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公开(公告)号：CN118795721A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410415427.1
申请日：2024-04-08
申请人： 信越化学工业株式会社
摘要： 本发明提供一种能够简便地评估基准标记的加工精度(例如深度)的EUV掩膜坯料的评估方法。一种形成于EUV掩膜坯料的基准标记的评估方法，拍摄形成于所述EUV掩膜坯料的基准标记并获取基准标记图像，根据该获取到的基准标记图像获取作为所述基准标记与背景水平的对比度的基准标记对比度，通过该获取到的基准标记对比度评估所述基准标记的加工精度。
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公开(公告)号：CN115494695B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202211047725.7
申请日：2022-08-30
申请人： 广州新锐光掩模科技有限公司
摘要： 本申请提供了一种修正光掩模图形位置偏差的设备及方法，属于光掩模技术领域，具体包括上盖板和下盖板，上盖板和下盖板之间通过上盖板支柱连接，上盖板下侧设有光掩模，光掩模通过光掩模支柱固定于下盖板上，光掩模下侧设有保护膜边框，保护膜边框内设有保护膜，保护膜边框通过保护膜支柱固定于下盖板上，上盖板支柱、光掩模支柱和保护膜支柱均设置为可伸缩结构；保护膜边框的外周设有控制棒，控制棒远离保护膜边框的一端连接有微距控制组件，微距控制组件用于控制控制棒带动保护膜边框进行移动；设备还包括控制系统，与设备内的各个部件连接进行控制。本申请提高了光掩模图形位置准确性和芯片良率。
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公开(公告)号：CN118377187A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410539987.8
申请日：2024-04-30
申请人： 物元半导体技术(青岛)有限公司
摘要： 本发明涉及一种套刻标记结构及套刻补偿方法旨在解决现有套刻标记在工艺变化中的脆弱性和量测效率问题；套刻标记结构包括第一套刻标记图案和第二套刻标记图案，分别位于基底的当前层和参考层，当光束照射时，图案投影至同一平面形成第一曝光图形和第二曝光图形，同一方向上，第一曝光图形的第一子单元尺寸大于第二子单元的尺寸，在对准后，通过量测第一曝光图形与第二曝光图形的中心在第一方向和第二方向上的偏移量以得出补偿数据，并根据补偿数据调整曝光机台，提高测量的适应性和精度，减少光罩上套刻标记数量，降低制造成本。
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公开(公告)号：CN118131526A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410460684.7
申请日：2024-04-17
申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： G02F1/1335 , G03F1/42
摘要： 本发明公开了彩膜基板及其制作方法、掩膜版、显示面板及显示装置，该彩膜基板具有色阻区和围绕所述色阻区的周边区，彩膜基板包括：衬底基板；黑矩阵位于所述衬底基板的一侧；所述黑矩阵在所述周边区包括环绕所述色阻区设置的多个第一辅助条和多组对位标记，同一组对位标记位于距所述色阻区最远的第一辅助条远离所述色阻区的一侧，所述多组对位标记位于所述色阻区的不同侧；其中，所述第一辅助条用于稳固所述周边区对应的盒厚；距所述色阻区最远的第一辅助条在靠近对应组对位标记的预设区域内图形连续、且线宽均匀一。
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公开(公告)号：CN113608413B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202110890873.4
申请日：2017-09-20
申请人： 株式会社尼康
摘要： 用在微型元件的制造产线的测量系统(5001)，与曝光装置独立设置。测量系统(5001)具备：多个测量装置(1001～1003)，分别进行对基板(例如经由至少一个程序处理后且涂布感应剂前的基板)的测量处理；及搬送系统，用以与多个测量装置进行基板的移交。多个测量装置，包含在第1条件的设定下取得形成于基板的多个标记的位置信息的第1测量装置(1001)、及在第1条件的设定下取得形成于另一基板(例如与于第1测量装置在第1条件的设定下进行位置信息的取得的基板相同的批次所包含的另一基板)的多个标记的位置信息的第2测量装置(1002)。
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公开(公告)号：CN118050952A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410276730.8
申请日：2024-03-12
申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要： 本发明公开了一种第零层共板的掩模版组件，第零层掩模版同时设置第零层对准标记和第一外部套刻标记并为各产品共用的掩模版。产品掩模版为对应的产品所特有的掩模版。在各产品掩模版上都包括第一设置区，第一设置区和第零层掩模版的第零层对准标记和第一外部套刻标记的区域位置相对应。在各产品掩模版上还设置有第一内部套刻标记，第一内部套刻标记位于第一设置区中，第一内部套刻标记和第一外部套刻标记排布在一起形成一组套刻标记。本发明还公开了一种使用第零层共板的掩模版组件的光刻方法。本发明能减少第零层掩模版的工艺成本。
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公开(公告)号：CN118050951A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202211432021.1
申请日：2022-11-16
申请人： 中国科学院光电技术研究所
摘要： 本公开提供一种多点检平调平方法及装置，方法包括：利用承片台支撑并带动硅片移动至承片台的目标区域；利用间隙传感器阵列中的至少三个间隙传感器分别发射信号经掩模的非图形区域通过掩模至目标区域硅片上的测点，分别测量掩模到测点的距离；根据至少三个间隙传感器的位置和每一间隙传感器测得的掩模到测点的距离，计算待调平平面的平面系数；根据平面系数计算硅片相对于掩模的旋转角度；根据旋转角度对硅片进行调平。该方法及装置提高了检平调平精度，从而提高了硅片的曝光精度，并且，掩模的兼容性更好，适应性更好。
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公开(公告)号：CN113703278B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202110794379.8
申请日：2021-07-14
申请人： 长鑫存储技术有限公司
发明人： 刘文奇
摘要： 该发明公开了一种具有套刻标记的掩膜版，包括：本体和位于所述本体上的套刻标记结构，所述套刻标记结构包括第一标记图案和第二标记图案，所述第一标记图案包括多个子套刻图案，所述第二标记图案环绕所述第一标记图案设置且包括多个仿真图案，每个所述仿真图案包围所述第一标记图案的至少一个拐角。根据本发明实施例的具有套刻标记的掩膜版，能够避免套刻标记的边缘损坏，提高套刻对准效果。
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公开(公告)号：CN117970741A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202211306607.3
申请日：2022-10-24
摘要： 本申请提供一种拼接产品的光罩及在线检测并调控层间对准情况的方法，所述光罩包括：至少两个功能不同但尺寸相同的曝光单元区；其中至少一个所述曝光单元区中设置有用于在线检测层间对准情况的套刻精度标识，且所述套刻精度标识位于所述曝光单元区的芯片区；以任意一个具有套刻精度标识的曝光单元区作为在线检测层间对准情况时的量测单元以及作为反馈调控时的调控单元。所述光罩可以在线检测并调控拼接产品的层间对准情况，进而实现拼接产品工艺的稳定性。
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公开(公告)号：CN117806126A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202211176680.3
申请日：2022-09-26
申请人： 瀚宇彩晶股份有限公司
IPC分类号： G03F7/20 , G03F9/00 , G03F1/42 , G02F1/1333 , G02F1/1335
摘要： 本发明提出一种光学基板结构与其制造方法。制造光学基板结构的方法包含：在基板上形成光阻层；使用曝光机对光阻层进行接续式曝光工艺。曝光机中的光罩包含第一图案区、第一对位标记、第二对位标记以及第二图案区。第一对位标记以及第二对位标记设置于第一图案区周围。接续式曝光工艺包含：遮蔽光罩中位于两图案区之间的第二对位标记以及第二图案区，以第一图案区、第一对位标记以及其余的第二对位标记对光阻层曝光；以及遮蔽第一图案区、第一对位标记以及第二对位标记，以第二图案区对光阻层曝光；以及对经曝光后的光阻层进行第一显影工艺。借此可进行对位校正。
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