公开(公告)号：CN116239380B

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202211536510.1

申请日：2022-12-02

申请人： 华中科技大学

发明人： 姜庆辉

IPC分类号： C04B35/495 ,  C04B35/497 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  H01S3/107 ,  G02F1/055

摘要： 本发明涉及功能陶瓷材料领域，具体涉及一种电控可变梯度折射率的电光透明陶瓷及其制备方法。本发明提供一种电控可变梯度折射率的电光透明陶瓷的制备方法，包括如下步骤：分别制备不同Ti摩尔含量的陶瓷基质粉体，并制备相应的陶瓷基质流延膜片；将获得的陶瓷基质流延膜片按照相应陶瓷基质粉体中Ti摩尔含量大小依次排序叠放在一起形成陶瓷基质流延层、之后对陶瓷基质流延层冷等静压成型、排胶、放电等离子体烧结、退火、抛光、极化得到所述电控可变梯度折射率的电光透明陶瓷。本发明提供的制备方法可制备得到了具有复合较高光电效应和梯度折射率效应的电控可变梯度折射率的电光透明陶瓷。

公开(公告)号：CN112062565A

公开(公告)日：2020-12-11

申请号：CN202010991507.3

申请日：2020-09-17

申请人： 广西大学

发明人： 彭彪林 ,  于芳

IPC分类号： C04B35/497 ,  C04B35/622

摘要： 本发明涉及一种PSINT基高熵陶瓷电卡制冷材料的制备方法，属于化学工程技术领域。一种PSINT基高熵陶瓷电卡制冷材料的制备方法，将原料与酒精球磨，研磨所得的混合粉烘干、压柱；所得的原料块煅烧合成，研磨后得到陶瓷颗粒；压制成陶瓷胚体；在所得陶瓷颗粒覆盖下烧结；退火，制得所需陶瓷材料。本制备方法可以在室温及以下得到较优异的电卡性能；同时，可以通过改变多元高熵原理、退火时间及温度控制陶瓷的结构与性能。本发明制备方法相对简单，是一种方便快捷的制备技术。

公开(公告)号：CN110950660A

公开(公告)日：2020-04-03

申请号：CN201910939492.3

申请日：2019-09-30

申请人： 西安工业大学

发明人： 林大斌 ,  苏勇铭 ,  周顺 ,  刘卫国 ,  蔡长龙 ,  张德强

IPC分类号： C04B35/497 ,  C04B35/622

摘要： 本发明涉及一种提高弛豫铁电薄膜介电和热释电性能的方法。现有铁电薄膜介电和热释电性能不高，通过A/B位掺杂改性的方式提高弛豫铁电薄膜介电和热释电性能。本发明依次包括下述步骤：一、制备PMN-PT前驱体溶液：二、利用稀土元素制备均匀掺杂稀土元素的PMN-PT前驱体溶液；三、将掺杂稀土元素PMN-PT前驱体溶液在Pt/TiO2/SiO2/Si基底上旋涂均匀，薄膜退火结晶得到掺杂稀土元素PMN-PT薄膜。本发明通过稀土元素掺杂，显著提高驰豫铁电PMN-PT薄膜介电和热释电性能。

公开(公告)号：CN107500764A

公开(公告)日：2017-12-22

申请号：CN201710675419.0

申请日：2017-08-09

申请人： 上海师范大学

发明人： 孙大志 ,  张志国 ,  田瑞 ,  何小玉 ,  焦珊 ,  严飒 ,  朱俊伟 ,  宋飞飞 ,  何小骏 ,  王艳许 ,  邵娜娜 ,  黄彦青 ,  陆洁

IPC分类号： C04B35/497 ,  C04B35/472 ,  C04B35/622 ,  H01F1/01 ,  H01F13/00

CPC分类号： C04B35/497 ,  C04B35/472 ,  C04B35/622 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/661 ,  H01F1/01 ,  H01F13/00

摘要： 本发明公开了一种铌镁酸铅-钛酸铅-铁酸铋多铁性陶瓷材料及其制备方法，包括铌镁酸铅(PMN)-钛酸铅(PT)为基,向其中添加铁酸铋的新型铁电铁磁复合陶瓷材料。该材料的化学组成为：(1-x)[(1-y)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3+yPbTiO3]+xBiFeO3，x＝0.01～0.05,y＝0.30～0.39；本发明的工艺简单、成本低廉,可以调控提高该材料的自发极化强度和磁学性能。该多铁性材料所使用的原料成本较低，制备工艺简单且易于保存和使用，多铁性磁电复合材料在室温下的显著磁电效应在传感器、换能器、滤波器、振荡器、存储器等方面有诸多应用。

公开(公告)号：CN107124880A

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：CN201480081189.X

申请日：2014-06-11

申请人： 法商圣高拜欧洲实验及研究中心 ,  国家科学研究中心

发明人： 沙利文·德维尔 ,  弗洛里安·布维尔 ,  亚当·史蒂文森

IPC分类号： C04B35/111 ,  C04B35/119 ,  C04B35/472 ,  C04B35/495 ,  C04B35/497 ,  C04B35/499 ,  C04B35/583 ,  C04B35/626 ,  C04B35/634 ,  C04B38/00 ,  H01M10/0562 ,  H01M8/1246 ,  B28B1/00

CPC分类号： C04B35/62655 ,  B28B1/007 ,  B28B1/26 ,  B28B11/04 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/111 ,  C04B35/119 ,  C04B35/472 ,  C04B35/495 ,  C04B35/497 ,  C04B35/499 ,  C04B35/583 ,  C04B35/6263 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/634 ,  C04B35/638 ,  C04B35/64 ,  C04B38/0605 ,  C04B2111/00387 ,  C04B2111/00853 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3255 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/36 ,  C04B2235/386 ,  C04B2235/442 ,  C04B2235/443 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/5292 ,  C04B2235/5296 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5472 ,  C04B2235/602 ,  C04B2235/608 ,  C04B2235/612 ,  C04B2235/767 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/787 ,  C04B2235/788 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  H01M8/1246 ,  H01M10/0562 ,  H01M2008/1293 ,  H01M2300/0071 ,  H01M2300/0074 ,  Y02E60/525 ,  Y02P70/56 ,  C04B35/00 ,  C04B38/0051 ,  C04B38/0058 ,  C04B38/0074 ,  C04B2235/3203

摘要： 本发明涉及一种方法，该方法包括以下步骤：a)制备粉浆，所述粉浆包括大于4％且小于50％的陶瓷颗粒且包括：b)第一粒状部分，其由中值长度为L’50的可取向的颗粒构成且占陶瓷颗粒的大于1％，和c)第二粒状部分，其中值长度D50不大于L’50的十分之一且占陶瓷颗粒的大于1％，基于陶瓷颗粒的总量按体积百分比计，第一粒状部分和第二粒状部分总共占全部陶瓷颗粒的大于80％；d)通过以比陶瓷颗粒的包封速度更低的速度移动固化前沿来取向凝固粉浆；e)消除所述块体的固化的液相的晶体；和f)可选地烧结。

公开(公告)号：CN101805187A

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：CN201010122405.4

申请日：2010-03-11

申请人： 西北工业大学

发明人： 樊慧庆 ,  陈秀丽

IPC分类号： C04B35/497 ,  C04B35/622

摘要： 本发明公开了一种铌锌酸铅陶瓷厚膜的制备方法，用于解决现有技术在制备铌锌酸铅陶瓷厚膜过程中的高温环境容易导致铅挥发的技术问题，其技术方案是将氧化铅、氧化锌、五氧化二铌放入高压釜中，加入去离子水制成氧化物悬浮液，用氢氧化钾调节pH值后，将钛片基底悬挂在悬浮液中，将高压釜放入井式炉中，升温速率至制备温度，保温后随炉冷却至室温，取出钛片基底，用去离子水冲洗至pH值为中性后，放入烘箱中烘干，得到以钛片为基底的铌锌酸铅陶瓷厚膜。由于采用低温软化学合成方法，即水热制备工艺，制备铌锌酸铅陶瓷厚膜，在低温下能够避开这类陶瓷热力学不稳定的缺点，得到性能良好的铌锌酸铅弛豫铁电陶瓷厚膜，且避免了铅元素的挥发。

公开(公告)号：CN1477079A

公开(公告)日：2004-02-25

申请号：CN03129371.9

申请日：2003-06-16

申请人： 浙江大学

发明人： 陈湘明 ,  胡星

IPC分类号： C04B35/495 ,  C04B35/497 ,  C04B35/48 ,  H01B3/12

摘要： 本发明的高介电常数微波介质陶瓷是以PbO、CaCO3、Fe2O3、Nb2O5及ZrO2组成的表达式为pPbO·qCaO·(p－x)(0.5Fe2O3·0.5Nb2O5)·(q+x)ZrO2的微波介质陶瓷，式中，40摩尔％≤p≤70摩尔％，30摩尔％≤q≤60摩尔％，p+q＝100摩尔％，0≤x≤0.5。该高介电常数微波介质陶瓷介电常数为90－150、同时具有低损耗(Qf＞3,000GHz)与近零温度系数。利用该微波介质陶瓷可使介质谐振器与滤波器等微波元器件适应进一步小型化的要求。同时，本发明提供的微波介质陶瓷亦可应用于高频陶瓷电容器或温度补偿陶瓷电容器等。因此，本发明在工业上有着极大的价值。

公开(公告)号：CN1442390A

公开(公告)日：2003-09-17

申请号：CN03115775.0

申请日：2003-03-13

申请人： 上海交通大学

发明人： 曾新华 ,  姚忻

IPC分类号： C04B35/497 ,  C04B35/653 ,  B01J19/16

摘要： 一种低熔点熔体作密封物质防止氧化铅挥发的方法，采用盐类或氧化物类等难挥发性低熔点物质熔化后形成的熔体来密封整个系统，将密封物质装入煅烧小坩埚外的浅形大坩埚中，并用密封坩埚和密封盖盖在小坩埚上，形成双层密封系统，升温到密封物质完全熔化形成密封后，再继续升温进行铅基铁电材料制备。本发明能有效防止铅基铁电材料制备过程中高温下氧化铅组分的挥发，并实现加料或过程中监测等工艺操作的控制。

公开(公告)号：CN118684493A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410830284.0

申请日：2024-06-25

申请人： 西安交通大学

发明人： 严永科 ,  金若其 ,  徐卓 ,  胡理情 ,  任晓丹 ,  张玉龙 ,  邱晨煜

IPC分类号： C04B35/497 ,  C04B35/626

摘要： 本发明公开了一种偏铌酸铅种晶的制备方法，包括如下步骤：将PbO和Nb2O5混合，得到混合粉末；将所述混合粉末与KCl混合，然后在850～1150℃下反应1～4h，得到反应物；将所述反应物水洗干燥得到偏铌酸铅种晶。该方法步骤简单，操作方便，可以在较短时间内制备出大量高质量的偏铌酸铅种晶，提高生产效率。本发明还公开了一种偏铌酸铅种晶，该偏铌酸铅种晶作为制备偏铌酸铅织构陶瓷的关键原料，显著提高陶瓷的性能和稳定性。本发明还公开了一种偏铌酸铅种晶用于制备偏铌酸铅织构陶瓷，该偏铌酸铅织构陶瓷的居里温度位于487～512℃，具有优异的耐高温性能。

公开(公告)号：CN116425539B

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202310388828.8

申请日：2023-04-12

申请人： 湘潭大学

发明人： 刘运牙 ,  陈寅炜 ,  山东良

IPC分类号： C04B35/497 ,  C04B35/622 ,  C04B35/638

摘要： 本申请公开了室温低电场高储能和高电卡钽钪酸铅陶瓷及有序度可控的制备方法，其中，室温低电场高储能和高电卡钽钪酸铅陶瓷有序度可控的制备方法包括：根据预设计量比称取氧化铅、氧化钽及氧化钪并混合，得到混合原料；将混合原料进行煅烧处理及预烧处理，得到纯钙钛矿相钽钪酸铅粉体，有效降低烧结温度，提高陶瓷成品率；对纯钙钛矿相钽钪酸铅粉体加入粘接剂，并依次经造粒、陈化、过筛、成型、排塑处理，得到陶瓷胚体；将陶瓷胚体在高温管式炉内直接烧结，得到室温低电场高储能钽钪酸铅陶瓷，随后进行退火处理，得到有序度可控的室温高电卡钽钪酸铅陶瓷。该方法具有烧结温度低、成品率高、工艺简单、设备成本低、可大规模制备等优势。