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公开(公告)号：CN112151540B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202010440341.6
申请日：2020-05-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开涉及半导体器件及制造方法。提供了一种半导体器件和方法，由此在衬底的第一区域和第二区域中形成一系列间隔体。第一区域中的一系列间隔体被图案化，而第二区域中的一系列间隔体被保护，以便将第一区域中的间隔体的性质与第二区域中的间隔体的性质分隔开。
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公开(公告)号：CN112750769B
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202011169467.0
申请日：2020-10-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10D84/03
Abstract: 本公开涉及用于形成堆叠层的方法及其形成的器件。一种方法包括：蚀刻半导体衬底以形成沟槽，其中，所述半导体衬底包括朝向所述沟槽的侧壁；以及沉积延伸至所述沟槽中的第一半导体层。所述第一半导体层包括位于所述沟槽的底部处的第一底部部分和位于所述半导体衬底的所述侧壁上的第一侧壁部分。去除所述第一侧壁部分以显露所述半导体衬底的所述侧壁。所述方法还包括：沉积延伸至所述沟槽中的第二半导体层，其中，所述第二半导体层包括位于所述第一底部部分之上的第二底部部分和与所述半导体衬底的所述侧壁接触的第二侧壁部分。去除所述第二侧壁部分以显露所述半导体衬底的所述侧壁。
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公开(公告)号：CN114975629A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210342934.8
申请日：2022-03-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/06
Abstract: 本公开提出一种半导体装置。半导体装置的形成方法可为分别形成第一鳍状物与第二鳍状物于基板的第一区与第二区中；接着可形成第一虚置栅极结构与第二虚置栅极结构以分别越过第一鳍状物与第二鳍状物；以及形成牺牲层，其沿着第二虚置栅极结构的底部延伸。可将第一虚置栅极结构置换成第一金属栅极结构，并可将第二虚置栅极结构与牺牲层置换成第二金属栅极结构。
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公开(公告)号：CN114121800A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202110824346.3
申请日：2021-07-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 提供一种半导体装置的制造方法。上述方法包括提供一鳍部层。形成多个虚置栅极于鳍部层上，其中虚置栅极形成为从虚置栅极的一顶部区域的一较小宽度至虚置栅极的一底部区域的一较大宽度的锥形。形成多个侧壁间隙壁于虚置栅极的多个侧壁上。形成一层间介电层于虚置栅极之间的多个区域，且接触侧壁间隙壁。去除虚置栅极，以在层间介电内形成多个开口，并于层间介电的多个开口侧边露出侧壁间隙壁。以侧壁间隙壁的顶部区域的蚀刻速率高于侧壁间隙壁的底部区域的蚀刻速率来蚀刻侧壁间隙壁。
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公开(公告)号：CN113889468A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202110918307.X
申请日：2021-08-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L27/092 , H01L21/8234 , H01L21/8238
Abstract: 本公开提出一种半导体装置。半导体装置包括第一、第二、第三、与第四晶体管。操作第一与第二晶体管的栅极电压，低于操作第三与第四晶体管的栅极电压。第一与第二晶体管分别具有第一与第二主动栅极结构。第一与第二主动栅极结构沿着第一方向彼此隔有第一栅极隔离结构。第三与第四晶体管分别具有第三与第四主动栅极结构。第三与第四主动栅极结构沿着第一方向彼此隔有第二栅极隔离结构。第一栅极隔离结构的个别侧壁之间沿着第一方向的第一距离的变异，等于第二栅极隔离结构的个别侧壁之间沿着第一方向的第二距离的变异。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113451390A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110285717.5
申请日：2021-03-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L27/088
Abstract: 本发明提供一种半导体装置与其形成方法。半导体装置的形成方法包括形成鳍状物于装置区中，并形成半导体材料的多层堆叠中的其他鳍状物于多通道装置区中。自多层堆叠顶部移除牺牲层，以露出多通道装置区中的最顶部的纳米结构。一旦移除牺牲层，即可自多层堆叠形成纳米结构的堆叠。形成第一厚度的原生氧化物于最顶部的纳米结构上，并形成第二厚度的原生氧化物层于堆叠的保留的纳米结构上，且第一厚度大于第二厚度。栅极介电层形成于装置区中的鳍状物上。栅极形成于装置区中的栅极介电层上，并围绕多通道装置区中的原生氧化物。
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公开(公告)号：CN113345891A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110529803.6
申请日：2021-05-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L27/092 , H01L21/8234 , H01L21/8238
Abstract: 半导体结构包括：半导体衬底；鳍有源区域，在半导体衬底之上突出；以及栅极堆叠件，设置在鳍有源区域上，其中，栅极堆叠件包括高k介电材料层和设置在高k介电材料层上的各个金属层。栅极堆叠件在截面图中具有不均匀轮廓，在顶面处具有第一尺寸D1，在底面处具有第二尺寸D2，并且在顶面和底面之间的位置处具有第三尺寸D3，并且其中，D1和D2的每个大于D3。本申请的实施例还涉及形成半导体结构的方法。
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公开(公告)号：CN113314526A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202110457644.3
申请日：2021-04-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 本公开提供一种半导体装置与其制作方法。半导体装置包括第一半导体鳍状物沿着第一方向延伸。半导体装置包括第二半导体鳍状物亦沿着第一方向延伸。半导体装置包括介电结构位于第一半导体鳍状物与第二半导体鳍状物之间。半导体装置包括栅极隔离结构，垂直地位于介电结构上。半导体装置包括金属栅极层沿着第二方向延伸，且第二方向垂直于第一方向，其中金属栅极层包括越过第一半导体鳍状物的第一部分，与越过第二半导体鳍状物的第二部分。栅极隔离结构使金属栅极层的第一部分与第二部分彼此分开，并包括底部延伸至介电结构中。
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公开(公告)号：CN113224007A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110071562.5
申请日：2021-01-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 本公开涉及半导体器件及其形成方法。一种方法包括形成延伸到半导体衬底中的隔离区域，其中半导体条带位于隔离区域之间，以及在隔离区域之间形成电介质虚设条带，凹陷隔离区域。半导体条带的一些部分突出高于经凹陷的隔离区域的顶表面以形成突出的半导体鳍，并且电介质虚设条带的一部分突出高于经凹陷的隔离区域的顶表面以形成电介质虚设鳍。该方法还包括蚀刻电介质虚设鳍，使得电介质虚设鳍的顶部宽度小于电介质虚设鳍的底部宽度。在突出的半导体鳍和电介质虚设鳍的顶表面和侧壁上形成栅极堆叠。
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公开(公告)号：CN113178417A
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202011416151.7
申请日：2020-12-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 本公开涉及半导体结构及其制造方法。一种方法，包括：在半导体区域之上沉积虚设栅极电介质层；沉积虚设栅极电极层；以及执行第一蚀刻工艺。蚀刻虚设栅极电极层的上部以形成虚设栅极电极的上部。方法还包括在虚设栅极电极的上部的侧壁上形成保护层，并且执行第二蚀刻工艺。蚀刻虚设栅极电极层的下部以形成虚设栅极电极的下部。然后使用保护层作为蚀刻掩模来执行第三蚀刻工艺以蚀刻虚设栅极电极的下部。虚设栅极电极通过第三蚀刻工艺而呈锥形。移除保护层，并且利用替换栅极电极来替换虚设栅极电极。
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