公开(公告)号：CN221596457U

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202322978193.5

申请日：2023-11-02

申请人： 成都蓉矽半导体有限公司

发明人： 余俊良 ,  高巍 ,  戴茂州

IPC分类号： H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

摘要： 本实用新型属于半导体器件技术领域，尤其是涉及一种增强稳定性的超势垒整流器，目的是增加器件的可靠性和稳定性，包括背面金属层、导电类型衬底、导电类型外延层、多个掺杂区、栅极介质层、栅电极层、栅极加固层和正面金属层；导电类型外延层设置在导电类型衬底上；导电类型外延层上设置有多个凹槽，每个凹槽内分别设置一个掺杂区；导电类型外延层的顶面设置栅极介质层，栅极介质层上设置栅电极层，栅电极层上设置栅极加固层；超势垒整流器顶部覆盖正面金属层，超势垒整流器底部覆盖背面金属层。本实用新型具体更稳定、器件寿命更长的优点。

公开(公告)号：CN221262384U

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202322893062.7

申请日：2023-10-27

申请人： 扬州扬杰电子科技股份有限公司

发明人： 王正 ,  杨程 ,  万胜堂 ,  王坤 ,  陈鸿骏 ,  赵耀 ,  王毅

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

摘要： 一种隔离栅碳化硅MOSFET器件。涉及半导体技术领域。包括从下而上依次连接的碳化硅衬底，碳化硅漂移层和正面金属层；所述碳化硅漂移层的顶面设有向下延伸的PW区；所述PW区的顶面设有向下延伸的NP区；所属NP区的深度小于PW区的深度；所述NP区内设有向下延伸的PP区；所述碳化硅漂移层的顶面依次设有向上伸入正面金属层内的栅氧层和Poly层；所述碳化硅漂移层的顶面设有包裹所述栅氧层和Poly层的氧化物隔离层，所述氧化物隔离层底端分别与碳化硅漂移层和NP区连接；所述氧化物隔离层的侧部设有与PP区连接的欧姆接触金属层。本实用新型一定程度上可提高器件的开关性能，降低开关损耗。

公开(公告)号：CN221239618U

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202322893083.9

申请日：2023-10-27

申请人： 扬州扬杰电子科技股份有限公司

发明人： 王正 ,  杨程 ,  万胜堂 ,  王坤 ,  陈鸿骏 ,  赵耀 ,  王毅

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

摘要： 碳化硅场效应晶体管。涉及半导体技术领域。包括从下而上依次设置的碳化硅衬底和碳化硅漂移层，所述碳化硅漂移层的顶面设有若干间隔向下延伸的沟槽；还包括：PW区，位于所述沟槽处；NP区，位于所述沟槽处，从所述碳化硅漂移层的顶部向下延伸，包裹于所述PW区内；所述NP区的深度小于沟槽的深度；PP区，设置在所述沟槽处，位于所述NP区的下方；栅氧层，设置在相邻沟槽之间，位于所述碳化硅漂移层的顶面；Poly层，设置在所述栅氧层的顶面；隔离层，设置在所述Poly层上，并从侧部向下延伸至NP区；欧姆接触金属层，设置在沟槽内，并与隔离层的侧部相连；本实用新型可降低体二极管的导通电阻，减少其在续流过程中产生的损耗。

公开(公告)号：CN221209689U

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202323107476.9

申请日：2023-11-17

申请人： 上海英曼尼安全装备有限公司 ,  上海英迈吉东影图像设备有限公司

发明人： 张文涛 ,  孙谦 ,  陈黎

IPC分类号： B21F1/00 ,  H01L21/67 ,  H01L21/336

摘要： 本实用新型公开了一种用于MOSFET晶体管的整形装置，包括底座，所述底座的上侧壁固定连接有下模平台，所述下模平台的上侧壁固定连接有下模，所述下模的后侧壁对称固定连接有晶体管校验槽，所述底座的上侧壁转动连接有立柱，所述立柱的外壁滑动套设有套板，所述套板的上侧壁固定插设有连接杆，所述连接杆的顶端固定连接有上模限位块，所述套板的上侧壁固定连接有L型杆，所述L型杆和上模限位块之间固定连接有弹簧，所述连接杆的下端设置有上模，所述上模和连接杆之间通过上模固定螺丝连接。本实用新型通过本装置的使用，可以高效高精度的进行晶体管的塑形，有效解决了手工塑形差导致晶体管无法与散热垫贴合的技术难题。

公开(公告)号：CN220963240U

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202322603789.7

申请日：2023-09-25

申请人： 杰平方半导体(上海)有限公司

发明人： 李俊

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/16 ,  H01L29/08 ,  H01L29/417

摘要： 本实用新型公开了一种降低碳化硅电阻的背面欧姆接触中间体及碳化硅器件，包括S i C晶片，所述S i C晶片的衬底背面从上往下依次设置有沉积硅层、欧姆金属层。本实用新型通过避免了碳析出，减少了欧姆接触电阻，及金属薄膜和S i C脱裂的机率。

公开(公告)号：CN220934087U

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202321799280.8

申请日：2023-07-10

申请人： 意法半导体股份有限公司

发明人： M·G·萨吉奥 ,  C·M·卡玛勒里 ,  A·瓜尔内拉

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

摘要： 本公开的实施例涉及功率MOSFET器件。功率MOSFET器件包括具有第一主表面的半导体主体。半导体主体包括面向第一主表面的有源区域。功率MOSFET器件包括隔离栅极结构以及栅极区域，隔离栅极结构在有源区域之上延伸并且包括由绝缘材料制成并在第一主表面之上延伸的栅极氧化物层，栅极区域被掩埋在栅极氧化物层中，以与半导体主体电绝缘。栅极区域包括多晶硅的栅极层并且至少包括一个第一硅化物电调制区域和一个第二硅化物电调制区域，它们在栅极层中延伸，以面向栅极层的顶表面，并且在第一平面中彼此并排并且彼此间隔地布置。

公开(公告)号：CN220753438U

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202321397983.8

申请日：2023-06-02

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 高魁佑 ,  林士尧 ,  陈振平 ,  邱志忠 ,  曾科嘉 ,  林志翰 ,  张铭庆 ,  陈昭成

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L27/088 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234

摘要： 一种半导体装置，含第一及第二源/漏极区；具高k介电特征的介电鳍，介电鳍与第一及第二源/漏极区设为沿第一方向的轴；第一通道，设于第一与第二源/漏极区域间并与之接触；第二通道，自第一源/漏极区朝介电鳍延伸；第一栅极结构，沿垂直第一方向的第二方向延伸，且设于第一与第二源/漏极区间并围绕第一通道；以及第二栅极结构，沿第二方向延伸，且设于第一源/漏极区与介电鳍间并围绕第二通道；其中在第一方向上，第二栅极结构在高k介电特征顶面高度具第一宽度，第一栅极结构在高k介电特征顶面高度具第二宽度且在第一源/漏极区高度具第三宽度，第一宽度对第二宽度的比值在0.9与1.1间，而第三宽度对第二宽度的比值在0.9与1.0间。

公开(公告)号：CN220672589U

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN202322204070.6

申请日：2023-08-16

申请人： 安建科技有限公司

发明人： 何梓维 ,  梁嘉进 ,  伍震威 ,  单建安

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

摘要： 一种半导体场效应管器件及其制造方法,本实用新型涉及于功率半导体器件，所述半导体器的还包括用于在器件开通时提供电流导通区域的有源区域、使反偏时源极‑漏极之间的电场位于有源区域内以防止器件外围区域击穿的终端沟槽区域、为器件提供额外的Cgs并改善开关性的栅‑源电容区域、用于减少器件周期排列的沟槽所产生应力的应力释放区域和电场截止区域，比起传统结构和工艺，可以提高的栅源电容‑栅漏电容比值，以及提供高可靠性的器件终端结构。

公开(公告)号：CN220672588U

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN202322359725.7

申请日：2023-08-31

申请人： 扬州扬杰电子科技股份有限公司

发明人： 张陈龙 ,  杨程 ,  王嘉良 ,  王毅

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

摘要： 碳化硅功率场效应晶体管，涉及半导体技术领域。包括从下而上依次连接的N型外延衬底、N型外延层、栅氧层和PolySi层；所述N型外延层的顶面的端部设有向下延伸的PP区；所述PP区的内侧设有从N型外延层的顶面向下延伸的NN区；本实用新型通过PWELL体区形貌设置成阶梯型，这种阶梯型的PWELL形貌，增大了器件的JFET区域电阻从而减小了器件的短路电流和短路功率，增大了器件的短路耐受时间。由于短路电流的减小，从而也减小了短路工况对器件的损伤增大了器件长期可靠性。

公开(公告)号：CN220510045U

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202321648378.3

申请日：2023-06-27

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 锺佳玲 ,  庄英良 ,  郑钧智 ,  黄国彬 ,  叶明熙

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423

摘要： 一种半导体装置，包括一基底具有一金属栅极、位于所述金属栅极的侧面的栅极间隔物、一蚀刻停止层以及一源极/漏极区域上方的一层间介电材料；一钨帽盖由钨材料形成且沉积在金属栅极的上方和位于栅极间隔物之间；以及在钨帽盖的上方形成的一通孔栅极。