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    Spulenkern für eine induktive, frequenzunabhängige Schaltvorrichtung
    3.
    发明公开
    Spulenkern für eine induktive, frequenzunabhängige Schaltvorrichtung 失效
    Spulenkernfüreine induktive，频率：Schaltvorrichtung。

    公开(公告)号：EP0156016A2

    公开(公告)日：1985-10-02

    申请号：EP84115286.1

    申请日：1984-12-12

    申请人： Vacuumschmelze GmbH

    发明人： Rauscher, Gerd ,  Radeloff, Christian, Dr.

    IPC分类号： G11C11/00 ,  H01F3/10 ,  G01P3/487 ,  H01F3/06

    CPC分类号： H01F3/10 ,  G11C11/155 ,  H01F2003/103 ,  H01F2003/106

    摘要： Als Stellungssensor wird ein Spulenkern (8) für eine induktive, frequenzunabhängige Schaltvorrichtung vorgeschlagen. Um den in langen, weichmagnetischen und unter Zugspannung stehenden Drähten bekannten frequenzunabhängigen Ummagnetisierungseffekt auch für relativ kurze draht- bzw. stabförmige Körper ausnutzen zu können, ist der Spulenkern (8) aus einem Verbundkörper (9) aus gegeneinander mechanisch verspannten weichmagnetischen Materialien (1, 2) und einem Dauermagneten (3) zusammengesetzt. Hierdurch ist es möglich, einen Spulenkern mit einer Länge von weniger als 30 mm herzustellen, der auch bei langsamer Feldänderung in einer den Spulenkern umgebenden Spule einen Spannungsimpuls induziert.

    摘要翻译： 核心（8）被提出作为位置传感器。 为了使得在长时间的软磁线中的频率无关的再磁化效应也用于线或棒形式的相对短的体，芯（8）由软磁材料的复合体（9） 1,2），其彼此机械地支撑并具有永磁体（3）。 这使得可以产生长度小于30mm的芯，即使当存在慢磁场变化时也会引起围绕磁芯的线圈中的电压脉冲。

    SPEICHERZELLENANORDNUNG UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG
    6.
    发明公开
    SPEICHERZELLENANORDNUNG UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG 有权
    存储器单元装置和方法及其

    公开(公告)号：EP1155462A1

    公开(公告)日：2001-11-21

    申请号：EP00910521.4

    申请日：2000-02-01

    申请人： Infineon Technologies AG

    发明人： SCHWARZL, Siegfried

    IPC分类号： H01L43/08 ,  G11C11/16

    CPC分类号： G11C11/155 ,  H01L27/222 ,  H01L43/08

    摘要： The invention relates to a storage cell arrangement comprising a magnetoresistive element (11) which has a ring-shaped cross-section in a stratified plane. A first line (12) and a second line (13) which intersect each other are provided in said storage cell arrangement. The magnetoresistive element (11) is located in the intersection area between the first line (12) and the second line (13). Said first line (12) and/or said second line have at least one first line section (131) in which a current component which is oriented parallel to the stratified plane is predominant and a second line section (132) in which a current component which is oriented vertically to the stratified plane is predominant.

    Integrated circuit magnetic memory element and method of making same
    8.
    发明公开
    Integrated circuit magnetic memory element and method of making same 失效
    Integrierte magnetische Speicherelementschaltung und ihr Herstellungsverfahren。

    公开(公告)号：EP0588503A2

    公开(公告)日：1994-03-23

    申请号：EP93306532.8

    申请日：1993-08-18

    申请人： NATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION

    发明人： Thomas, Michael E. ,  Saadat, Irfan

    IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C11/06

    CPC分类号： G11C11/155 ,  G11C11/00

    摘要： Integrated circuit memory elements are fabricated by disposing a first layer of electrically conductive material on the surface of an electrically insulating substrate. The first layer of electrically conductive material is formed into a first predetermined pattern. A second layer of electrically insulating material is disposed on the surface of the electrically insulating substrate and the patterned first layer of electrically conductive material. A first layer of magnetizable material is disposed on the second insulating layer and is formed into a predetermined pattern having a predetermined positional relationship with respect to the underlying patterned first layer of electrically conductive material. A third layer of electrically insulating material is disposed over the second layer of insulating material and the patterned first layer of magnetizable material. Openings are formed in the underlying layers of insulating material to expose predetermined electrical contact areas on the underlying patterned first electrically conductive layer. A second electrically conductive layer is disposed over the third layer of electrically insulating material into the openings and into electrical contact with the exposed electrical contact areas of the underlying patterned first electrically conductive layer. The second electrically conductive layer is formed into a second predetermined pattern having a predetermined positional relationship with respect to the underlying patterned layer of magnetizable material and the patterned first electrically conductive layer. The patterned first electrically conductive layer and the patterned second electrically conductive layer define at least two conductive windings disposed about the patterned magnetizable material.

    摘要翻译： 通过在电绝缘基板的表面上设置第一层导电材料来制造集成电路存储元件。 第一层导电材料形成第一预定图案。 电绝缘材料的第二层设置在电绝缘基板和图案化的第一导电材料层的表面上。 可磁化材料的第一层设置在第二绝缘层上，并且形成为相对于下面构图的第一导电材料层具有预定位置关系的预定图案。 第三层电绝缘材料层设置在绝缘材料的第二层和图案化的可磁化材料层之上。 开口形成在绝缘材料的下层中以暴露下面的图案化的第一导电层上的预定电接触区域。 第二导电层设置在电绝缘材料的第三层上面到开口中并与底层图案化的第一导电层的暴露的电接触区域电接触。 第二导电层被形成为相对于下面的可磁化材料的图案化层和图案化的第一导电层具有预定位置关系的第二预定图案。 图案化的第一导电层和图案化的第二导电层限定围绕图案化的可磁化材料设置的至少两个导电绕组。