半导体模块以及车辆
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110943076B

    公开(公告)日:2024-09-10

    申请号:CN201910688507.3

    申请日:2019-07-29

    发明人: 安达新一郎

    摘要: 本发明提供一种半导体模块以及车辆,在半导体模块中,优选使模块小型化。本发明提供一种半导体模块,具备:树脂制的端子盒,其收容半导体芯片;以及冷却部,其包括流通制冷剂的制冷剂流通部和包围所述制冷剂流通部的接合部,所述制冷剂流通部配置在所述端子盒的下方,并且在所述接合部与所述端子盒直接地或间接地紧贴配置,所述端子盒具有设置在所述接合部的上方并且在俯视时以包围所述半导体芯片的方式而设置的侧壁,在所述侧壁设置有检测所述制冷剂的温度的温度传感器。

    一种树状分支回流式微通道热沉
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118366944A

    公开(公告)日:2024-07-19

    申请号:CN202410396050.X

    申请日:2024-04-02

    申请人: 中南大学

    IPC分类号: H01L23/46

    摘要: 一种树状分支回流式微通道热沉,包括:相对设置的上盖板和圆盘状的主体,所述主体内有两层,共八组树状分支微通道区域,冷却工质从所述上盖板中心的入口进入,沿上层树状分支微通道区域向边缘流动,从圆环形通道进入下层树状分支微通道区域,从设于所述主体中心的出口流出。本发明通过树形分支微通道区域,缩短了冷却工质流动的通道长度,破坏壁面热边界层,提高了传热效率,同时在圆盘外缘设置有圆环形通道,使上层冷却工质进入下层回流通道,能够有效地提高被散热设备的温度均匀性。

    一种可智能调节芯片温度的微通道散热装置

    公开(公告)号:CN114373729B

    公开(公告)日:2024-06-25

    申请号:CN202111676071.X

    申请日:2021-12-31

    申请人: 厦门大学

    IPC分类号: H01L23/46 H01L23/433

    摘要: 本申请涉及微通道散热装置的技术领域,为了便于根据芯片热量不均匀分布可自动调节不同的散热效果,提供一种可智能调节芯片温度的微通道散热装置,包括散热基板、热绝缘丝和温控记忆合金弹簧,所述散热基板上设有冷却流体入口、冷却流体出口及多个微通道;所述冷却流体入口和冷却流体出口分别相对设置在散热基板的两端,并且分别连通微通道;所述温控记忆合金弹簧容置在微通道内,并且其两端分别通过热绝缘丝与散热基板固定连接;所述温控记忆合金弹簧沿冷却流体流动方向依次设有至少两个梯度;所述温控记忆合金弹簧的节距随着微通道内温度的改变而改变,并调控微通道内的冷却流体的流速以调控散热装置的散热效果。

    功率电子系统和用于制造功率电子系统的方法

    公开(公告)号:CN117038608A

    公开(公告)日:2023-11-10

    申请号:CN202310526624.6

    申请日:2023-05-10

    发明人: C·科赫

    IPC分类号: H01L23/46 H01L23/40 H01L21/50

    摘要: 一种功率电子系统包括功率半导体模块,所述功率半导体模块包括:基板,其包括第一侧、相反的第二侧以及连接所述第一侧和所述第二侧的边缘;以及功率半导体裸片,其布置在所述基板的第一侧处。所述功率电子系统还包括冷却器,其包括开口,其中,所述基板的边缘与所述开口的边缘直接接触,使得由冷却器提供的流体通道在开口处被基板密封,并且基板的第二侧形成流体通道的壁,其中,所述基板与所述冷却器之间在所述开口处的界面没有任何焊接接合部。

    三维封装相变散热装置
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113421864B

    公开(公告)日:2023-11-10

    申请号:CN202110651714.9

    申请日:2021-06-11

    摘要: 本发明公开了一种三维封装相变散热装置,主要解决现有三维封装内部散热结构中易产生噪声、振动且耗能多、可靠性差的问题。其包括上封装壳体(1)、下封装基板(3)、立体热管(4)和三维封装叠层(7),该三维封装叠层内设有热硅通孔部件(6)和微通道(9),并与立体热管相嵌后,置于上封装壳体和下封装基板构成的封装腔体内,其外部包覆相变材料(2)。热硅通孔部件内穿微通道之间的通孔中,三维封装叠层通过热硅通孔部件将部分热量传递给立体热管,利用相变材料提取微通道和立体热管中的热量进行外部换热。本发明提高了三维封装叠层温度分布的均匀性,强化了三维封装叠层内部散热,保障了三维封装的可靠性,可用于电子设备的封装。

    一种具有多层微流道结构的GaN HEMT器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN116504735A

    公开(公告)日:2023-07-28

    申请号:CN202310437299.6

    申请日:2023-04-21

    摘要: 本发明公开了一种具有多层微流道结构的GaN HEMT器件及其制备方法,所述GaN HEMT器件包括SiN钝化层、源极、栅极、漏极、AlNGaN势垒层、GaN缓冲层、Buffer层和多层AlN微流道结构;所述SiN钝化层、AlNGaN势垒层、GaN缓冲层、Buffer层和多层AlN微流道结构自上至下依次设置,所述源极、栅极和漏极从左至右依次设置于SiN钝化层底部;本发明通过多层微流道结构极大地提高了器件的散热能力,增加了GaN器件的可靠性;本发明可靠并高效地提出了具体的制备方法,降低了制作成本,简单高效可重复。

    一种纳米焊膏连接结构及其连接方法

    公开(公告)号:CN116387254A

    公开(公告)日:2023-07-04

    申请号:CN202310213923.4

    申请日:2023-03-07

    摘要: 本发明提供一种纳米焊膏连接结构及其连接方法,应用于微电子封装领域;连接结构包括第一基板层、第二基板层以及纳米焊膏层;所述第一基板层与所述第二基板层通过所述纳米焊膏层连接,所述纳米焊膏层上具有多条将所述纳米焊膏层分割为独立焊膏单元的流道;通过流道的设置将大面积的基板切割成特定形状的小面积,在互连过程中有机物受热分解为气体,气体通过流道挥发,从而解决了现有技术中有机物挥发受阻而不能够大面积连接的问题;且由于流道将大面积切割,不仅降低了互连层内部的残余应力,还阻碍裂纹扩散提高互连件的可靠性。