公开(公告)号：EP2704203A2

公开(公告)日：2014-03-05

申请号：EP13181237.2

申请日：2013-08-21

申请人： PrimeStar Solar, Inc

发明人： Clark, Laura Anne ,  Lucas, Tammy Jane ,  Metzger, Wyatt Keith

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/073

CPC分类号： H01L31/022425 ,  H01L31/02963 ,  H01L31/03925 ,  H01L31/073 ,  Y02E10/543 ,  Y02P70/521

摘要： Photovoltaic devices 10 are provided that include a transparent superstrate 12; a transparent conductive oxide 14 on the transparent superstrate; an n-type window layer 18 on the transparent superstrate; a p-type absorber layer 20 on the n-type window layer; and an inert conductive paste layer 23 on the back surface of the p-type absorber layer. The p-type absorber layer 20 includes cadmium telluride, and defines a back surface positioned opposite from the n-type window layer 18 that is tellurium enriched. The inert conductive paste layer 23 is substantially free from an acid or acid generator. Methods are also generally provided of forming such a back contact.

摘要翻译： 提供了包括透明覆层12的光伏器件10; 透明覆盖层上的透明导电氧化物14; 在透明覆盖物上的n型窗口层18; n型窗口层上的p型吸收层20; 以及p型吸收体层的背面上的惰性导电性糊料层23。 p型吸收层20包括碲化镉，并且限定与富含碲的n型窗口层18相对定位的背面。 惰性导电膏层23基本上不含酸或酸发生剂。 还通常提供形成这种背接触的方法。

公开(公告)号：EP2507835B1

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：EP10773083.0

申请日：2010-11-02

申请人： SELEX ES LTD

发明人： JONES, Christopher ,  BAINS, Sudesh

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/103

CPC分类号： H01L31/1832 ,  H01L27/14649 ,  H01L27/1465 ,  H01L27/14689 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/1032

公开(公告)号：EP2551921A1

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：EP12160517.4

申请日：2012-03-21

申请人： AU Optronics Corp.

发明人： Chien, Yi-Jiunn

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/073 ,  H01L31/0392

CPC分类号： H01L31/0322 ,  H01L31/0326 ,  H01L31/1896 ,  Y02E10/541

摘要： A method of forming optoelectronic conversion layer (30) includes the following steps. A first substrate (20) is provided, and an electrode layer (22) is formed on the first substrate (20). A first metal precursor layer (24) including one or a plurality of metal components is formed on the electrode layer (22). A second substrate (26) is provided, and a nonmetal precursor layer (28) including at least one nonmetal component is formed on the second substrate (26). The first substrate (20) and the second substrate (26) are then stacked so that the nonmetal precursor layer (28) and the first metal precursor layer (24) are in contact. A thermal treatment (29) is performed to have the first metal precursor layer (24) react with the nonmetal precursor layer (28) for forming an optoelectronic conversion layer (30).

摘要翻译： 形成光电转换层（30）的方法包括以下步骤。 提供第一基板（20），并且在第一基板（20）上形成电极层（22）。 在电极层（22）上形成包括一个或多个金属成分的第一金属前体层（24）。 提供第二基板（26），并且在第二基板（26）上形成包括至少一种非金属部件的非金属前体层（28）。 然后堆叠第一衬底（20）和第二衬底（26），使得非金属前体层（28）和第一金属前体层（24）接触。 进行热处理（29）以使第一金属前体层（24）与用于形成光电转换层（30）的非金属前体层（28）反应。

公开(公告)号：EP2541601A1

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：EP12173327.3

申请日：2012-06-25

申请人： SOCIETE FRANCAISE DE DETECTEURS, INFRAROUGES- SOFRADIR ,  Centre National de la Recherche Scientifique

发明人： Pautet, Christophe ,  Etcheberry, Arnaud ,  Causier, Alexandre ,  Gerard, Isabelle

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L27/1465 ,  H01L27/14696 ,  H01L31/02966 ,  H01L31/1832 ,  H01L31/1892 ,  Y02E10/50

摘要： Ce procédé vise l'élimination du substrat de croissance d'un circuit de détection de rayonnement électromagnétique, notamment dans le domaine de l'infrarouge ou du visible, ledit circuit de détection comportant une couche de détection dudit rayonnement réalisé en Hg (1 - x) Cd x Te obtenue par épitaxie en phase liquide ou gazeuse ou par épitaxie par jet moléculaire, ledit circuit de détection étant hybridé sur un circuit de lecture.
Ce procédé consiste :
• à soumettre le substrat de croissance à une étape de polissage mécanique ou mécano chimique ou à une étape d'attaque chimique afin de réduire son épaisseur, jusqu'à aboutir à une zone d'interface entre le matériau du circuit de détection et le substrat de croissance ;
• puis à soumettre l'interface ainsi obtenu à un traitement iodé.

摘要翻译： 用于去除电路的碲化镉锌生长衬底用于检测电磁辐射的方法：诸如红外或可见光辐射，包括使生长衬底的机械抛光或化学机械抛光步骤或蚀刻步骤以减小其厚度，以产生在界面 该检测电路的材料和生长衬底;以及对接口上碘治疗之间区域。 碘存在于溶液中的分子的形状，其包括水和甲醇作为溶剂。 用于去除电路的碲化镉锌生长衬底用于检测电磁辐射的方法：诸如红外或可见光辐射，包括使生长衬底的机械抛光或化学机械抛光步骤或蚀刻步骤以减小其厚度，以产生在界面 该检测电路的材料和生长衬底;以及对接口上碘治疗之间区域。 碘存在于溶液中的分子的形状，其包括水和甲醇作为溶剂。 碘处理是在执行以通过机械研磨或化学机械抛光步骤或蚀刻步骤，其中该脱氧作用是通过对界面中执行后脱氧变化剩余物组合物（5“）的表面区域的动作之前酸性介质中 区到浴包括组合物，并且通过浸渍一个检测器从机械抛光和/或化学 - 机械的步骤和/或在浴中蚀刻步骤产生执行。 该电路包括由碲化镉汞的放射线检测层（汞柱（1 - x）的变化的Cd x Te）的那样通过液体或气相外延或通过分子束外延获得的，并且杂交上的读出电路。 所述生长衬底由单晶半导体，其中，碲化镉晶格参数适配层被沉积的。 适配层的厚度为几个微米。 界面区域进行化学蚀刻以去除生长衬底的剩余厚度使该界面区到碘处理之前和机械抛光或化学机械抛光或蚀刻步骤的步骤之后。

公开(公告)号：EP2535941A2

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：EP12171522.1

申请日：2012-06-11

申请人： General Electric Company

发明人： Korevaar, Bastiaan Arie

IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0296

CPC分类号： H01L31/056 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/073 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/541 ,  Y02E10/543

摘要： A photovoltaic device (10) is provided. The photovoltaic device (10) comprises an absorber layer (20) comprising a chalcogenide material. The photovoltaic device (10) further comprises a back contact (40) and a reflection enhancing layer (30) disposed between the absorber layer (20) and the back contact (40).

摘要翻译： 提供了一种光电器件（10）。 光伏器件（10）包括包含硫族化物材料的吸收层（20）。 光电器件（10）还包括设置在吸收层（20）和背接触件（40）之间的背接触件（40）和反射增强层（30）。

公开(公告)号：EP2520622A1

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：EP12161787.2

申请日：2012-03-28

申请人： DelSolar Co., Ltd.

发明人： Liao, Yueh-Chun ,  Yang, Feng-Yu ,  Ting, Ching

IPC分类号： C09D5/24 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0392 ,  C09D11/00

CPC分类号： C09D11/52 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0324 ,  H01L31/0326 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541

摘要： A method for forming a chalcogenide semiconductor film (1220) and a photovoltaic device using the chalcogenide semiconductor film (1220) are disclosed. The method includes steps of coating a precursor solution to form a layer on a substrate and annealing the layer to form the chalcogenide semiconductor film (1220). The precursor solution includes a solvent (220, 420), metal chalcogenide nanoparticles (210, 310, 410) and at least one of metal ions (240, 340, 450) and metal complex ions (240, 330, 440) which are distributed on surfaces of the metal chalcogenide nanoparticles (210, 310, 410). The metals of the metal chalcogenide nanoparticles (210, 310, 410), the metal ions (240, 340, 450) and the metal complex ions (240, 330, 440) are selected from a group consisting of group I, group II, group III and group IV elements of the periodic table and include all metal elements of a chalcogenide semiconductor material.

摘要翻译： 公开了一种形成硫族化物半导体膜（1220）的方法和使用硫族化物半导体膜（1220）的光电器件。 该方法包括以下步骤：涂覆前体溶液以在基底上形成层并退火该层以形成硫族化物半导体膜（1220）。 前体溶液包括溶剂（220,420），金属硫族化物纳米颗粒（210,310,410）和金属离子（240,340,450）和金属络合离子（240,330,440）中的至少一种，其分布 在金属硫族化物纳米颗粒（210,310,410）的表面上。 金属硫族化物纳米颗粒（210,310,410），金属离子（240,340,450）和金属络合离子（240,330,440）的金属选自由组I，组II， III族和IV族元素，包括硫族化物半导体材料的所有金属元素。

公开(公告)号：EP2517269A2

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：EP10805436.2

申请日：2010-12-22

申请人： Beneq OY

发明人： SKARP, Jarmo

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/072 ,  H01L31/0296

CPC分类号： H01L31/072 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/02963 ,  H01L31/1828 ,  H01L31/1836 ,  Y02E10/543 ,  Y02P70/521

摘要： A thin film photovoltaic cell (10) comprises an n-type semiconductor window layer (40), a p-type semiconductor absorption layer (5) and a pn-junction (6) at the interface between these two layers, wherein the p-type semiconductor absorption layer is formed of cadmium telluride CdTe. According to the present invention, the n-type semiconductor window layer (40) comprises zinc oxide/sulfide Zn (O,S).

公开(公告)号：EP2400555A1

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：EP11171125.5

申请日：2011-06-23

申请人： Saint-Gobain Glass France

发明人： Charlet, Emilie ,  Peter, Emmanuelle

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/072 ,  H01L31/18 ,  C03C17/34 ,  C03C17/36

CPC分类号： H01L31/022466 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/03925 ,  H01L31/073 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/543 ,  Y02P70/521

摘要： Cellule photovoltaïque (100) comprenant au moins un substrat transparent verrier (10), protégeant un empilement de couches (30) comprenant au moins:
- un film (5) incorporant au moins un matériau à base de Cadmium et à propriétés photovoltaïques,
- deux couches (3, 6) formant électrodes de part et d'autre de ladite couche photovoltaïque (5), l'une inférieure (3) disposée la plus proche du substrat et l'autre supérieure (6),

au moins ladite couche électrode inférieure (3) étant un oxyde transparent conducteur du type TCO,
ladite cellule se caractérisant en qu'elle comprend, entre ladite couche électrode inférieure (3) et ledit film photovoltaïque (5), au moins une couche (4) constituée essentiellement d'un nitrure de gallium GaN, éventuellement partiellement substituée par de l'aluminium Al, ladite couche étant d'épaisseur physique strictement inférieure à 20 nm.

摘要翻译： 包括至少一个透明玻璃基板（10）的光伏电池（100），保护层（30）的堆叠，所述层叠（30）至少包括：包含至少一种基于镉且具有光伏特性的材料的膜（5） 在所述光电层（5）的任一侧上形成电极的层（3,6），下层（3）布置得最靠近衬底和另一个上层（6），至少所述下电极层 （3）是TCO类型的透明导电氧化物，所述电池的特征在于其包括在所述下电极层（3）和所述光电膜（5）之间的至少一个层（4），所述层基本上由 氮化镓GaN，任选地部分地被Al铝取代，所述层的物理厚度严格小于20nm。

公开(公告)号：EP2383363A1

公开(公告)日：2011-11-02

申请号：EP11163296.4

申请日：2011-04-20

申请人： PrimeStar Solar, Inc

发明人： Gossman, Robert Dwayne ,  Pavol, Mark Jeffrey

IPC分类号： C23C14/06 ,  C23C14/34 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/18

CPC分类号： C23C14/34 ,  C23C14/0629 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/02963 ,  H01L31/073 ,  H01L31/1828 ,  H01L31/1836 ,  Y02E10/543 ,  Y02P70/521

摘要： Methods are generally provided for forming a cadmium sulfide layer 18 on a substrate 12. In one particular embodiment, the method can include sputtering a cadmium sulfide layer 18 on a substrate 12 in a sputtering atmosphere comprising an inorganic fluorine source gas. Methods are also generally provided for manufacturing a cadmium telluride based thin film photovoltaic device 10.
Cadmium telluride based thin film photovoltaic devices 10 are also generally provided. The device can include a substrate 12; a transparent conductive oxide layer 14 on the substrate 12; a cadmium sulfide layer 18 on the transparent conductive oxide layer 14; and, a cadmium telluride layer 20 on the cadmium sulfide layer 18. The cadmium sulfide layer 18 includes fluorine.

摘要翻译： 方法是提供用于在衬底12的一个特定实施例的形成硫化镉层18基因的反弹，该方法可以包括在溅射气氛包含无机氟源气体的上基板12溅射硫化镉层18。 这样的方法是提供一种用于制造基于碲化镉薄膜光伏器件10基于镉碲化的薄膜光伏器件10是如此通用拉力提供基因的反弹。 该装置可包括一基板12; 在基板12上的透明导电氧化物层14; 所述透明导电氧化物层14上的硫化镉层18; 并且，硫化镉层18硫化镉层18上的碲化镉层20包括氟。

公开(公告)号：EP2337084A2

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：EP10194274.6

申请日：2010-12-09

申请人： PrimeStar Solar, Inc

发明人： Feldmann-Peabody, Scott Daniel

IPC分类号： H01L31/0296 ,  H01L31/18 ,  C23C14/06 ,  C23C14/34

CPC分类号： H01L31/0296 ,  C23C14/0629 ,  H01L31/02966 ,  H01L31/065 ,  H01L31/073 ,  H01L31/1836 ,  Y02E10/543 ,  Y02P70/521

摘要： Cadmium telluride thin film photovoltaic devices 10 are generally disclosed including a graded alloy telluride layer 22. The device can include a cadmium sulfide layer 18, a graded alloy telluride layer 22 on the cadmium sulfide layer 18, and a back contact 24 on the graded alloy telluride layer 22. The graded alloy telluride layer 22 generally has an increasing alloy concentration and decreasing cadmium concentration extending in a direction from the cadmium sulfide layer 18 towards the back contact layer 24. The device 10 may also include a cadmium telluride layer 20 between the cadmium sulfide layer 18 and the graded alloy telluride layer 22. Methods are also generally disclosed for manufacturing a cadmium telluride based thin film photovoltaic device having a graded cadmium telluride structure.

摘要翻译： 碲化镉薄膜光伏器件10是游离缺失包括渐变合金碲化物层22基因反弹光盘的装置可以包括硫化镉层18，硫化镉层18上的渐变合金碲化物层22，并在渐变合金背接触24 碲化物层22。渐变合金碲化物层22基因集会具有递增合金浓度和递减镉浓度的方向从所述硫化镉层18朝向背面接触层24的装置10延伸从而可以包括之间的碲化镉层20 所以硫化镉层18和渐变合金碲化物层22的方法是对于游离缺失制造具有渐变碲化镉结构的基于碲化镉的薄膜光伏器件基因反弹光盘。