公开(公告)号：CN117613077A

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN202311549599.X

申请日：2023-11-20

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 张濛 ,  于谦 ,  杨凌 ,  董洁 ,  武玫 ,  宓珉瀚 ,  芦浩 ,  马晓华

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L21/334

摘要： 本发明公开了一种基于氮化镓热电子晶体管与大电阻一体化的共射极放大器及制备方法，共射极放大器包括：自下而上依次包括衬底层、第一N型掺杂GaN层、Fe掺杂GaN层、AlGaN集电极势垒层、GaN基区、AlN发射极势垒层、第二N型掺杂GaN层；衬底层、第一N型掺杂GaN层、Fe掺杂GaN层和AlGaN集电极势垒层长度相等，GaN基区和AlN发射极势垒层长度相等；AlGaN集电极势垒层长度大于AlN发射极势垒层长度，AlN发射极势垒层长度大于第二N型掺杂GaN层长度；发射极、基极、集电极分别位于第一N型掺杂GaN层、AlN发射极势垒层、AlGaN集电极势垒层上。本发明共射极放大器集成度高、成本低。

公开(公告)号：CN117038704A

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202310969940.0

申请日：2023-08-03

申请人： 南京邮电大学 ,  南京邮电大学南通研究院有限公司

发明人： 姚佳飞 ,  林琰琰 ,  李昂 ,  任嵩茗 ,  刘安琪 ,  刘宇遨 ,  郭宇锋 ,  李曼 ,  张珺 ,  陈静 ,  杨可萌 ,  张茂林

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L29/51 ,  H01L21/328 ,  H01L21/334

摘要： 本发明公开了一种复合场限环圆形版图横向功率器件及制备方法，括衬底、埋氧层、有源层、复合场限环、源极金属、栅极金属和漏极金属；横向功率器件的横截面呈圆形或椭圆形，有源层包括从内至外依次同轴布设的半导体漏区、漂移区和半导体阱区；复合场限环具有至少两个，以半导体漏区的中心为圆心，等距内嵌在漂移区的顶面中；每个复合场限环均包括P型区域和介质区域；P型区域围绕在介质区域的两侧及底面。本发明中复合场限环的高K介质材料，能够有效调制表面电场避免表面电荷对场限环的影响，从而提高击穿电压；同时提高漂移区掺杂浓度，降低器件导通电阻。另外，栅介质、场介质和复合场限环中的介质采用同种介质材料，降低工艺难度。

公开(公告)号：CN114402440A

公开(公告)日：2022-04-26

申请号：CN202080065544.X

申请日：2020-09-21

申请人： 德国亚琛工业大学 ,  于利奇研究中心有限公司

发明人： M·库内 ,  H·布鲁姆 ,  L·施莱伯

IPC分类号： H01L29/762 ,  H01L29/76 ,  H01L21/334 ,  H01L29/423 ,  H01L29/40 ,  B82Y10/00 ,  G06N10/40 ,  G06N10/20

摘要： 本发明涉及一种电子部件(10)，该电子部件由具有栅电极组件(16,18,40)的半导体部件或类半导体结构形成，用于操纵在量子点(52,54)中的量子位的量子状态，该电子部件包含具有二维电子气或电子空穴气的基底(12)。电接触部将栅电极组件(16,18,40)与电压源连接。具有栅电极(20,22,24,26)的第一栅电极组件(16)布置在电子部件(10)的面(14)上以在所述基底(12)中产生能运动的势阱(56,58)。第二栅电极组件(40)用于生成毗邻于第一栅电极组件(16)的势垒。栅电极组件(16,18,40)具有平行伸延的电极指(28,30,32,34)，其中所述第一栅电极组件(16)的电极指(28,30,32,34)周期地交替地互相连接，以促使势阱(56,58)通过基底(12)的几乎连续的运动。

公开(公告)号：CN113383349A

公开(公告)日：2021-09-10

申请号：CN202080011832.7

申请日：2020-01-31

申请人： 新南创新有限公司

发明人： A·祖拉克 ,  C-H·H·杨 ,  B·亨森 ,  W·黄 ,  A·劳赫特

IPC分类号： G06N10/00 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/18 ,  H01L21/283 ,  H01L21/31 ,  H01L21/334 ,  H01L27/10 ,  H01L29/16 ,  H01L29/41 ,  H01L29/76 ,  H01L29/86

摘要： 公开了一种用于量子处理装置的处理元件。处理元件包括：硅衬底；介电材料，其中，硅衬底和介电材料形成界面；被形成在介电材料上的电极，其用于孤立硅衬底中的一个或多个电子以形成量子点；IV族原子，其核自旋位于一个或多个电子的波函数中，IV族原子的核自旋与一个或多个电子纠缠；以及控制布置，其用于控制量子点的量子属性和/或核自旋以作为量子位操作。

公开(公告)号：CN112313803A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN201980039547.3

申请日：2019-04-30

申请人： 高通股份有限公司

发明人： 陶耿名 ,  李夏 ,  杨斌 ,  梁晴晴 ,  F·卡罗博兰特

IPC分类号： H01L29/93 ,  H01L29/94 ,  H01L29/20 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L21/334

摘要： 可变电容器包括在衬底上的台面。台面具有多个III‑V半导体层，并且包括第一侧和与第一侧相对的第二侧。第一侧具有第一倾斜部分和第一水平部分。第二侧具有第二倾斜部分和第二水平部分。控制端子位于台面的第三侧上。第一端子位于台面的第一侧上。第一端子设置在第一水平部分和第一倾斜部分上。第二端子也位于衬底上。

公开(公告)号：CN110854020A

公开(公告)日：2020-02-28

申请号：CN201911158942.1

申请日：2019-11-22

申请人： 国家纳米科学中心

发明人： 胡海峰 ,  褚卫国 ,  陈佩佩 ,  董凤良 ,  闫兰琴

IPC分类号： H01L21/334 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

摘要： 本发明提供了一种亚10纳米库仑阻塞器件的制备方法，包括如下步骤：(1)设计对顶结构的交叠型图形作为库仑阻塞器件的掩模图形；(2)按步骤(1)设计好的图形利用电子束对电子束胶曝光，并经过显影、定影，得到掩模；(3)在步骤(2)得到的掩模上设置导电薄膜，然后除去电子束胶，得到所述亚10纳米库仑阻塞器件。本发明提供的制备方法仅需一次曝光工艺即可制备得到亚10纳米库仑阻塞器件，大大简化了库仑阻塞器件的制备工艺。

公开(公告)号：CN104037209B

公开(公告)日：2019-01-25

申请号：CN201410080333.X

申请日：2014-03-06

申请人： SK新技术株式会社

发明人： 金俊亨 ,  李荣根 ,  刘鸿 ,  金泰熙

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L21/334 ,  B82Y10/00

摘要： 本发明关于一种单电子晶体管及其制造方法。该单电子晶体管包括：沟道区域，其包括形成于基板上的连接体及由结合至该连接体的金属离子所生长的金属纳米颗粒；配置于该沟道区域一端的源极区域；配置于该沟道区域另一端而与该源极区域对立的漏极区域；和耦合至该沟道区域且用以控制沟道区域中的电荷迁移的栅极，其中在该沟道区域中，多个金属纳米颗粒具有均匀图案排列。

公开(公告)号：CN105405868B

公开(公告)日：2018-08-17

申请号：CN201510564952.0

申请日：2015-09-08

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： R.巴布尔斯克 ,  M.戴内塞 ,  J.G.拉文 ,  P.莱希纳 ,  H-J.舒尔策

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/772 ,  H01L21/74 ,  H01L21/334

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/02664 ,  H01L23/544 ,  H01L27/088 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7396 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/8613 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453

摘要： 本发明涉及具有包括埋入部分的控制结构的半导体器件及制造方法。一种半导体器件包括具有第一导电类型的源极区和第二导电类型的本体区的晶体管单元。源极区和本体区形成在由半导体本体的一部分形成的半导体台面中。控制结构包括在半导体台面的至少两个相对侧上延伸到半导体本体中的第一部分、第一部分之间的距第一表面一定距离的第二部分、以及距第一表面一定距离并且连接第一部分和第二部分的第三部分，其中半导体台面的收缩区段形成在相邻的第三部分之间。

公开(公告)号：CN108335981A

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201810170956.4

申请日：2018-03-01

申请人： 大连理工大学

发明人： 周大雨 ,  赵鹏 ,  张昱 ,  徐军 ,  孙纳纳 ,  周方杨

IPC分类号： H01L21/334 ,  H01L29/94

摘要： 本发明属于微电子领域，提供一种具有金属氧化物电介质层的MIS结构电容器制备方法。包括基片清洗、预溅射靶材、沉积金属阻挡层、沉积电介质层、沉积上电极，其中金属阻挡层、电介质层都是以金属作为靶材，氩气和氧气混合气氛下，利用磁控溅射制备的。特别地，在沉积电介质薄膜初期，金属阻挡层被氧化，与后续生长的氧化物薄膜共同构成MIS结构电容器的电介质层；金属阻挡层的存在能显著抑制溅射法制备金属氧化物电介质薄膜过程中，半导体衬底和电介质层之间氧化物界面层的生长、减小其厚度，有效地提高金属氧化物电介质层在服役工作和电性能测试时所分担的电压，从而大幅度提高MIS结构电容器的介电常数。

公开(公告)号：CN106663691A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201580036397.2

申请日：2015-07-02

申请人： 哥本哈根大学

发明人： P·克罗格斯拉普 ,  T·S·叶斯帕森 ,  C·M·马卡斯 ,  J·尼加德

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/41 ,  H01L29/43 ,  H01L21/334 ,  H01L39/06 ,  H01L39/08 ,  H01L39/22 ,  H01L39/24 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

摘要： 本公开涉及一种纳米级器件及其制备方法，该纳米级器件包括细长的晶体状纳米结构，如纳米线晶体、纳米晶须晶体或纳米棒晶体。一个实施方案涉及纳米级器件，其包括细长的晶体状半导体纳米结构例如纳米线(晶体)或纳米晶须(晶体)或纳米棒(晶体)，优选由砷化铟制成，其具有多个基本上平的侧面；超导体材料(优选铝)的晶体状结构的第一面层，其覆盖一个或多个所述侧面的至少一部分；以及超导体材料(优选钒)的第二面层，其覆盖第一面层的至少一部分，第二面层的超导体材料不同于第一面层的超导体材料，其中半导体纳米结构的晶体状结构与两个晶体状结构之间的界面上的第一面层的晶体状结构为外延匹配。