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公开(公告)号：CN118981067A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411476936.1
申请日：2024-10-22
申请人： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
摘要： 本发明涉及光学器件精密制造技术领域，具体涉及一种改善垂直度的光栅复制装置及方法，装置具体包括激光器、半反半透镜、光栅搭载装置和显示平面，激光器用于发射激光束；半反半透镜倾斜设置于激光器的前方，半反半透镜用于对激光束进行分束以产生反射光线和透射光线；光栅搭载装置用于搭载母版光栅，光栅搭载装置设置于反射光线的方向上，以使反射光线能够发射到母版光栅的表面；显示平面设置于半反半透镜的前方，显示平面用于接收反射光线在母版光栅表面产生的衍射光和透射光线。由此，能够在复制光栅工艺过程中实时校正母版光栅的刻线与基准面是否垂直，并对母版光栅的多维度位姿进行调整，从而提高成品复制光栅的检测校正效率与合格率。
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公开(公告)号：CN118974652A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202380031139.X
申请日：2023-03-31
申请人： 卡尔蔡司SMT有限责任公司
摘要： 一种驱动装置(100)，用于驱动和测量致动器(200)，致动器用于致动光学系统(300)的光学元件(310)，驱动装置包括：驱动单元(110)，其具有频率相关第一转移函数(G1)，第一转移函数(G1)配置成放大具有至少第一频率范围(F1)和第二频率范围(F2)的时间相关AC电压信号(W)，以形成用于致动器(200)的驱动电压(AS)，使得第一频率范围(F1)相对于第二频率范围(F2)以特定因子经受更高的增益；电压测量单元(120)，其用于提供测量电压(U)并配置为在时域中将致动器(200)的时间相关电压(u)与第二转移函数(G2)进行卷积运算，第二转移函数(G2)基于第一转移函数(G1)的反函数，随后所述测量时间相关电压以提供测量电压(U)；以及电流测量单元(130)，其用于提供测量电流(I)并配置为在时域中将致动器(200)的时间相关电流(i)与第三转移函数(G3)进行卷积运算，第三转移函数(G3)基于第一转移函数(G1)的反函数，以及配置为随后测量时间相关电流以提供测量电流(I)。
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公开(公告)号：CN118962877A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411028373.X
申请日：2024-07-29
申请人： 惠州视维新技术有限公司
IPC分类号： G02B5/124 , G03F7/00 , G02F1/13357 , F21V8/00 , B29D11/00 , C08L69/00 , C08L83/10 , C08K3/22 , C08K3/36
摘要： 本申请实施例提供一种反射片及其制作方法、背光模组及显示装置。反射片包括反射基层、微结构层和柔性包覆层；其中，微结构层设于所述反射基层的一侧，柔性包覆层设于微结构层背离反射基层的一侧，微结构层能够增强光线的反射，从而提高反射片的反射率，柔性包覆层设置于微结构层的表面，能够对微结构层中的第一微结构进行保护，当本申请的反射片应用于背光模组中时，柔性包覆层还能够对设置于反射片上方的光学部件进行保护，从而避免反射片中的微结构层对光学部件的表面造成磨损或者破坏，进而可以提升背光模组的出光效果，减少暗影的产生，从而可以提升应用该背光模组的显示装置的显示效果。
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公开(公告)号：CN118962863A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411127278.5
申请日：2024-08-16
申请人： 中国科学院半导体研究所
摘要： 本公开提供一种基于超薄SiN薄膜的超表面或超透镜结构及其制备方法和应用。该基于超薄SiN薄膜的超表面或超透镜结构的制备方法包括：提供支撑基底；在支撑基底正面和背面分别淀积SiN薄膜；在支撑基底的背面形成背面掩模结构和对准标记，在支撑基底的正面形成正面对准标记；对支撑基底正面的SiN薄膜形成超表面或超透镜微纳结构阵列；腐蚀背腔至正面SiN薄膜，烘干后得到高透过率的超表面或超透镜结构。利用本发明，通过超表面或超透镜微纳结构阵列，实现0~2π相位覆盖，以完全调控波前，实现紫外光、可见光和红外光等波段超表面或超透镜，解决现有短波长波段超表面或超透镜不能实现超薄，不能与CMOS工艺兼容，难以与光纤和光衰减器等微型光学器件集成的问题。
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公开(公告)号：CN118938613A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410997185.1
申请日：2024-07-24
申请人： 厦门美日丰创光罩有限公司
摘要： 本发明涉及一种PSM制程中去除铬残留的蚀刻方法，其是在ICP机台内完成主蚀刻制程后，将偏置电压调节为，仅使用化学蚀刻将中心的Cr残留去除，由于单纯的化学蚀刻由于仅有化学反应，氯氧电浆对于Mosi层和二氧化硅层的时刻速率远小于蚀刻Cr的速率，因此采用此种蚀刻搭配可以在保证Mosi层的相位和穿透都符合要求的前提下，将中心的Cr残留去除，保证产品品质的完整性。
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公开(公告)号：CN118938603A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411296105.6
申请日：2024-09-14
申请人： 清华大学 , 上海清华国际创新中心
摘要： 本发明公开了聚碲氧烷在非化学放大光刻胶中的应用，该聚碲氧烷具有Te‑O链。其中Te元素对EUV的高吸收以及特殊的Te‑O主链，旨在实现优异的UV光刻(I‑line、KrF、ArF等)、电子束光刻和EUV光刻性能，尤其是解决兼顾高灵敏度、高分辨率、低线边缘粗糙度的EUV光刻胶难题。
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公开(公告)号：CN118938371A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411010504.1
申请日：2024-07-26
申请人： 苏州五方光电材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种滤光片，依次包括应力平衡膜层、光学膜层和基材，所述应力平衡膜层和光学膜层位于所述基材的同一侧且光学膜层位于所述应力平衡膜层和基材之间，所述应力平衡膜层用于平衡所述光学膜层的应力对滤光片造成的影响。本发明的滤光片，通过设置应力结果相反的光学膜层和应力平衡膜层，使得应力平衡膜层平衡光学膜层的应力对滤光片造成的影响，有效提升滤光片的光学参数和效果。
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公开(公告)号：CN114269802B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202080059159.4
申请日：2020-07-21
申请人： 富士胶片株式会社
IPC分类号： C08F265/06 , C08F220/36 , C08F285/00 , C08F220/06 , C08F220/18 , G03F7/004 , G03F7/027 , G03F7/00
摘要： 本发明提供一种具有式(1)所表示的接枝结构的树脂、上述树脂的固化性组合物及固化物、具备上述固化物的滤色器或具备上述滤色器的固体成像元件或图像显示装置及新型高分子化合物。式(1)中，P1表示聚合物链，X1表示原子数3以上的长度的亚烷基，L表示单键或二价的连接基，*表示与包含主链的结构的连接位置。P1‑S‑X1‑L‑* (1)
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公开(公告)号：CN118892384A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202411390561.7
申请日：2024-10-08
申请人： 上海视科新工医疗器械有限公司
摘要： 本发明公开了一种人工角膜，包括镜柱和支架，镜柱包括镜柱上段和镜柱下段，镜柱上段和镜柱下段为分立的部件，镜柱上段和镜柱下段都安装在支架上，且镜柱上段与支架可拆卸的连接；镜柱上段设置在镜柱下段的上部，镜柱上段的底部与镜柱下段的顶部抵接；镜柱上段顶部为外凸面，镜柱下段底部为内凹面。
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