用超快激光对基底进行加工，之后清洗得到中间基底；(2)将步骤(1)得到的中间基底进行等离子体刻蚀，得到所述纳米锥形阵列结构。本发明提供的方法，采用超快激光在表面制备微纳结构，在等离子体刻蚀过程中并利用微掩模效应在微纳结构区域的增强效果，即利用现有技术中缺陷制备了高深宽比的纳米锥阵列结构，该方法兼容性好、制备区域灵活可控，可极大提升纳米锥阵列结构的制备工艺精度。
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公开(公告)号：CN117963829A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202311795066.X
申请日：2023-12-22
申请人： 嘉应学院
摘要： 本发明提供了一种三维纳米多孔微电极阵列及其制备方法，制备方法包括：步骤1、在透光层上依次沉积金属层和牺牲层；步骤2、使用激光透过透光层，并在金属层上形成延伸至牺牲层的三维合金微柱阵列；步骤3、进行脱合金处理，溶解牺牲层，同时溶解三维合金微柱阵列中的牺牲层组分，以使三维合金微柱阵列形成三维纳米多孔微柱阵列，以得到三维纳米多孔微电极阵列。本发明通过灵活运用激光微加工技术和脱合金方法，可以实现三维纳米多孔微电极阵列在微米尺度和纳米尺度上的高度可设计性和可控性，可以设计和制备出各式各样的三维纳米多孔微电极阵列，且生产条件要求低、成本低、适合规模生产，本发明可以同时兼顾可设计性与生产成本，满足实际需求。
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公开(公告)号：CN117839784A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410043515.3
申请日：2024-01-11
申请人： 大连海事大学
摘要： 一种基于微流控芯片的多孔介质材料及其制备方法，多孔介质材料通过在微流控芯片上控制纳米尺度球形颗粒聚集制备得到；微流控芯片由PDMS芯片与载玻片键合而成，PDMS芯片中设置有微通道，微通道中间段为缩放通道，缩放通道从入口到出口依次由聚集区域和圆弧微通道组成，圆弧微通道位于缩放通道中间段，并且通道内设置有微尺度球形颗粒，微尺度球形颗粒和圆弧微通道间产生四个亚微米孔，亚微米孔尺寸小于纳米尺度球形颗粒尺寸，从而阻挡纳米尺度颗粒通过，只允许液体通过，进而在聚集区域内沉积堆叠形成多孔介质层。本发明多孔介质材料的制备方法简单，成本低；多孔介质材料可应用于离子二极管中，实现基于微纳流控芯片离子电路中的离子电流整流技术。
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公开(公告)号：CN117819470A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311535256.8
申请日：2023-11-17
申请人： 贵州电网有限责任公司
发明人： 辛明勇 , 徐长宝 , 冯起辉 , 高吉普 , 王宇 , 祝健杨 , 杨婧 , 何雨旻 , 汪明媚 , 古庭赟 , 邓松 , 欧阳广泽 , 李博文 , 张后谊 , 谈竹奎 , 吕黔苏 , 余丙军
摘要： 本发明公开了一种金属微纳结构及其制备方法和应用，属于金属微纳结构技术领域，包括，在经过预处理的半导体材料表面刻出划痕；再将半导体材料浸入金属盐溶液中进行电镀，即得到金属微纳结构。本发明结合扫描探针刻划与电镀工艺，实现单晶硅表面纳米划痕处选择性制备金属结构。扫描探针刻划是一种无模板、接触式机械去除方法，可用于制造高精度的微/纳米结构，同时通过控制刻划不同的微/纳米结构，可实现金属微纳结构的无模板定向高精度制备。以本发明制得的金属微纳结构作为金属基基传感元件(平面线圈磁敏传感单元、叉指电极等)的核心组成部分可以达到优于现有技术的效果。
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公开(公告)号：CN113387323B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202110564032.4
申请日：2021-05-24
申请人： 杭州电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种基于电场控制Ag2Ga纳米针阵列成形的制备方法，包括步骤：S1、通过光刻、蚀刻以在第一硅基板表面阵列形成针尖结构；S2、在针尖结构的尖端处镀一层镉薄膜和银薄膜，以形成探针阵列硅基底；S3、在第二硅基板表面涂覆一层镓膜，并进行加热以使镓膜成为液态，以形成镓膜衬底；S4、将镓膜衬底滑动连接于水平滑轨上；S5、将探针阵列硅基底滑动连接于垂直滑轨上；S6、对镓膜衬底与探针阵列硅基底接通直流电源，以形成电场；S7、通过控制电场强度，以及镓膜衬底、探针阵列硅基底于水平滑轨、垂直滑轨上的滑动方向、滑动速度，以在探针阵列硅基底与镓膜衬底之间形成相应形状的Ag2Ga纳米针。本发明实现了Ag2Ga纳米针阵列成形且形状可控。
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公开(公告)号：CN117800281A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311834516.1
申请日：2023-12-28
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明属于柔性电子制备相关技术领域，其公开了一种PI仿生纳米结构及其制备方法与应用，该方法包括以下步骤：(1)在基板上制备PI膜，并采用紫外激光穿过所述基板后对PI膜进行扫描，使得激光扫描区域的界面发生纳米尺度空化以达到亚剥离态，此时PI膜与玻璃基板之间的界面产生纳米纤维连接；(2)在PI膜上粘贴热释放胶带，借助所述热释放胶带的外力辅助使得PI膜自玻璃基板上剥离；(3)对热释放胶带进行加热以完成PI膜的热释放，从而得到PI仿生纳米结构。本发明结合了激光扫描及热释放胶带，可以直接通过激光扫描，无需光刻步骤，具有操作步骤简单、环境污染小等特点，可适用于大面积生产。
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