Sensorbaustein und Verfahren zur Funktionsüberwachung eines solchen
    31.
    发明公开
    Sensorbaustein und Verfahren zur Funktionsüberwachung eines solchen 有权
    Sensorbaustein und Verfahren zurFunktionsüberwachungeines solchen

    公开(公告)号:EP2369301A1

    公开(公告)日:2011-09-28

    申请号:EP10003045.1

    申请日:2010-03-23

    申请人: Micronas GmbH

    IPC分类号: G01D3/08

    CPC分类号: G01D3/08

    摘要: Bei einem Verfahren zur Funktionsüberwachung eines Sensorbausteins (1), der einen Sensor (2) aufweist, wird mittels des Sensors (2) ein Messsignal für eine zu erfassende physikalische Größe erzeugt und in unveränderter Form oder - nach Durchführung mindestens eines linearen Signalverarbeitungsschrüts und/oder wenigstens eines nichtlinearen Signalverarbeitungsschritts - in verarbeiteter Form an einen Ausgangsanschluss (9) angelegt. Außerdem wird ein Testsignal erzeugt, dessen Spektrum im Wesentlichen außerhalb des Spektrums des Messsignals liegt. Das Testsignal wird an einer Stelle in den Sensor (2) eingespeist, von der aus es nur bei funktionsfähigem Sensor (2) in unveränderter Form oder - nach Durchführung des mindestens einen linearen Signalverarbeitungsschritts - in verarbeiteter Form zum Ausgangsanschluss (9) gelangt. Ein am Ausgangsanschluss (9) anliegendes Ausgangssignal wird mit dem Testsignal verglichen und es wird ein Diagnosesignal erzeugt, das anzeigt, ob das Testsignal am Ausgangsanschluss (9) anliegt. Das Testsignal wird aus dem Ausgangssignal herausgefiltert und das verbleibende Signal wird als Messsignal an einen Messsignalausgang (17) des Sensorbausteins (1) angelegt.

    摘要翻译: 该方法包括产生测试信号,即方波信号,并将测试信号提供给传感器中的一个位置,其中测试信号以不变的形式从传感器中的位置到达输出端(9)。 输出信号与测试信号进行比较。 生成诊断信号以指示测试信号是否包含在输出信号中。 在传感器模块(1)的测量信号输出(17)处,将测试信号从输出信号中滤出,并且将剩余信号作为测量信号即模拟信号施加。 传感器模块还包括独立的权利要求,该传感器模块包括传感器,即磁场传感器。

    HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUM ERZEUGEN VON IMPULSFLANKEN, DIE DER BEWEGUNG EINES MECHANISCHEN TEILES SYNCHRON ZUGEORDNET SIND
    32.
    发明公开
    HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUM ERZEUGEN VON IMPULSFLANKEN, DIE DER BEWEGUNG EINES MECHANISCHEN TEILES SYNCHRON ZUGEORDNET SIND 有权
    半导体芯片和方法进行脉冲EDGE,同步的机械部分的运动被分配

    公开(公告)号:EP2340414A2

    公开(公告)日:2011-07-06

    申请号:EP09764453.8

    申请日:2009-11-25

    申请人: Micronas GmbH

    IPC分类号: G01D5/14

    CPC分类号: G01D5/145

    摘要: In a method for generating pulse edges (11, 11') that are synchronously associated with the movement of a mechanical part, a magnetic field is generated. At least two test signals (9, 10) that are out of phase relative to each other are detected for the magnetic field. The magnetic field is modified in accordance with the movement of the mechanical part in such a way that the test signals (9, 10) are modulated. A first test signal (9) is compared with at least one first reference value. A second test signal (10) is compared with at least one second reference value, and/or the magnitude of the first test signal (9) is compared with the magnitude of the second test signal (10). A pulse edge (11, 11') is generated when at least one of said comparisons shows a match or when the signs of the result are inverted.

    Drucksensor
    33.
    发明公开

    公开(公告)号:EP2322906A1

    公开(公告)日:2011-05-18

    申请号:EP09014106.0

    申请日:2009-11-11

    申请人: Micronas GmbH

    发明人: Erdler, Gilbert

    IPC分类号: G01L9/00

    CPC分类号: G01L9/007 G01L9/0094

    摘要: Ein Drucksensor (1) weist ein an einer Halterung (2) bewegbar gelagertes Verdrängungselement auf, das durch Druckbeaufschlagung entgegen einer Rückstellkraft auslenkbar ist. An der Halterung (2) ist ein ferromagnetisches Fluid (7) angeordnet, das mit dem Verdrängungselement derart gekoppelt ist, dass die Lage des Fluids (7) von dem auf das Verdrängungselement einwirkenden Druck abhängig ist. Das Fluid (7) ist permanentmagnetisch magnetisiert ist und/oder der Drucksensor (1) weist zum Erzeugen eines das Fluid (7) durchsetzenden Magnetfelds einen Magnetfelderzeuger auf. Zum Erfassen der Lage des Fluids (7) ist ein Magnetfeldsensor (9) an der Halterung (2) angeordnet.

    摘要翻译: 传感器(1)具有可移动地支撑在保持器(2)处并且通过施加压力抵抗恢复力而偏转的膜(3)。 流体室(5)的一部分填充有与膜结合的铁磁流体(7),使得流体的位置取决于作用在膜上的压力。 流体永久磁化和/或磁场发生器产生渗透流体的磁场。 磁场传感器(9) 磁阻传感器和霍尔传感器布置在支架上,用于检测流体的位置。

    Schaltungsanordnung mit einem CC-FET-Gassensor und Verfahren zu dessen Ansteuerung
    37.
    发明公开
    Schaltungsanordnung mit einem CC-FET-Gassensor und Verfahren zu dessen Ansteuerung 有权
    具有用于其控制一个CC-FET气体传感器和方法的电路装置

    公开(公告)号:EP2034302A3

    公开(公告)日:2010-11-24

    申请号:EP08014606.1

    申请日:2008-08-18

    申请人: Micronas GmbH

    IPC分类号: G01N27/414

    CPC分类号: G01N27/4143

    摘要: Die Erfindung bezieht sich auf eine Schaltungsanordnung mit einem CC-FET-Gassensor (30 - 33) zum Detektieren eines Gases in einem Luftspalt (33) und mit einer Steuereinrichtung (C) zum Nachführen des CC-FET-Gassensors (30 - 33) als einer kapazitiven Größe (C1 + C3) und mit zwei Regelkreisen, wobei der erste Regelkreis ausgebildet oder gesteuert ist, eine Wellspannung (Vwell) oder eine Spannung (Vguard) über einen Guardring (34) zu regeln, und wobei der zweite Regelkreis ausgebildet oder gesteuert ist, eine sich ändernde Gasspannung (Vgas) zu regeln. Die beiden Regelkreise sind dabei derart eigenständig aber gekoppelt betriebenen ausgestaltet und/oder gesteuert, dass im Luftspalt (33) und in einem Bereich zwischen dem Luftspalt und einer Gateelektrode (35) des CC-FET-Gassensors Potentialfreiheit herrscht.

    Vorrichtung zur Detektion eines Gases oder Gasgemischs und Verfahren zum Herstellen einer solchen
    39.
    发明公开
    Vorrichtung zur Detektion eines Gases oder Gasgemischs und Verfahren zum Herstellen einer solchen 有权
    装置用于检测气体或气体混合物和工艺用于制造这种

    公开(公告)号:EP2244090A1

    公开(公告)日:2010-10-27

    申请号:EP10004218.3

    申请日:2010-04-21

    申请人: Micronas GmbH

    IPC分类号: G01N27/414

    CPC分类号: G01N27/4143

    摘要: Eine Vorrichtung (1) zur Detektion eines Gases oder Gasgemischs hat einen ersten und einem zweiten Gassensor. Der erste Gassensor ist ein MOSFET, der eine erste Source (9), eine erste Drain (8), einen zwischen diesen befindlichen ersten Kanalbereich (10) und eine kapazitiv an den ersten Kanalbereich (10) gekoppelte erste gassensitive Schicht (11) aufweist, die Palladium enthält und mit einer Änderung ihrer Austrittsarbeit auf eine Änderung der Konzentration des zu detektierenden Gases reagiert. Der zweite Gassensor hat in einem Halbleitersubstrat (13, 13') eine zweite Source (16, 16'), eine zweite Drain (15, 15') und zwischen diesen einen zweiten Kanalbereich (17, 17') hat, der über einen Luftspalt (19, 19') kapazitiv an ein Suspended Gate gekoppelt ist. Dieses weist eine zweite gassensitive Schicht (12) auf, die mit einer Änderung ihrer Austrittsarbeit auf eine Änderung der Konzentration des zu detektierenden Gases reagiert. Die zweite gassensitive Schicht (12) ist an einer Trägerschicht angeordnet und dem Luftspalt (19, 19') zugewandt. Die Trägerschicht ist durch ein weiteres Halbleitersubstrat (6) gebildet und der erste Gassensor ist in die dem Luftspalt (19, 19') abgewandte Vorderseite des zweiten Halbleitersubstrats (13, 13') integriert.

    摘要翻译: 该方法包括产生两个半导体芯片(4,5)与所述源之间respectivement半导体基板(6,13)中,提供了其与respectivement源(9,16),漏极(8,15)和沟道区(10) 水渠。 半导体芯片海誓山盟所以做了气体敏感区域(12)相关联并且电容连接到沟道区域中的一个以上在空气间隙相对地定位。 半导体芯片相对于彼此在气隙位置是固定的。 因此独立claimsoft包含用于检测气体包括气体传感器的装置。

    Halbleiterbauelement und Verfahren zum Testen eines solchen
    40.
    发明公开
    Halbleiterbauelement und Verfahren zum Testen eines solchen 有权
    半导体器件和用于测试该方法

    公开(公告)号:EP1970720A3

    公开(公告)日:2010-07-28

    申请号:EP08004059.5

    申请日:2008-03-05

    申请人: Micronas GmbH

    IPC分类号: G01R31/28 G01R35/00 G01R33/00

    摘要: Ein Halbleiterbauelement (1) weist auf einem Halbleiterchip (2) mindestens ein Sensorelement (3) zum Messen einer physikalischen Größe und eine Auswerteeinrichtung (4) auf Das Halbleiterbauelement (1) ist zwischen einer ersten und einer zweiten Betriebsart umschaltbar. In der ersten Betriebsart ist das Sensorelement (3) für die zu messende physikalische Größe empfindlich und ein Messsignalausgang des Sensorelements (3) ist mit einem Eingangsanschluss (11) der Auswerteeinrichtung (4) verbunden. In der zweiten Betriebsart ist das Sensorelement (3) für die zu messende physikalische Größe unempfindlich und/oder der Signalpfad zwischen dem Messsignalausgang und dem Eingangsanschluss (11) ist unterbrochen. Auf dem Halbleiterchip (2) ist eine Testsignalquelle (8) zur Erzeugung eines das Messsignal des Sensorelements (3) simulierendes Testsignals angeordnet. Die Testsignalquelle (8) ist in der zweiten Betriebsart mit dem Eingangsanschluss (11) der Auswerteeinrichtung (4) verbunden oder verbindbar.