利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

212 条记录 (耗时 0.018 秒)

    PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS
    46.
    发明公开
    PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS 审中-公开
    装置等离子辅助化学气相沉积

    公开(公告)号：EP2473650A2

    公开(公告)日：2012-07-11

    申请号：EP10814629.1

    申请日：2010-09-07

    申请人： General Plasma, Inc.

    发明人： MADOCKS, John

    IPC分类号： C23C16/50 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458

    CPC分类号： C23C16/448 ,  C23C16/45514 ,  C23C16/50 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/3485

    摘要： PECVD apparatus for depositing material onto a moving substrate is provided comprising a process chamber, a precursor gas inlet to the process chamber, a pumped outlet, and a plasma source disposed within the process chamber. The plasma source produces one or more negative glow regions and one or more positive columns. At least one positive column is disposed toward the substrate. The plasma source and precursor gas inlet are disposed relative to each other and the substrate such that the precursor gas is injected into the positive column adjacent the substrate. Apparatus is provided to channel the precursor gas into the positive column away from the negative glow region.

    THERMALIZATION OF GASEOUS PRECURSORS IN CVD REACTORS
    47.
    发明公开
    THERMALIZATION OF GASEOUS PRECURSORS IN CVD REACTORS 审中-公开
    化学气相沉积物中的THERMALISIERUNGGASFÖRMIGERVORLÄUFER

    公开(公告)号：EP2247768A2

    公开(公告)日：2010-11-10

    申请号：EP08872771.4

    申请日：2008-10-30

    申请人： S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies

    发明人： ARENA, Chantal ,  WERKHOVEN, Christiaan, J. ,  BERTRAM, JR., Ronald, Thomas ,  LINDOW, Ed

    IPC分类号： C23C16/30 ,  C23C16/448

    CPC分类号： H01L21/0262 ,  C23C16/303 ,  C23C16/448 ,  C30B25/105

    摘要： The present invention relates to the field of semiconductor processing and provides apparatus and methods that improve chemical vapor deposition (CVD) of semiconductor materials by promoting more efficient thermalization of precursor gases prior to their reaction. In preferred embodiments, the invention comprises heat transfer structures and their arrangement within a CVD reactor so as to promote heat transfer to flowing process gases. In certain preferred embodiments applicable to CVD reactors transparent to radiation from heat lamps, the invention comprises radiation-absorbent surfaces placed to intercept radiation from the heat lamps and to transfer it to flowing process gases.

    摘要翻译： 本发明涉及半导体处理领域，并且提供通过在其反应之前促进前体气体的更有效的热化来改善半导体材料的化学气相沉积（CVD）的装置和方法。 在优选的实施方案中，本发明包括传热结构及其在CVD反应器内的排列，以促进对流动的工艺气体的热传递。 在适用于对来自加热灯的辐射透明的CVD反应器的某些优选实施方案中，本发明包括辐射吸收表面，其被放置以拦截来自加热灯的辐射并将其转移到流动的工艺气体。

    Versorgungsvorrichtung
    48.
    发明公开
    Versorgungsvorrichtung 审中-公开

    公开(公告)号：EP2157206A1

    公开(公告)日：2010-02-24

    申请号：EP09009166.1

    申请日：2009-07-14

    申请人： Krones AG

    发明人： Humele, Heinz ,  Kursawe, Andreas ,  Kraus, Andreas ,  Krüger, Jochen, Dr. ,  Felts, John

    IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/448 ,  C23C16/04

    CPC分类号： C23C16/045 ,  C23C16/448 ,  C23C16/455

    摘要： Es wird eine Vorrichtung zum Versorgen einer Vielzahl von Abnehmerstationen mit einer vorbestimmten Menge eines Prozessmediums, insbesondere eine Beschichtungsvorrichtung für Behälter beschrieben, die eine Zufuhrleitung für das Prozessmedium und einen Anschluss an der Abnehmerstation aufweist. Um eine derartige Vorrichtung konstruktiv einfacher und preisgünstiger auszugestalten, wird vorgeschlagen, eine Einrichtung zum Konstanthalten einer vorbestimmter Durchflussmenge einzusetzen, die eine der vorbestimmten Menge des Prozessmediums entsprechend bemessene Kapillarstrecke vor jedem Anschluss und eine einer Mehrzahl von Anschlüssen zugeordnete Einrichtung zum Aufrechterhalten einer definierten Strömungsgeschwindigkeit über die Kapillarstrecke aufweist.

    摘要翻译： 涂覆装置包括用于处理介质的供应管线（14,15），消费者站上的连接（7a）和用于恒定地保持处于流体状态的预定流量的处理介质的装置（16） 使得在从毛细管线排出期间通过毛细管线的流体处理介质是挥发性的。 该装置包括相应于相应连接之前的处理介质的预定量测量的毛细线，以及用于维持限定流速的自调节装置。 涂覆装置包括用于处理介质的供应管线（14,15），消费者站上的连接（7a）和用于恒定地保持处于流体状态的预定流量的处理介质的装置（16） 使得在从毛细管线排出期间通过毛细管线的流体处理介质是挥发性的。 该装置包括对应于相应连接之前的处理介质的预定量测量的毛细管线，以及用于在作为塑料毛细管的毛细管线上保持限定流速的自调节装置。 毛细管线的内径为0.25mm，长度为100mm。 毛细管线布置在储热器中并由加热装置组成。 该装置包括在毛细管线之前沿流动方向的第一压力室，以及在毛细管线之后沿流动方向的第二压力室。 毛细管线连接在第一压力室上。 消费者站（2）布置在旋转填料上并连接到处理介质储存器。