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公开(公告)号：CN118516736A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410655400.X
申请日：2024-05-24
申请人： 贵州建设职业技术学院 , 中国科学院地球化学研究所
摘要： 本发明提供了一种在高温高压条件下合成十字石单晶的方法，属于矿物单晶合成技术领域。本发明以SiO2粉末、Fe2O3粉末、Fe粉末、Al2O3粉末和水为初始原料，Fe2O3粉末用于提供铁元素，Al2O3粉末用于提供铝元素，SiO2粉末用于提供硅元素，水用于提供氢元素，同时通过在初始原料中加入Fe粉以及采用铁管作为样品管，为样品腔提供了还原环境，使得样品腔在高温高压条件下，可以将三价铁还原成二价铁，进而提供合成十字石单晶必不可少的二价铁，从而合成了十字石单晶。并且本发明提供的合成方法中试样处于密封环境中，不与杂质接触，得到的十字石单晶为纯净物，化学稳定性好，解决了目前十字石单晶生长困难的技术难题。
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公开(公告)号：CN116081636B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202211435030.6
申请日：2022-11-16
申请人： 广东工业大学
IPC分类号： C01B39/40 , B82Y40/00 , B82Y30/00 , C30B5/00 , C30B29/34 , C30B29/60 , B01J29/40 , B01J35/51 , B01J35/70 , B01J35/40 , C07C1/20 , C07C15/04 , C07C15/06 , C07C15/073 , C07C15/08 , C07C15/24 , C07C13/465
摘要： 本发明涉及分子筛领域，具体涉及一种富含晶间和晶内介孔的单晶纳米ZSM‑5分子筛的制备方法及其应用。本发明的制备方法为将模板剂、水、碱金属氢氧化物、铝源和硅源依次混合得到凝胶，再将凝胶进行两段晶化制得ZSM‑5分子筛，其中预晶化时补水以维持凝胶各组分的浓度。本方案利用两段晶化法促进晶核的形成，使分子筛晶粒大小降至纳米尺寸；采用预晶化时补水的工艺，使分子筛纳米晶有序排列成单晶结构且形成多级孔道。将两段晶化法与补水工艺相结合，可制得同时具有晶间和晶内介孔以及晶内微孔的单晶纳米ZSM‑5分子筛。本发明制备的ZSM‑5分子筛可应用于生物质与废塑料的催化共热解过程，具有优异的轻质芳烃选择性和抗积碳性能。
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公开(公告)号：CN117385466B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311319555.8
申请日：2023-10-12
申请人： 长春市泰元氟金云母有限公司
发明人： 李爽
摘要： 本发明涉及氟晶云母单晶体制备技术领域，具体公开了锅炉气包水位计用大尺寸氟晶云母单晶体的熔制方法，包括以下步骤：原材料制备：将高纯度氟金云母粉、正4目氟金云母片、高纯度镁砂、氟硅酸钾，进行破碎搅拌，再经高压旋流器破碎去杂质，烘干后待用，得到混合料。本发明采用双晶种下降法进行制备大尺寸氟晶云母单晶体，可以实现大尺寸氟晶云母高产量以及生长稳定的技术难题，同时制备的产品具有击穿强度、抗压、抗拉的力学强度性能的协调改进。
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公开(公告)号：CN117661121A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311599203.2
申请日：2023-11-27
申请人： 山东大学
摘要： 本发明公开了一种硅酸铋晶体压电切型及其应用，本发明提供的硅酸铋晶体压电切型具有高压电活性和低串扰响应的优势，同时具有良好的温度稳定性，在25～650℃温度范围内实现了稳定的信号输出，有利于提高压电传感器件的灵敏度和服役温度，在压电传感技术领域具有明朗的应用前景。本发明提供的硅酸铋晶体压电切型的加工方法简单，特别是厚度切变振动模态晶体切型，只需绕Y轴或Z轴旋转一次即可直接加工出最优晶体切型，样品制备简便。
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公开(公告)号：CN114000196B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202111289595.3
申请日：2021-11-02
申请人： 苏州晶采电子科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种硅酸镓镧系列晶体多晶料的制备方法，首先将可溶性镧镓原料溶解在有机酸中，再加入难溶氧化物纳米颗粒，通过搅拌、超声、研磨、浓缩得到多晶料前驱体；将多晶料前驱体进一步干燥后压块、高温烧结得到硅酸镓镧系列多晶料。本发明制备的多晶料具有均匀性好，结晶度高的特点，适合多组分原料烧结与多晶料制备，解决了多组分原料烧结过程中由于原料混合不均导致的固相反应不充分、多晶料结晶性差的问题，制备过程绿色环保，适合大规模生产。同时本发明在较低的温度下实现了固相反应充分完全，大大降低了晶体内部缺陷，可有效提高晶体的高温电阻率。
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公开(公告)号：CN117265663A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311279708.0
申请日：2023-10-07
申请人： 陕西师范大学
摘要： 本发明涉及一种氮氧化物硅酸盐二阶非线性光学晶体La3.6Ba1.7Si5N10O2.1及其制备与应用，该晶体的化学式为La3.6Ba1.7Si5N10O2.1，属于正交晶系，晶胞参数a=9.5193(3)Å、b=16.7011(5)Å、c=26.0279(8)Å，V=4138.01(2)Å3，Z=12。本发明的晶体La3.6Ba1.7Si5N10O2.1在1064 nm激光照射下其SHG强度为SiO2的2.3倍，且在1064 nm激光照射下能实现相位匹配，表明其在激光频率转换、光电调制、激光信号全息储存等领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN117107358A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202311301252.3
申请日：2023-10-07
申请人： 眉山博雅新材料股份有限公司
摘要： 本说明书实施例之一提供一种闪烁晶体及其生长方法、生长装置，闪烁晶体的分子式如下所示：其中，X由Ce组成，M由Ca、Mg、Sr、Mn、Ba、Al、Fe、Re、La、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Yb、Tm、Lu、Sc中的一个或以上组成，Q由O组成，N由Cl、F、Br、S中的一种或以上组成；且N中至少包括Cl；x＝0.0000001‑0.06，m＝0‑0.06，0≤z
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公开(公告)号：CN113862787B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202111141800.1
申请日：2021-09-28
申请人： 天津理工大学
摘要： 化合物硅酸铋铯非线性光学晶体及其制备方法和用途，该化合物的化学式为Cs6Bi6Si6O24，是将含铯、铋、硅的化合物原料混合并充分研磨，低温锻烧以除去原料中的水分、气体，增温继续锻烧，期间多次取出并研磨，冷却至室温，得到硅酸铋铯纯相；将所得化合物硅酸铋铯单相与助熔剂的混合物，升温化料获得均一的混合溶液，或直接将含铯化合物、含铋化合物和含硅化合物的混合物或含铯化合物、含铋化合物和含硅化合物与助熔剂的混合物升温达到熔融状态；利用铂金丝将硅酸铋铯籽晶缓慢下降至接触液面或液面以下进行回熔处理，然后降温至饱和温度以下或恒温生长，获得本发明产品。所得产品具有较宽的透过范围，且物理化学性质稳定，不易潮解，可制备倍频器件。
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公开(公告)号：CN115161759B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202210927077.8
申请日：2022-08-03
申请人： 湖北工业大学
IPC分类号： C30B1/02 , C30B1/10 , C30B29/34 , C30B29/62 , B09B3/35 , B09B3/40 , B09B101/55 , B09B101/60
摘要： 本发明提供了一种以固废前驱体低温制备高长径比防辐射莫来石晶须的方法，包括如下步骤：(1)干法研磨废陶瓷和铝渣，筛分后得到废陶瓷粉末a和铝渣粉末b；(2)湿磨处理a、b和硼泥c，筛分后得到纳米废陶瓷浆料A、纳米铝渣浆料B和纳米硼泥浆料C；(3)按(A+C):B摩尔比为1:2～1:4称取浆料，混合后煅烧；(4)水洗、抽滤、干燥；(5)经HF溶液腐蚀后稀释，干燥并加入聚丙烯酸铵分散剂溶液，超声分散，得到莫来石晶须。本发明通过硼泥助熔及中子屏蔽作用、固废中的CaO、Na2O和纳米级物质等，在降低液相形成温度条件下，可制备出分散性良好的高长径比防辐射莫来石晶须，具有成本低廉、环境友好、工艺简单等优点。
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