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公开(公告)号:CN115468332B
公开(公告)日:2024-10-01
申请号:CN202211034950.7
申请日:2022-08-26
申请人: 武汉高芯科技有限公司
摘要: 本发明涉及一种节流制冷器,包括多个超微型制冷器,各超微型制冷器呈阵列布置,阵列布置的各超微型制冷器的膨胀腔聚集于一处形成供芯片安置的冷却区域。还提供一种节流制冷红外探测器,包括上述的节流制冷器、探测器芯片以及用于封装探测器芯片和节流制冷器的杜瓦组件,探测器芯片安置在节流制冷器的冷却区域,杜瓦组件为芯片提供真空环境。通过利用超微型制冷器替代传统的机械节流制冷器,具有工艺新颖、尺寸小、振动低和无磁性等特点;可以实现制冷器本身低热质量、小体积等目标,最终实现红外组件的小型化、低成本等;通过阵列的形式布置多个超微型制冷器,形成芯片安置的冷却区域,使得制冷工质能够全部用于冷却芯片,从而保证芯片的均温性。
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公开(公告)号:CN109659374B
公开(公告)日:2024-09-24
申请号:CN201811339767.1
申请日:2018-11-12
申请人: 深圳市灵明光子科技有限公司
IPC分类号: H01L31/0216 , H01L31/0352 , H01L31/09
摘要: 本发明涉及光子探测技术领域,特别是涉及一种光电探测器、光电探测器的制备方法、光电探测器阵列和光电探测终端。本申请实施例中提供了一种光电探测器,包括衬底和形成于该衬底之上的光学谐振腔:所述光学谐振腔可包括:光吸收层,具有相对的光线入射外表面和底部外部表面,以及位于所述光线入射表面与所述底部表面之间的外侧壁;陷光结构层,覆盖于所述光线入射表面;以及光反射结构层,覆盖于所述光吸收层的所述底部外表面和/或所述外侧壁上;其中,所述光反射结构层用于反射透过所述陷光结构层射入所述光学谐振腔中的外部光线,以增加该外部光线在所述光吸收层中的传播光程,进而有效提升光电探测器的光子吸收效率。
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公开(公告)号:CN114361275B
公开(公告)日:2024-09-13
申请号:CN202111558649.1
申请日:2021-12-17
申请人: 南昌大学
IPC分类号: H01L31/032 , H01L31/036 , H01L31/0392 , H01L31/09 , H01L31/18
摘要: 本发明公开了基于带晶界的铅盐半导体薄膜的室温超快红外探测器及其探测方法,包括基底、半导体薄膜、两个电极,基底贴合在半导体薄膜下方,半导体薄膜上左右两端各有一电极,半导体薄膜为单晶且有晶界的铅盐半导体薄膜,半导体薄膜形成光热电转化层。探测器受光激发,电子跃迁到光热电转化层导带边上方,具有过剩能量的热载流子在皮秒量级时间内通过电子‑电子相互作用产生热电子,电极两端形成较稳定的温度梯度,以纳秒尺度的时间量级在材料两端形成稳定的电场,从而实现材料无需外部供电的自驱动超快探测。相比于现有光热电探测器,本发明不仅简化了制备工艺,缩小了器件体积,降低了大规模集成的难度,还提高了量子效率,缩短了响应时间。
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公开(公告)号:CN118486751A
公开(公告)日:2024-08-13
申请号:CN202410917639.X
申请日:2024-07-10
申请人: 中国科学院合肥物质科学研究院
摘要: 本发明公开了具有红外波段光电探测功能的硅基光电探测器的制备方法,其为:对硅纳米粉进行表面氧化处理后获得硅/氧化硅核壳纳米粉,以硅/氧化硅核壳纳米粉作为光敏材料构建硅基光电探测器,对硅/氧化硅核壳纳米粉施加外部压力,硅基光电探测器的光电探测性能随着压力的改变而改变,且硅基光电探测器在压力作用下具备了红外波段光电探测功能。本发明的方法成本低、效率高,为设计新型高效硅基光电探测器提供了新的思路。
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公开(公告)号:CN118448486A
公开(公告)日:2024-08-06
申请号:CN202310771395.4
申请日:2023-06-28
申请人: 常熟理工学院
IPC分类号: H01L31/032 , H01L31/09 , H01L31/18
摘要: 本发明公开一种新型高性能柔性透明H4Nb6O17紫外探测器及其制备方法,包括如下步骤:(a)H4Nb6O17纳米片的制备方法。(b)H4Nb6O17纳米片薄膜器件的制备方法。(c)H4Nb6O17纳米片薄膜紫外探测器的高透明性和柔性光电性能。本发明首次公开一种新型的高性能柔性透明H4Nb6O17紫外探测器,该H4Nb6O17纳米片薄膜紫外探测器具有制备简易,成本低廉,高透明性以及良好的柔性光电性能。这项工作首次提出高性能H4Nb6O17纳米片薄膜紫外探测器,并表明其在未来可穿戴电子器件中的潜在应用前景。
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公开(公告)号:CN118367049A
公开(公告)日:2024-07-19
申请号:CN202410791786.7
申请日:2024-06-19
申请人: 苏州大学
IPC分类号: H01L31/09 , H01L31/0352 , H01L31/18
摘要: 本发明公开了一种光电导圆偏振光探测器及其制备方法,涉及光电探测领域,光电导圆偏振光探测器包括至少一个纳米手性结构;光敏层,其将所述纳米手性结构包覆且与所述纳米手性结构一一对应;所述光敏层的两端分别具有第一电极和第二电极。本发明将光电导与纳米手性结构进行结合所形成的光电导圆偏振光探测器具有较高的响应度和稳定性,同时能够较好地区分左旋圆和右旋圆偏振光。
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公开(公告)号:CN118315465A
公开(公告)日:2024-07-09
申请号:CN202410397882.3
申请日:2024-04-03
申请人: 东南大学
IPC分类号: H01L31/09 , H01L31/0352 , H01L31/0224 , H01L31/02 , G01J1/42
摘要: 本发明公开了一种变沟道长度的光电导位置探测器及微弱光位置探测方法,包括:衬底、沟道材料和两个不相连的分叉电极;该衬底采用对光具有吸收作用的材料得到,沟道材料置于衬底上表面,两个不相连的分叉电极与沟道材料形成电学接触;沟道材料为高迁移率材料;本发明通过设计分叉电极,构造出光斑位置与沟道长度的依赖关系,得到光斑位置与光电导增益的函数关系,进而实现具备高增益的高灵敏位置探测。本发明具有高增益、大尺寸的优点,适用于微弱光位置探测,而且可选取具有不同光吸收的衬底,实现特定波段光的位置探测。
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公开(公告)号:CN115784295B
公开(公告)日:2024-07-02
申请号:CN202211498705.1
申请日:2022-11-28
申请人: 哈尔滨工业大学(深圳)
IPC分类号: C01G9/02 , G01L9/08 , H01L31/18 , H01L31/0296 , H01L31/09 , H01L31/109 , H10K30/15 , H10K85/20 , H10K71/00 , H01L31/0352 , B82Y30/00 , B82Y40/00
摘要: 本发明提供了一种具有三维杂化结构的氧化锌及其制备方法和应用,该制备方法包括如下步骤:制备氧化锌纳米颗粒溶胶凝胶溶液;准备纳米材料的分散液,将其滴入到所述氧化锌纳米颗粒溶胶凝胶溶液中,反应后得到氧化锌纳米颗粒包覆的纳米材料的分散液;所述纳米材料为金属纳米线或纳米碳材料;制备氧化锌生长液,然后将得到的氧化锌纳米颗粒包覆纳米材料的分散液滴入所述氧化锌生长液中,搅拌,在温度90‑120℃条件下进行反应,反应完成后清洗,离心,得到具有三维杂化结构的氧化锌。采用本发明的技术方案,优化了氧化锌纳米棒结构,不仅具有更大的比表面积,还构建了大面积的异质结,充分优化了氧化锌基紫外光探测器和压力传感器的输出性能。
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公开(公告)号:CN116002758B
公开(公告)日:2024-06-25
申请号:CN202211323670.8
申请日:2023-02-09
申请人: 北京信息科技大学 , 广州市南沙区北科光子感知技术研究院
IPC分类号: H01L31/09 , H01L31/032 , H01L31/18 , C01G41/02
摘要: 本发明提供了一种二维掺铵六角相氧化钨的制备方法,包括:将5mL过氧化氢缓慢的加入到装有0.96g钨粉的20mL玻璃小瓶中,制备过氧钨酸溶液,其中,过氧化氢的质量分数为:30wt%,所述玻璃小瓶置于冰水混合物中;将溶解在10mL去离子水中的六亚甲基四胺缓慢加入到制备的过氧钨酸溶液中,并在磁力搅拌器中搅拌30分钟,得到混合溶液;将混合溶液转移到的不锈钢高压釜中的特氟龙内胆内,在200℃下水热反应24小时;高压釜自然冷却至室温,将得到的样品用去离子水洗涤、离心并在自然环境中干燥。本发明一步式水热法制备二维掺铵六角相氧化钨(h‑(NH4)xWOy),获得高离子掺杂浓度的二维掺杂六角相氧化钨材料,简化实现方式。
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公开(公告)号:CN111928954B
公开(公告)日:2024-06-14
申请号:CN202010730350.9
申请日:2020-07-27
申请人: 青岛凯瑞电子有限公司
发明人: 郑学军
IPC分类号: G01J5/04 , H01L31/02 , H01L31/0203 , H01L31/09 , H01L31/101
摘要: 本发明公开了一种红外探测器微型杜瓦,包括陶瓷外壳、套设于陶瓷外壳顶部外侧的封接环、与封接环顶部固定连接的盖板、穿过盖板伸入所述陶瓷外壳内部的盖板引线、与所述盖板引线下端固定连接的盖板钼片、穿过所述陶瓷外壳底部伸入陶瓷外壳内部的底座引线,与所述底座引线固定连接的底座钼片、设于所述盖板钼片和底座钼片之间的芯片;盖板引线与盖板密封固定连接,底座引线与陶瓷外壳密封固定连接;盖板引线中部设计为弯曲状结构,弯曲状结构位于所述盖板和盖板钼片之间;将盖板引线中部设计为弯曲状结构,有效提高引线的使用寿命,缓解对芯片的压力,减小引线与盖板、引线与盖板钼片之间的应力,提高了外壳气密性和机械可靠性。
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