公开(公告)号：EP1072072B1

公开(公告)日：2005-06-29

申请号：EP99915932.0

申请日：1999-04-14

申请人： BTG INTERNATIONAL LIMITED

发明人： DAWSON, Martin, David ,  MARTIN, Robert, William

IPC分类号： H01S5/10 ,  H01S5/40 ,  H01S5/30 ,  H01L33/00 ,  H01L27/15

CPC分类号： H01L33/08 ,  H01L33/465 ,  H01S5/041 ,  H01S5/18361 ,  H01S5/18369 ,  H01S5/32341 ,  H01S5/423

摘要： A solid-state, surface-emitting, optical device such as a LED or VCSEL has a body of optical gain medium (18) overlying a high reflectivity distributed Bragg reflector (DBR) mirror (14) which is carried on part of an underlayer (13). The gain medium (18) is part of an epitaxial layered structure (15) extending from the underlayer (13) and over the mirror (14).

摘要翻译： 诸如LED或VCSEL的固态表面发射光学器件具有覆盖高反射率分布布拉格反射器（DBR）反射镜（14）的光学增益介质体（18），该反射镜分布反射器反射镜（14）承载在底层 13）。 增益介质（18）是从底层（13）延伸并且在反射镜（14）上方的外延层状结构（15）的一部分。

公开(公告)号：EP1298461A1

公开(公告)日：2003-04-02

申请号：EP01203678.6

申请日：2001-09-27

申请人： INTERUNIVERSITAIR MICROELEKTRONICA CENTRUM VZW ,  Umicore ,  UNIVERSITEIT GENT

发明人： Modak, Prasanta ,  Moerman, Ingrid ,  D'Hondt, Marc

IPC分类号： G02B6/12 ,  H01L33/00 ,  H01S5/183 ,  H01L31/0203

CPC分类号： H01L33/105 ,  G02B2006/12109 ,  G02B2006/12126 ,  G02B2006/12159 ,  G02B2006/12161 ,  H01S5/18361

摘要： The present invention relates to a special type of Distributed Bragg Reflectors (DBRs). The present invention also relates to semiconductor semiconductor resonant cavity devices for emitting or absorbing light.
A DBR for reflecting radiation with a wavelength λ, according to the present invention, includes at least one mirror pair. Each mirror pair comprises a bottom layer and a top layer, the top layer of one mirror pair comprising gallium phosphide (GaP) and having an optical thickness of substantially an odd multiple of λ/4.
A resonant cavity device (40) for emitting or absorbing light with a wavelength λ, according to the present invention, comprises a first mirror (44) and a second mirror (68) with an active region (54) located therebetween. The second mirror (68) comprises a stack of DBRs including at least one mirror pair (69, 70), the mirror pair (69, 70) having at least a top layer (70) and a bottom layer. The top layer (70) is the layer most remote from the first mirror (44), and this layer is essentially composed of gallium phosphide (GaP) and has an optical thickness of substantially an odd multiple of λ/4.
The present invention also provides a method of manufacturing a resonant cavity device for emitting or absorbing light with a wavelength λ.

摘要翻译： 本发明涉及一种特殊类型的分布式布拉格反射器（DBR）的。 因此，本发明涉及半导体的半导体共振腔装置，用于发射或吸收的光。 一种用于反射具有波长为λ的辐射，gemäß到本发明中，DBR包括至少一个反射镜对。 每个反射镜对包括底层和顶层的一个反射镜对包括磷化镓（GaP）和拉姆达/ 4的大致奇数倍的光学厚度具有顶层。 谐振腔装置（40），用于与波长为λ，gemäß在本发明的发光或吸收光，包括位于它们之间的第一反射镜（44）和第二反射镜（68），在有源区（54）。 第二反射镜（68）包括DBR的包括至少一个反射镜对（69，70），所述反射镜对（69，70），其具有至少一个顶层（70）和底部层的堆叠。 顶层（70）是层从第一反射镜（44）最远端，并且该层基本上由磷化镓（GaP），并且具有对波长/ 4的大致奇数倍的光学厚度。 本发明因此提供了一种制造谐振腔装置用于与波长为λ发射或吸收的光的方法。

公开(公告)号：EP1230686A1

公开(公告)日：2002-08-14

申请号：EP00989194.6

申请日：2000-11-01

申请人： Cree Lighting Company

发明人： DENBAARS, Steven, P. ,  TARSA, Eric, J. ,  MACK, Michael ,  KELLER, Bernd ,  THIBEAULT, Brian

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/30 ,  H01L25/0756 ,  H01L27/15 ,  H01L27/153 ,  H01L33/08 ,  H01L33/343 ,  H01L33/502 ,  H01L33/504 ,  H01L2924/0002 ,  H01S3/0627 ,  H01S3/0941 ,  H01S3/09415 ,  H01S3/1623 ,  H01S3/1628 ,  H01S5/0206 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/1032 ,  H01S5/183 ,  H01S5/18361 ,  H01S5/32341 ,  H01L2924/00

摘要： A light emitting diode (LED) (10) grown on a substrate (16) doped with one or more rare earth or transition element. The dopant ions absorb some or all of the light from the LED's active layer (11), pumping the electrons on the dopant ion to a higher energy state. The electrons are naturally drawn to their equilibrium state and they emit light at a wavelength that depends on the type of dopant ion. The invention is particularly applicable to nitride based LEDs (10) emitting UV light and grown on a sapphire substrate (16) doped with chromium. The chromium ions absorb the UV light, exciting the electrons on ions to a higher energy state. When they return to their equilibrium state they emit red light and some of the red light will emit from the LED's surface.

公开(公告)号：EP1188208A1

公开(公告)日：2002-03-20

申请号：EP00938259.9

申请日：2000-06-09

申请人： Gore Enterprise Holdings, Inc.

发明人： PETERS, Frank, A. ,  MAC DOUGAL, Michael, H.

IPC分类号： H01S5/183

CPC分类号： H01S5/18361 ,  H01S5/0284 ,  H01S5/1221 ,  H01S5/18369 ,  H01S5/18377

摘要： Diode lasers are fabricated whose performance is essentially unchanged over designed temperature and bias ranges. The threshold current (Ith) and the external efficiency (θext) of the diode lasers are unchanged over a range of specified temperatures.

公开(公告)号：EP0984536A3

公开(公告)日：2000-05-17

申请号：EP99307028.3

申请日：1999-09-03

申请人： Hewlett-Packard Company

发明人： Kaneko, Yasuhisa

IPC分类号： H01S5/183

CPC分类号： H01S5/028 ,  H01S5/18361 ,  H01S5/32341 ,  H01S2304/04

摘要： A mirror (31) for use in a semiconductor laser comprises four or more alternating layers of a low refractive index semiconductor material having an index of refraction of n 1 and a high refractive index semiconductor material having an index of refraction of n 2 where n 2 > n 1 . A first one (211) of the layers is grown at a temperature, referred to as the "low temperature", such that the layer is in a substantially amorphous state, and a second one (221) of the layers is grown at a temperature, referred to as the "high temperature", such that the layer is in a substantially monocrystalline state. The first one of the layers and the second one of the layers correspond to layers having different indices of refraction. The thickness, T L , of the layer grown at the low temperature satisfiesTL={λ/(4 × nL)} (2M - 1) L is the refractive index of the layer grown at the low temperature, and M is a positive integer. The thickness, T H , of the layer grown at the high temperature satisfiesTH={λ/(4 × nH)} (2N - 1) > 0.2 µm where n H is the refractive index of the layer grown at the high temperature, and N is a positive integer. The first and second materials are preferably Group III-V nitrides such as Al x Ga 1-x N, where x = 0.3 to 1, and GaN.

摘要翻译： 用于半导体激光器的反射镜（31）包括具有n1折射率的折射率低折射率半导体材料和n2折射率n2的高折射率半导体材料的四个或更多个交替层，其中n2> n1。 层中的第一层（211）在称为“低温”的温度下生长，使得该层处于基本非晶态，并且第二层（221）在温度 被称为“高温”，使得该层基本上是单晶态。 层中的第一层和第二层中的第二层对应于具有不同折射率的层。 在低温下生长的层的厚度TL满足$其中\lambda 是由激光发射的光的波长，nL是在低温下生长的层的折射率，M是正整数\; 。\; 在高温下生长的层的厚度TH满足$ ，其中nH是在高温下生长的层的折射率，N是正整数。\; 第一材料和第二材料优选为III-V族氮化物，例如Al\; x\; Ga\; 1-x\; N，其中x\; =\; 0.3至1，以及GaN。\mathop{\mathrm{image}}$$

公开(公告)号：EP0795941B1

公开(公告)日：1999-10-06

申请号：EP97301627.2

申请日：1997-03-12

申请人： SHARP KABUSHIKI KAISHA

发明人： Najda, Stephen Peter

IPC分类号： H01S3/085 ,  H01L33/00 ,  G02B1/11 ,  G02B6/12

CPC分类号： H01L33/465 ,  G02B2006/12104 ,  G02B2006/12121 ,  H01L33/105 ,  H01S5/18355 ,  H01S5/18361

公开(公告)号：EP0939324A1

公开(公告)日：1999-09-01

申请号：EP99400420.8

申请日：1999-02-22

申请人： ALCATEL

发明人： Bissessur, Hans ,  Graver, Catherine

IPC分类号： G02B6/124 ,  H01S3/085

CPC分类号： G02B6/124 ,  G02B6/12007 ,  H01S5/1215 ,  H01S5/18361

摘要： L'invention concerne un réflecteur optique en semiconducteur destiné notamment à être disposé en regard d'une cavité laser intégrée pour réalimenter cette dernière et permettre son oscillation en continu. Le réflecteur comprend plusieurs sections (Si, S i+1 ) de réflecteur de Bragg en cascade. Il est plus particulièrement caractérisé en ce que lesdites sections sont de même longueur L et ont un même coefficient de couplage (κ), et en ce que la longueur L de chacune desdites sections est donnée par la relation suivante : L = λ 2 / [ (n i+1 + n i ) x 1,7(n i+1 Λ i+1 - n i Λ i )]
   où λ est la valeur moyenne des longueurs d'ondes de Bragg réfléchies par le réflecteur,
   n i+1 et n i sont les indices de réfraction effectifs respectivement desdites sections adjacentes (S i+1 , S i ), et
   Λ i+1 et Λ i sont les périodes respectivement desdites sections adjacentes (S i+1 , S i )·
Le réflecteur selon l'invention présente une large fenêtre spectrale, indépendante de la valeur du coefficient de couplage.

摘要翻译： 反射器包括由波长和折射率确定的多层尺寸。 光学反射器包括串联安装的布拉格反射器的几个部分（Si，Si + 1）。 反射器的部分具有相同的长度（L）并且具有相同的耦合系数。 部分的长度由包括波长，连续相邻部分（Si，Si + 1）的折射率和连续相邻部分的周期的函数确定。 连续部分的宽度可能不同。 当反射器仅包括两个部分时，每个的长度在10和20微米之间。 17微米。 相邻截面的耦合系数小于500 cm -1。

公开(公告)号：EP0865123A2

公开(公告)日：1998-09-16

申请号：EP98103975.3

申请日：1998-03-06

申请人： MOTOROLA, INC.

发明人： Ramdani, Jamal ,  Lebby, Michael S. ,  Jiang, Wenbin

IPC分类号： H01S3/025 ,  H01S3/085

CPC分类号： B82Y20/00 ,  H01S5/026 ,  H01S5/18341 ,  H01S5/18361 ,  H01S5/18372 ,  H01S5/34326 ,  H01S5/4087 ,  H01S5/423

摘要： Dual wavelength monolithically integrated VCSELs and a method of fabrication for emitting a short wavelength light (63) and a long wavelength light (64) including a first mirror stack (14) lattice matched to the surface (13) of a substrate (12). A short wavelength VCSEL (10) is fabricated and masked during the formation of a long wavelength VCSEL (34). Each VCSEL (10 & 34) further including mirror pairs (15 & 16) in a AlAs/AlGaAs material system, an active region (22 & 35) lattice matched to a surface of the first mirror stack (14), and a second mirror stack (38 & 40) lattice matched to a surface of the active region (22 & 35) and capable of emitting either a short wavelength light (63) or a long wavelength light (64), dependent upon design parameters. Electrical contacts (52, 53, 54, 56, 57, 58, & 59) are coupled to the active regions (22) of the monolithically integrated short wavelength VCSEL (10) and the long wavelength VCSEL (34). The dual wavelength monolithically integrated VCSELs fabricated as a semiconductor laser chip (50) capable of read/write applications for both CDs and DVDs.

摘要翻译： 双波长单片集成VCSEL和用于发射短波长光（63）和长波长光（64）的制造方法，其包括与衬底（12）的表面（13）匹配的晶格叠层（14）。 在形成长波长VCSEL（34）期间制造短波长VCSEL（10）并被掩蔽。 每个VCSEL（10＆34）还包括在AlAs / AlGaAs材料系统中的镜对（15和16），与第一反射镜叠层（14）的表面匹配的有源区（22和35）晶格，以及第二反射镜 叠层（38和40）晶格与有源区域（22和35）的表面匹配并且能够根据设计参数发射短波长光（63）或长波长光（64）。 电触点（52,53,54,56,57,58和59）耦合到单片集成短波长VCSEL（10）和长波长VCSEL（34）的有源区（22）。 双波长单片集成VCSEL被制造为能够读/写应用于CD和DVD的半导体激光器芯片（50）。

公开(公告)号：EP0803945A2

公开(公告)日：1997-10-29

申请号：EP97106549.5

申请日：1997-04-21

申请人： MOTOROLA, INC.

发明人： Jiang, Wenbin ,  Kiely, Philip ,  Lebby, Michael S.

IPC分类号： H01S3/085

CPC分类号： H01S5/18377 ,  H01S5/18361 ,  H01S5/18372

摘要： A hybrid mirror structure for a visible emitting VCSEL (101) including a first distributed Bragg reflector (106) disposed on a substrate (102) and including first pairs (108) of alternating layers (111, 113) including an oxidized aluminum material and second pairs (116) of alternating layers (118, 119). A first cladding region (123) disposed on the first distributed Bragg reflector (106), an active region (126) disposed on the first cladding region (123), and a second cladding region (128) disposed on the active region (126), and a second distributed Bragg reflector (131) disposed on the second cladding region (128). In the first distributed Bragg reflector (106), each pair (108) of alternating layers (111, 113) includes a layer (111) containing oxidized aluminum, which is oxidized to decrease the index of refraction to a range of approximately 1.3 to 1.7.

摘要翻译： 一种用于可见光发射VCSEL（101）的混合反射镜结构，包括设置在衬底（102）上的第一分布布拉格反射器（106），并且包括交替层（111,113）的第一对（108），包括氧化铝材料和第二对 （116）的交替层（118,119）。 设置在第一分布布拉格反射器（106）上的第一包层区域（123），设置在第一包层区域（123）上的有源区域（126）和设置在有源区域（126）上的第二包层区域（128） 以及设置在第二包层区域（128）上的第二分布式布拉格反射器（131）。 在第一分布布拉格反射器（106）中，交替层（111,113）的每一对（108）包括含有氧化铝的层（111），其被氧化以将折射率降低至约1.3至1.7的范围 。

公开(公告)号：EP0622880A2

公开(公告)日：1994-11-02

申请号：EP94302782.1

申请日：1994-04-20

申请人： AT&T Corp.

发明人： Asom, Moses Terlumun ,  Kojima, Keisuke ,  Morgan, Robert Anthony

IPC分类号： H01S3/19 ,  H01S3/085 ,  H01L29/40 ,  H01L29/36 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01S5/18361 ,  H01S5/305

摘要： A delta doped layer is used at a heterointerface semiconductor mirror in a vertical cavity laser to reduce the series resistance of the laser. The layer, in a preferred embodiment, is in the mirror having p-type conductivity, because of the greater resistance in the p-type region than in the n-type region.