公开(公告)号：CN101040358B

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN200580035410.9

申请日：2005-11-09

申请人： 英特尔公司

发明人： R·邓顿

IPC分类号： H01J1/00 ,  G07C9/00

CPC分类号： H03J1/0025 ,  G07C9/00158

摘要： 一种方法包括提供遥控单元来允许用户在离某电子设备某一距离时将控制信号发送至该电子设备。该方法还包括通过该遥控单元来检测该用户的生物统计特征。

公开(公告)号：CN101673646B

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN200910170501.3

申请日：2009-09-04

申请人： 佳能株式会社

发明人： 高田裕子 ,  伊庭润

IPC分类号： H01J1/00 ,  H01J1/316

CPC分类号： H01J31/127 ,  H01J1/3046 ,  H01J29/04 ,  H01J29/467

摘要： 本发明目的在于提高包括层叠型电子发射装置的电子束设备中的电子发射效率。为了实现上述目的，提供了：绝缘组件，在其表面上具有凹部；阴极，其布置为跨该绝缘组件的侧表面和该凹部的内表面；栅极，其布置得与该阴极相对；和突出部分，其形成在该栅极上。在该构造中，布置在凹部内部的阴极的低电位表面从入口朝着凹部的内部向栅极侧倾斜。

公开(公告)号：CN1950919B

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200580010561.9

申请日：2005-03-23

申请人： 皇家飞利浦电子股份有限公司

发明人： G·哈泽尔霍尔斯特 ,  M·哈克 ,  J·阿德里亚恩森 ,  F·M·J·德普雷斯

IPC分类号： H01J1/00

CPC分类号： H01J61/0732 ,  H01J9/28 ,  H01J61/36

摘要： 本发明介绍了一种发光灯(1)，包括放电腔(2)，包含密封部分(4、5)封入放电腔(2)中的气体；一对电极柱(6、7)，各电极柱的一部分从密封部分(4、5)进入放电腔(2)；因此，至少部分位于密封部分(4、5)的缠绕件(8、9)围绕至少一个电极柱(6、7)自由缠绕，并通过设置在电极柱(6、7)纵轴上的多个保持件(P1、P2、P3、P4)限制其移动。

公开(公告)号：CN100585780C

公开(公告)日：2010-01-27

申请号：CN200710084952.6

申请日：2007-02-17

申请人： 三星SDI株式会社

发明人： 安商爀 ,  李相祚 ,  诸柄佶 ,  全祥皓 ,  洪秀奉 ,  赵珍熙

IPC分类号： H01J29/02 ,  H01J29/04 ,  H01J29/46 ,  H01J3/02 ,  H01J1/00 ,  H01J31/12

CPC分类号： H01J31/127 ,  H01J1/304 ,  H01J3/021 ,  H01J29/467 ,  H01J29/481 ,  H01J2203/0204 ,  H01J2203/022 ,  H01J2203/0248 ,  H01J2329/041 ,  H01J2329/4617 ,  H01J2329/4647

摘要： 本发明公开了一种电子发射装置，其包括基板，形成在所述基板上的第一电极，电连接到所述第一电极的电子发射区域，以及位于所述第一电极之上的第二电极，使得所述第二电极与所述第一电极绝缘。所述第二电极含有开口以暴露所述电子发射区域。第三电极位于所述第二电极之上使得所述第三电极与所述第二电极绝缘。所述第三电极含有与所述第二电极的开口连通的开口。各个所述电子发射区域和所述第二电极同时满足以下条件：D2/D1≤0.579(1)，以及D2≥1μm (2)。其中D1表示所述第二电极的每个开口的宽度，D2表示每个所述电子发射区域的宽度。

公开(公告)号：CN101044584A

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN200580029183.9

申请日：2005-08-29

申请人： 世界产权公司

发明人： 大卫·G·皮雷斯

IPC分类号： H01J1/00 ,  H01J1/62 ,  H05B33/10

CPC分类号： H05B33/10

摘要： 使用两步骤蚀刻，向EL板的前电极提供接入，该EL板是从更大的EL板切割的。该两步骤蚀刻产生使后电极(18)与前电极(12)在电上隔离的向后移动(52)，并能使导电层(65)容易地淀积在前电极上。一种工具箱，包含实施该方法所必须的材料和教程。

公开(公告)号：CN1981356A

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：CN200580004141.X

申请日：2005-02-02

申请人： 切夫里昂美国公司

发明人： J·E·达尔 ,  R·M·卡尔森 ,  刘升高

IPC分类号： H01J1/00 ,  H01J1/02

摘要： 本发明公开了新型的含杂类金刚石的场致发射器件(FED)。在本发明的一种实施方案中，所述杂类金刚石的杂原子包括给电子物种(如氮)，作为所述场致发射器件的阴极或电子发射元件的部件。

公开(公告)号：CN1747100A

公开(公告)日：2006-03-15

申请号：CN200510102537.X

申请日：2005-09-08

申请人： 精工爱普生株式会社

发明人： 竹内启佐敏

IPC分类号： H01J1/00 ,  H01J61/92 ,  H01J61/073 ,  H05B41/24

摘要： 在放电管中能够实现放电效率提高及辉度稳定，此外能够提高光传播效率。此外，提供向放电灯供给具有频率成分的能量并产生接近于直流光源的点亮状态的技术。放电管利用多相驱动电路进行驱动，其具备内部具有放电空间的放电容器、以及固定在放电容器上并且与多相驱动电路的各相对应的多个电极。多个电极的各自的尖端向上述放电空间内突出并且指向1个指定的结合点，多个电极都相对于包含指定的结合点的指定的平面位于一侧。此外，在具有该放电管的放电灯上具有3个电极，在各个电极间能够进行放电。当放电灯在最大输出时，按照使3个电极端子间电压VeAB、VeBC、VeCA之中的至少1个成为放电区域的方式将电压施加给电极端子。

公开(公告)号：CN1216398C

公开(公告)日：2005-08-24

申请号：CN03112818.1

申请日：2003-02-11

申请人： 东南大学

发明人： 张晓兵 ,  雷威

IPC分类号： H01J29/46 ,  H01J9/02 ,  H01J1/00

摘要： 低调制电压动态范围的场发射门电极和调制电极组件，涉及场发射器件、场发射显示器件，特别是通过改变场发射器件的结构实现低调制电压动态范围的结构。该结构中，采用在平整的介质平板12上开漏斗形孔13作为电子通道，在介质板12上漏斗形孔13的大孔一面制作门电极14，在小孔一面制作调制电极15，在门电极14的表面设有介质层17，使在门电极14控制下阴极发射电子18打在门电极14上的介质层17或漏斗形孔内壁16上产生二次电子，二次电子在调制电压的作用下，其通过孔的电子受到调制，能克服阴极发射单元的均匀性问题，降低电子能量，达到低调制电压动态范围的目的。

公开(公告)号：CN1602563A

公开(公告)日：2005-03-30

申请号：CN02824545.8

申请日：2002-10-09

申请人： 等离子控制系统有限责任公司

发明人： J·D·埃文斯 ,  P·A·普日比尔

IPC分类号： H01Q1/12 ,  H01J1/00

CPC分类号： H01J37/32128 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32522 ,  H01Q7/00 ,  H01Q21/205 ,  H05H1/46

摘要： 公开了用于产生高密度等离子体的方法和系统的部分的一种RF驱动电路和正交的天线组件/布置。该天线组件(105，115，110，120)是正交天线系统，该系统可以由具有适当阻抗匹配的任意RF产生器/电路系统(125，130)驱动来提供低输出阻抗。所公开的RF驱动电路使用开关类型放大器元件并且提供低输出阻抗。所公开的低输出阻抗RF驱动电路省略了对于干扰与等离子体相关的该固有阻抗变化的匹配电路。还公开了选择电容和电感值来提供用于该RF等离子体源的调谐。

公开(公告)号：CN1114712C

公开(公告)日：2003-07-16

申请号：CN00120000.3

申请日：2000-07-05

申请人： 日矿金属株式会社

发明人： 小野俊之

IPC分类号： C22C38/18 ,  C22C38/08 ,  H01J29/48 ,  H01J1/00

CPC分类号： H01J29/02 ,  C22C38/44 ,  C22C38/58

摘要： 按重量%计，由Cr：15～20%、Ni：9～15%、C：0.12%以下、Si：0.005～1.0%、Mn：0.005～2.5%、P：0.03%以下、S：0.0003～0.0100%、Mo：2.0%以下、Al：0.001～0.2%、O：0.003%以下、N：0.1%以下、Ti：0.1%以下、Nb：0.1%以下、V：0.1%以下、Zr：0.1%以下、Ca：0.05%以下、Mg：0.02%以下，余量为Fe和不可避免的杂质组成的Fe-Cr-Ni系适于电子枪电极用合金材料。