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    MAGNETORESISTIVE ELEMENT HAVING AN ADJUSTABLE MAGNETOSTRICTION AND MAGNETIC DEVICE COMPRISING THE MAGNETORESISTIVE ELEMENT
    3.
    发明公开
    MAGNETORESISTIVE ELEMENT HAVING AN ADJUSTABLE MAGNETOSTRICTION AND MAGNETIC DEVICE COMPRISING THE MAGNETORESISTIVE ELEMENT 审中-公开
    具有可调整的磁致伸缩的磁阻元件和包含磁阻元件的磁装置

    公开(公告)号：EP3217446A1

    公开(公告)日：2017-09-13

    申请号：EP16290045.0

    申请日：2016-03-10

    申请人： Crocus Technology

    发明人： Bandiera, Sébastien

    IPC分类号： H01L43/08 ,  H01F10/26 ,  H01L43/12

    CPC分类号： H01L43/08 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3295 ,  H01L43/12

    摘要： The present disclosure concerns a magnetoresistive element (1) comprising: a storage layer (21) having a first storage magnetostriction; a sense layer (23) having a first sense magnetostriction; a barrier layer (22) between and in contact with the storage and sense layer (21, 23); wherein the magnetoresistive element (1) further comprises a compensating ferromagnetic layer (25) having a second magnetostriction different from the first storage magnetostriction and/or sense magnetostriction, and adapted to compensate the first storage magnetostriction and/or the first sense magnetostriction so that a net magnetostriction of the storage layer (21) and/or sense layer (23) is adjustable between -10 ppm et +10 ppm or more negative than -10 ppm by adjusting a thickness of the compensating ferromagnetic layer (25). The present disclosure concerns also concerns a magnetic device comprising the magnetoresistive element.

    摘要翻译： 本公开涉及磁阻元件（1），包括：具有第一存储磁致伸缩的存储层（21） 感测层（23），其具有第一感测磁致伸缩; 在存储和感测层（21,23）之间并与其接触的阻挡层（22）; 其中所述磁阻元件（1）还包括补偿铁磁层（25），所述补偿铁磁层具有与所述第一存储磁致伸缩和/或传感磁致伸缩不同的第二磁致伸缩，并且适于补偿所述第一存储磁致伸缩和/或所述第一传感磁致伸缩， 通过调节补偿铁磁层（25）的厚度，存储层（21）和/或感测层（23）的净磁致伸缩可以在-10ppm等于+ 10ppm或者比-10ppm更负。 本公开还涉及包括磁阻元件的磁性器件。

    Self-referenced memory device and method for operating the memory device
    6.
    发明授权
    Self-referenced memory device and method for operating the memory device 有权
    自参考存储器件及其操作所述存储器装置的方法

    公开(公告)号：EP2851903B1

    公开(公告)日：2017-03-01

    申请号：EP13290226.3

    申请日：2013-09-19

    申请人： Crocus Technology S.A.

    发明人： Bandiera, Sébastien

    IPC分类号： H01L43/02 ,  H01L43/10 ,  G11C11/16 ,  H01L27/22 ,  H01F10/32 ,  H01L43/08

    CPC分类号： G11C11/1673 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1675 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3286 ,  H01L27/228 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

    摘要： A self-referenced MRAM cell (1) comprises a first portion (2') of a magnetic tunnel junction (2) including a storage layer (23); a second portion (2") of the magnetic tunnel junction portion (2) including a tunnel barrier layer (22), a sense layer (21) and a seed layer (25); the seed layer (25) comprising a material having high spin-orbit coupling such that passing a sense current (32) along the plane of the sense layer (21) and/or seed layer (25) exerts a spin-orbit torque adapted for switching a sense magnetization (210) of the sense layer. A memory device comprising a plurality of the MRAM cells and a method for operating the memory device are also disclosed.

    摘要翻译： 一种自引用MRAM单元（1）包括磁隧道结（2）包括存储层（23）的第一部分（2“）; 包括具有高的材料的籽晶层（25）;包括一个隧道阻挡层（22），感测层（21）和籽晶层（25）的磁性隧道结部分（2）的第二部分（2“） 自旋 - 轨道耦合的搜索没有使感测电流（32）沿感测层（21）和/或籽晶层（25）的平面上施加自旋轨道扭矩angepasst用于切换感测层的感测磁化（210） 一种存储器件，包括MRAM单元的多元化和用于操作存储器装置的方法，因此是游离缺失盘。

    MLU BASED MAGNETIC SENSOR HAVING IMPROVED PROGRAMMABILITY AND SENSITIVITY
    9.
    发明公开
    MLU BASED MAGNETIC SENSOR HAVING IMPROVED PROGRAMMABILITY AND SENSITIVITY 有权
    MLU-BASIERTER MAGNETSENSOR MIT VERBESSERTER PROGRAMMIERBARKEIT UND EMPFINDLICHKEIT

    公开(公告)号：EP3045927A1

    公开(公告)日：2016-07-20

    申请号：EP15290013.0

    申请日：2015-01-16

    申请人： Crocus Technology

    发明人： Bandiera, Sébastien

    IPC分类号： G01R33/09 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  H01F10/32 ,  G11C11/16 ,  H01F41/30 ,  H01L43/08 ,  H01L27/22

    CPC分类号： G01R33/098 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  H01F10/3254

    摘要： The present disclosure concerns a magnetic sensor device (100) for sensing an external magnetic field, comprising a plurality of MLU cells (1), each MLU cell (1) comprising a magnetic tunnel junction (2) including a sense layer (21) having a sense magnetization (210) freely orientable in the external magnetic field; a storage layer (23) having a storage magnetization (230); and a tunnel barrier layer (22) between the sense layer (21) and the storage layer (23); the magnetic sensor device (100) further comprising a stress inducing device (6) configured for applying an anisotropic mechanical stress on the magnetic tunnel junction (2) such as to induce a stress-induced magnetic anisotropy (271, 272) on at least one of the sense layer (21) and the storage layer (23); and the stress-induced magnetic anisotropy (271, 272) induced by the stress inducing device corresponding substantially to a net magnetic anisotropy (280) of said at least one of the sense layer (21) and the storage layer (23). The magnetic sensor device can be programmed easily and has improved sensitivity.

    摘要翻译： 本公开涉及一种用于感测外部磁场的磁传感器装置（100），其包括多个MLU单元（1），每个MLU单元（1）包括磁性隧道结（2），该磁性隧道结包括感测层（21） 感测磁化（210）可在外部磁场中自由定向; 存储层（23），具有存储磁化（230）; 以及在所述感测层（21）和所述存储层（23）之间的隧道势垒层（22）。 所述磁传感器装置（100）还包括应力诱导装置（6），所述应力诱导装置（6）被配置用于在所述磁性隧道结（2）上施加各向异性机械应力，以便在至少一个上引起应力诱导的磁各向异性（271,272） 的感应层（21）和存储层（23）; 以及由所述应力诱导装置诱导的应力诱导的磁各向异性（271,272），其基本上对应于所述至少一个感测层（21）和存储层（23）的净磁各向异性（280）。 磁传感器设备可以轻松编程并提高灵敏度。