公开(公告)号：EP1227307A4

公开(公告)日：2004-03-03

申请号：EP01961319

申请日：2001-09-03

Applicant: NIPPON KOGAKU KK

Inventor： ISHIZUYA TOHRU ,  SUZUKI JUNJI

IPC: G01J1/02 ,  B81B3/00 ,  G01J5/40 ,  G01J5/48 ,  H01L27/148

CPC classification number: B81B3/0081 ,  B81B2201/0278 ,  B81B2201/042 ,  B81B2203/0109 ,  G01J5/40 ,  H01L27/14812 ,  H01L27/14818 ,  H01L27/14875

Abstract: A thermal displacement element comprises a substrate, and a supported member supported on the substrate. The supported member includes first and second displacement portions, a heat separating portion exhibiting a high thermal resistance and a radiation absorbing portion receiving the radiation and converting it into heat. Each of the first and second displacement portions has at least two layers of different materials having different expansion coefficients and stacked on each other. The first displacement portion is mechanically continuous to the substrate without through the heat separating portion. The radiation absorbing portion and the second displacement portion are mechanically continuous to the substrate through the heat separating portion and the first displacement portion. The second displacement portion is thermally connected to the radiation absorbing portion. A radiation detecting device comprises a thermal displacement element and a displacement reading member fixed to the second displacement portion of the thermal displacement element and used for obtaining a predetermined change corresponding to a displacement in the second displacement portion.

公开(公告)号：EP1306348A1

公开(公告)日：2003-05-02

申请号：EP01125193.1

申请日：2001-10-24

Applicant: ROBERT BOSCH GMBH

Inventor： Artmann, Hans ,  Pannek, Thorsten

IPC: B81B3/00

CPC classification number: B81C1/0069 ,  B81B2201/0278 ,  B81B2203/0127 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2201/0136

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Membransensoreinheit mit einem Halbleitermaterialträger (2) vorgeschlagen, bei welchem für die Ausbildung von Sensorelementstrukturen für wenigstens einen Sensor eine flächige Membran (8) und eine Isolationswanne (10) zur thermischen Isolierung unter der Membran erzeugt wird. Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die Herstellung von Membransensoren, die sich auch für Membransensor-Arrays eignen, zu vereinfachen. Diese Aufgabe wird dadurch gelöst, dass der Träger (2) aus Halbleitermaterial in einem vorgegebenen Bereich, der Sensorelementstrukturen definiert, eine zum umgebenden Halbleitermaterial gezielt unterschiedliche Dotierung erhält, dass aus Halbleitermaterialabschnitten zwischen den durch Dotierung ausgezeichneten Bereichen poröses Halbleitermaterial erzeugt wird und dass das Halbleitermaterial im Wannenbereich (10) unter dem porösiziertem Halbleiter und Teilen der Sensorelementstruktur entfernt und/oder porösiziert wird. Im Weiteren wird eine insbesondere nach diesem Verfahren hergestellte Membransensoreinheit vorgeschlagen.

Abstract translation: 半导体衬底（2）的给定区域限定了传感器元件的结构。 与周围的半导体区域相比，该区域被有意地掺杂。 由掺杂区域的区域之间的半导体形成多孔半导体材料（5）。 移动和/或制造多孔的材料下面的槽（10）中的半导体被制成多孔和传感器元件结构的部分。 相应的传感器单元包括独立声明。

公开(公告)号：EP1136440A1

公开(公告)日：2001-09-26

申请号：EP00201083.3

申请日：2000-03-24

Applicant: INTERUNIVERSITAIR MICRO-ELEKTRONICA CENTRUM VZW

Inventor： De Moor, Piet ,  van Hoof, Chris

IPC: B81B3/00 ,  G01J5/20 ,  H01L31/09

CPC classification number: G01J5/20 ,  B81B3/007 ,  B81B2201/0278 ,  G01J5/02 ,  G01J5/023 ,  G01J5/10

Abstract: Structures, methods and means are presented to produce mechanical strength in Micro Electro Mechanical Systems by increasing the moment of inertia of some of the composing elements. A thermal sensor is obtained with improved mechanical strength, thermal insulation and time constant. The proposed invention is also advantageous in terms of the process time and process cost, especially lithographic patterning.

Abstract translation: 结构，方法和手段提出通过增加某些构成要素的惯性矩生产微机电系统的机械强度。 热传感器获得具有改进的机械强度，热绝缘性和时间常数。 所提出的发明是在因此的工艺时间和工艺成本方面是有利的，尤其是爱光刻构图。

公开(公告)号：EP0684462A2

公开(公告)日：1995-11-29

申请号：EP95106968.1

申请日：1995-05-08

Applicant: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT

Inventor： Hierold, Christofer, Dr.

IPC: G01K7/02 ,  H01L49/00 ,  H01L27/16

CPC classification number: H01L27/16 ,  B81B3/0081 ,  B81B2201/0278 ,  B81B2203/0315 ,  B81C1/00246 ,  B81C1/0069 ,  B81C2201/053 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0735 ,  G01F1/6845 ,  G01F1/6888 ,  G01K7/015 ,  G01P15/0802

Abstract: Halbleiterbauelement mit monolithisch integrierten elektronischen Schaltungen und monolithisch integriertem Sensor/Aktuator, bei dem der Sensor/Aktuator mit Methoden des Surface-Micromachining hergestellt ist in einer z. B. mit Sensorstegen (6) strukturierten Sensorschicht (3) aus Polysilizium und diese Sensorstege (6) von einem Siliziumsubstrat (1) durch einen in einer Opferschicht (2) hergestellten und mit einer Verschlußschicht (5) nach außen gasdicht verschlossenen Hohlraum (4) thermisch isoliert sind.

Abstract translation: 具有在其与表面微机械加工的方法中的传感器/致动器的Z制备。B.用传感器腹板（6），被构造传感器层单片集成电子电路和单片集成传感器/致动器的半导体器件（3）的多晶硅和该传感器腹板（6 ）（由制造（在牺牲层2）和（有关闭层5的硅衬底1））（向外气密腔4）是绝热的。