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公开(公告)号：CN117792331B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202311844107.X
申请日：2023-12-28
申请人： 上海馨欧集成微电有限公司
发明人： 邵率
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公开(公告)号：CN118900113A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410536612.6
申请日：2024-04-30
申请人： 株式会社村田制作所
摘要： 提供了一种包括多个体声学谐振器的带通滤波器。每个谐振器包括压电层、在压电层上的叉指换能器(IDT)、以及设置在IDT的交错指之上和之间的介电层。此外，多个体声学谐振器包括串联连接在带通滤波器的输入和输出之间的串联谐振器、连接在地与多个串联谐振器的相应一对串联谐振器间的节点之间的并联谐振器、连接在地与输入和第一串联谐振器间的节点之间的第一抽取极点谐振器、以及连接在地与输出和最末串联谐振器间的节点之间的第二抽取极点谐振器。抽取极点谐振器之一具有比带通滤波器的通带的上边缘高的谐振频率。
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公开(公告)号：CN118868852A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411043818.1
申请日：2024-07-31
申请人： 武汉衍熙微器件有限公司
发明人： 余航
摘要： 本申请实施例提供一种滤波装置，所述滤波装置包括：设置于第一芯片的第一体声波BAW滤波单元和第二BAW滤波单元，以及设置于第二芯片的集成无源器件IPD滤波单元；所述第一BAW滤波单元与IPD滤波单元用于实现第一频段的滤波；所述第二BAW滤波单元用于实现第二频段的滤波，或者所述第二BAW滤波单元与所述IPD滤波单元用于实现第三频段的滤波；所述第一频段不同于所述第二频段且不同于所述第三频段；所述第一BAW滤波单元和所述第二BAW滤波单元均包括至少一个BAW谐振器，所述第一BAW滤波单元和所述第二BAW滤波单元包含的各所述BAW谐振器的谐振频率在预设范围内。
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公开(公告)号：CN118868835A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410884907.2
申请日：2024-07-03
申请人： 上海大学
IPC分类号： H03H3/02 , H03H9/13 , H03H9/17 , G06F30/27 , G06F30/373 , G06N3/0499
摘要： 本发明涉及一种不规则电极的生成方法、不规则电极的薄膜体声波谐振器，属于微机电(MEMS)技术领域，该生成方法包括：S1、在极坐标系中将多个随机振幅、随机相位的正弦波相叠加；S2、计算阻抗频率曲线中谐振频率点附近的杂散模态数量，设置波动阈值Δs，若是阻抗频率曲线的振幅S>Δs，则记为一处杂散模态，一个器件中，谐振点附近的杂散模态总数量记为M；S3、建立前馈神经网络，将S1得到的单个不规则多边形的坐标编码为一维向量V，作为输入层，将其对应的杂散模态的数量M，作为输出层；输出层和输入层在训练前将进行归一化操作，使之能够与神经网络的结构所匹配，使用adam优化器，优化目标设置为杂散模态的数量M最小，进行训练，得到不规则多边形与杂散模态数量的关系模型；用验证集进行验证，得到关系模型；S4、利用S3中验证后的关系模型生成一组新的不规则多边形，将生成的多边形作为薄膜体声波谐振器的电极形状，得到薄膜体声波谐振器用不规则电极。与现有技术相比，本发明所采用的不规则电极形状结构经验证能够有效地抑制横向驻波的生成，进而减少频谱中的杂散模态。
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公开(公告)号：CN116979925B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202311008006.9
申请日：2023-08-10
申请人： 浙江星曜半导体有限公司
摘要： 本申请公开了一种薄膜体声波谐振器及其制备方法，以及应用该薄膜体声波谐振器的滤波器，该薄膜体声波谐振器包括基底和位于基底一侧依次排布的介质腔、第一电极、压电层和第二电极，在第二电极与压电层之间，和/或，在第一电极与压电层之间设置有第一间隙，第一间隙的至少一端为谐振器有源区域的边界，通过在第一间隙内设置至少一个介质块，且介质块同时与压电层以及第一间隙背离压电层一侧的电极相接触，将第一间隙分隔为至少两个子间隙，不仅可以提高第一间隙的物理强度，还使得第一间隙的高度可以更高，以更有效地反射声波，而且在压电层边界引入更多不连续的声阻抗变化，进一步增强对声波的反射，减小能量损耗，提升谐振器的性能。
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公开(公告)号：CN118249775B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410668018.2
申请日：2024-05-24
申请人： 中国科学技术大学
摘要： 本申请提供一种声波谐振器，位于衬底一侧的释放层；位于释放层远离衬底一侧的压电层；压电层的切向为X切向；贯穿释放层的空腔，空腔部分位于衬底中，空腔的出口贯穿压电层；位于压电层上下表面的多个对称设置的叉指电极；水平波长和厚度波长的比值大于或等于1，且小于或等于2；将叉指电极形成的水平电场方向与压电层坐标系下+y轴方向所成的夹角作为欧拉角，取值范围为[‑90°，90°]。声波谐振器的水平波长和厚度波长的比值大于或等于1，且小于或等于2。欧拉角的取值范围为[‑90°，90°]。上、下叉指电极激发水平与厚度方向电场，形成至少两个一阶或多阶、相互正交极化的耦合模态。提高声波谐振器的机电耦合系数，实现大带宽耦合模态谐振器。
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公开(公告)号：CN112953449B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202110239485.X
申请日：2021-03-04
申请人： 偲百创(深圳)科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种横向激励剪切模式的声学谐振器的制造方法，包括：提供压电层，压电层包括单晶材料的铌酸锂和/或单晶材料的钽酸锂；在压电层的第一表面形成声学镜；声学镜包括至少一第一声反射层和至少一第二声反射层，第一声反射层和第二声反射层交替叠设，各第一声反射层的声阻抗小于各第二声反射层的声阻抗；在声学镜的第一表面键合承载晶圆；在压电层的第二表面形成电极单元和横向反射器。本发明将采用单晶材料的铌酸锂或钽酸锂的压电层集成到定制开发的微加工工艺流程中，形成的谐振器通过电极单元产生电场，并通过横向反射器对声波进行横向反射，从而可以激励为横向的剪切振动模式，并在3GHz以上的频率下具有高机电耦合系数和高Q值。
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公开(公告)号：CN118249774B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410632648.4
申请日：2024-05-21
申请人： 河源市艾佛光通科技有限公司
摘要： 本申请涉及体声波谐振器技术领域，具体提供了一种体声波谐振器及其制备方法，该谐振器包括：由下至上依次连接的衬底、支撑层、底电极、三明治结构压电层和顶电极；三明治结构压电层包括多层压电薄膜和若干层极性反转缓冲层，压电薄膜和极性反转缓冲层交替设置且压电薄膜层数比极性反转缓冲层层数多一；在极性反转缓冲层的数量为多层时，相邻的极性反转缓冲层互斥；衬底顶部设有空气腔，空气腔基于贯穿支撑层、底电极、压电薄膜、极性反转缓冲层和顶电极的通孔连接顶电极外侧；该谐振器能够有效地解决由于需要通过对压电薄膜进行元素掺杂的方式使相邻的压电薄膜的极性相反而导致压电薄膜的质量下降的问题，从而有效地提高体声波谐振器的性能。
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公开(公告)号：CN111010131B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN201910493762.2
申请日：2019-06-06
申请人： 天津大学 , 诺思(天津)微系统有限责任公司
摘要： 本发明涉及一种体声波谐振器，包括：基底；声学镜；底电极，设置在基底上方；顶电极，与所述底电极对置，且具有电极连接部；和压电层，设置在底电极上方以及底电极与顶电极之间，其中：所述压电层包括至少三个压电子层，且所述至少三个压电子层的掺杂物质的种类和/或掺杂物质的浓度高低在压电层的厚度方向上存在交替变化和/或周期性变化。本发明还涉及一种具有该体声波谐振器的滤波器，一种具有该滤波器的电子设备，以及一种体声波谐振器的制造方法。
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公开(公告)号：CN111800105B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN201910976364.6
申请日：2019-10-15
申请人： 三星电机株式会社
摘要： 本发明提供一种声波谐振器滤波器封装件，所述声波谐振器滤波器封装件，包括：声波谐振器，包括压电层、第一电极和第二电极，所述第一电极设置在所述压电层的第一表面上，所述第二电极设置在所述压电层的第二表面上；第一基板，具有其上设置有所述声波谐振器的上表面，所述第一基板包括包围所述声波谐振器的第一结合构件；滤波器，在向上的方向上与所述声波谐振器间隔开；第二基板，具有其上设置有所述滤波器的下表面，所述第二基板包括设置在所述第一结合构件上方的第二结合构件；以及连接构件，将所述第一结合构件和所述第二结合构件彼此连接，所述连接构件利用与制成所述第一结合构件和所述第二结合构件的材料不同的材料制成。
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