公开(公告)号：CN118715589A

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202280053874.6

申请日：2022-06-23

申请人： 电化株式会社 ,  国立研究开发法人物质·材料研究机构

发明人： 茶谷洋光 ,  石川大介 ,  唐捷 ,  大久保忠胜 ,  唐帅 ,  埋桥淳 ,  宝野和博

IPC分类号： H01J37/06 ,  H01J9/02 ,  H01J9/04 ,  H01J1/148

摘要： 本公开文本涉及的电子源的制造方法包括：(A)从电子发射材料的块材中切出芯片的工序；(B)将芯片的第一端部固定于支承针的前端的工序；和(C)使芯片的第二端部变尖的工序。(A)工序包括通过离子束对块材的表面的照射而在块材中形成构成芯片的第一面及第二面的第一槽及第二槽。芯片的第一端部包含所成的角度α为10～90°的第一面和第二面。(B)工序包括在支承针的前端与芯片的第一端部之间形成接合部。

公开(公告)号：CN118675959A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202410685486.0

申请日：2024-05-30

申请人： 延边大学

发明人： 高俊妍 ,  朴红光 ,  田莲花 ,  马晓萍

IPC分类号： H01J1/144 ,  H01J1/146 ,  H01J9/04

摘要： 一种高熵合金强化的镧钨阴极及其制备方法，属于热阴极技术领域。具体涉及一种La2O3负载的高熵合金(W‑Ir‑Os‑Re‑Ru)前驱粉体及其阴极的制备方法，前驱粉体中高熵合金晶粒为载体，La2O3负载在载体上，质量分数为2％～10％，通过一步式原位合成法获得了准球形纳米级La2O3在高熵合金晶粒表面形成光滑的均匀的超薄的包覆层粉体。本发明得到的阴极具有以简单Hcp固溶体为主的组织结构，具有高温稳定性、高的电流发射密度等优点。

公开(公告)号：CN113066707B

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202110301401.0

申请日：2021-03-22

申请人： 上海璞丰光电科技有限公司

发明人： 杜恒山

IPC分类号： H01J1/13 ,  H01J9/04 ,  H01J1/62

摘要： 本发明涉及电子产品技术领域，公开了一种真空荧光显示屏一体化电极，包括阴极部件和栅极部件，所述阴极部件设置在栅极部件的外侧，所述阴极部件包括设置多个阴极，所述栅极部件包括多个屏框，所述阴极部件和栅极部件一体冲压成型，所述屏框经冲压形成翻边。本发明还公开了真空荧光显示屏一体化电极的制作方法。本发明通过组合型部件制造加工方法，将电极一体化型成，减少加工工艺，缩短生产时间。

公开(公告)号：CN117810047A

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN202311753503.1

申请日：2023-12-19

申请人： 中国科学院空天信息创新研究院

发明人： 刘燕文 ,  尚新文 ,  李芬 ,  田宏 ,  赵恒邦 ,  王小霞

IPC分类号： H01J1/13 ,  H01J9/04

摘要： 本公开提供了一种热阴极及其制备方法，可以应用于微波真空电子技术领域。该热阴极包括：海绵基体，海绵基体内浸有发射物质；织构层，形成于海绵基体的表面，织构层呈毛刺状，织构层是通过对覆于海绵基体的表面的第一金属膜进行离子束轰击处理得到的；第二金属膜，形成于织构层上。

公开(公告)号：CN117305785A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202311131180.2

申请日：2023-09-02

申请人： 禹德芯电子科技(上海)有限公司

发明人： 周德新 ,  刘春海 ,  龙飞 ,  常鸿

IPC分类号： C23C14/35 ,  H01J9/04 ,  H01J35/06 ,  H01J35/24 ,  C23C14/16 ,  C23C14/58

摘要： 本发明公开了一种CT阴极管阴极表面涂层及其制备方法，以铱(Ir)、锇(Os)为金属靶，通过改进磁控溅射工艺，在钼基底上沉积得厚度10～20μm的金属涂层，所制备的金属涂层与基底结合力可超过100N，且涂层致密、均匀性好，可作为CT用X射线管中阴极管表面激发电子的阴极使用。

公开(公告)号：CN112701024B

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN202011564121.0

申请日：2020-12-25

申请人： 南京三乐集团有限公司

发明人： 范亚松 ,  王钰 ,  王春 ,  胡康康 ,  武元元 ,  马静 ,  胡文景 ,  许准

IPC分类号： H01J23/08 ,  H01J1/22 ,  H01J9/04 ,  H01J23/00 ,  H01J25/34

摘要： 本发明公开了一种小型化快速启动阴极热子组件用新型绝缘材料及其制备方法，绝缘材料为Al2O3+AlN‑Y2O3+Al2O3‑Y2O3复合材料体系，采用Al2O3包覆钨铼丝材，中间填充高导热AlN‑Y2O3，最外层包覆Y2O3‑Al2O3，本发明可大大提高组件加热效率及耐热冲击特性，可实现阴极组件启动时间小于5s，同时高热效率技术可扩展到Ka、V波段空间行波管用高热效率阴极热子组件。

公开(公告)号：CN113555263B

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202010330997.2

申请日：2020-04-24

申请人： 北京大学

发明人： 魏贤龙 ,  王雨薇

IPC分类号： H01J3/02 ,  H01J9/04

摘要： 本发明提供的一种片上微型的场助热发射电子源及制作方法，通过将场增强电极近距离的集成在电子发射体周围，通过引入强电场降低电子发射体的表面势垒，进而提高电子发射体的发射效率，解决了热电子源功耗大和难以集成的问题。

公开(公告)号：CN111613496B

公开(公告)日：2022-12-09

申请号：CN202010522203.2

申请日：2020-06-08

申请人： 东南大学 ,  南京三乐集团有限公司

发明人： 樊鹤红 ,  杜航 ,  包正强 ,  孙小菡

IPC分类号： H01J1/14 ,  H01J1/20 ,  H01J9/04

摘要： 本发明公开了一种石墨烯覆膜钡钨阴极及其制备方法，所述石墨烯覆膜钡钨阴极包括石墨烯层和B型钡钨阴极层，B型钡钨阴极层的上表面覆石墨烯层，B型钡钨阴极层置于支撑筒内，支撑筒内的B型钡钨阴极层下设置灯丝。所述制备方法包括以下步骤：(1)制备B型钡钨阴极；(2)在衬底生长石墨烯一侧覆TRT，通过溶液腐蚀去除衬底，保留石墨烯，将覆有石墨烯的TRT清洗，烘干；(3)在温控台上放置石墨烯/TRT膜，B型钡钨阴极倒置其上，控制温度达到TRT热剥离温度，再将阴极取开，石墨烯附着在阴极表面。本发明有利于降低钡钨阴极表面逸出功，估计逸出功可达1.9eV以下，相比B型阴极，可以提升发射能力，或降低工作温度以延长阴极使用寿命。

公开(公告)号：CN115428115A

公开(公告)日：2022-12-02

申请号：CN202180025621.3

申请日：2021-04-14

申请人： 电化株式会社

发明人： 冢田大 ,  茶谷洋光 ,  石川大介

IPC分类号： H01J9/04 ,  H01J37/06 ,  H01J1/16

摘要： 本公开文本涉及的电子源具备：由具有电子释放特性的第一材料构成的柱状部；和由功函数比第一材料大的第二材料构成的筒状部，所述筒状部以包围柱状部的方式配置，其中，筒状部形成有沿从一个端面向另一个端面的方向延伸且具有大致圆形的截面形状的孔，柱状部具有大致三角形或大致四边形的截面形状，并且以抵接于孔的内面的状态被固定于筒状部。

公开(公告)号：CN115410885A

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN202110580024.9

申请日：2021-05-26

申请人： 生物岛实验室

发明人： 张齐容 ,  曹峰 ,  叶志楠 ,  柯雪敏 ,  卢志钢 ,  姚一帆 ,  刘纪凯 ,  孙思嘉 ,  栗宽 ,  孙飞

IPC分类号： H01J37/063 ,  H01J37/075 ,  H01J37/28 ,  H01J9/04

摘要： 本公开实施例公开了一种钨灯丝电子枪阴极结构，包括：第一端臂，第二端臂，两臂端以相同预设角度呈线性同步延伸；尖端主体，分别与所述第一端臂和所述第二端臂相连，形成发叉形形状，所述尖端主体经尖锐化处理后形成具有基部和延伸部的尖端结构；其中，所述延伸部为从所述基部向外延伸突出的具有均匀弯曲曲面的几何体。本公开通过获得具有更小曲率半径的“V”形尖端的发叉形钨阴极，在正常工作温度下，电子可由更小的面积发射离开“V”形阴极尖端，使得该阴极尖端的场强更大，避免了在正常工作温度下容易出现的空间电荷效应；电子发射效率以及电场强度均得到显著提升，有利于提高扫描电镜的分辨率。