摘要:
Die Erfindung sieht eine lichterzeugende Vorrichtung (1) vor, welche eine effektivere Kühlung des Reflektors (2) bereitstellt, wobei die Vorrichtung einen Reflektor (2), sowie eine Einrichtung (8,14,16,18,26,28,30,32,34,36) zur Verbesserung der Wärmeabfuhr vom Reflektor umfaßt.
摘要:
The invention relates to a ceramic toner which is transferable to a high-temperature resistant glass, glass ceramic or ceramic substrate by means of electrophotographic printing and which can be fired in a subsequent temperature process, containing colour pigment particles in addition to special glass flow particles. According to the invention, said ceramic toner is provided with a thermoplastic synthetic matrix which melts in a homogeneous manner on the substrate within a temperature range of 100 °C - 400 °C and which, within the temperature range of 300 °C -500 °C, vaporises in an almost residue-free manner and/or decomposes in order to obtain a toner which can be transferred especially in a direct printing mode and which has almost no synthetic matrix residue after firing.
摘要:
Die Erfindung betrifft eine Vorform aus synthetischem Quarzglas, geeignet zur Beaufschlagung mit DUV-Strahlung im Wellenlängenbereich unter 250 nm, mit einem Kernbereich, der im wesentlichen frei von Schichtungen ist, dessen OH-Gehalt größer als 900 ppm, dessen CI-Gehalt kleiner als 50 ppm, und dessen H 2 -Verbrauch größer als 0,5 x 10 18 Moleküle/cm 3 ist, und die dadurch gekennzeichnet ist, dass die DUV-Widerstandfähigkeit durch einen relativen H 2 -Verbrauch gegeben ist, der mit zunehmender Energiedosis in eine Sättigung geht. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung einer Vorform aus Quarzglas vorgeschlagen, bei dem auf eine rotierende Fläche eine Brennerflamme gerichtet ist, und der Rohstoff SiCl 4 unter Anwesenheit von H 2 und O 2 bei Temperaturen oberhalb 2000° Celsius umgesetzt, zu SiO 2 auf der rotierenden Fläche abgeschieden und sofort glasig aufgeschmolzen wird, und die dadurch gekennzeichnet ist, dass der Flamme durch die zentrale Mitteldüse 0,92 bis 1,12 kg/h SiCl 4 bei einer Strömungsgeschwindigkeit von 15 m/s bis 21 m/s zugeführt wird.
摘要翻译:用于波长低于250nm的深紫外(DUV)的合成石英玻璃预制件,其核心区域不含高于900ppm的OH含量,Cl含量低于50ppm,H 2含量高于0.5×10 18分子/ cm 3 具有通过增加能量剂量达到饱和的相对H 2消耗确定其DUV电阻。 还包括通过火焰水解方法制造预成型件的独立权利要求。
摘要:
Die Erfindung betrifft eine Metall-Fixiermaterial-Durchführung (1) für Anzünder von Airbags oder Gurtspannern, insbesondere Metall-Glas-Durchführung;
mit wenigstens einem Metallstift (4,5) der in einer Durchgangsöffnung (11) im Grundkörper (3) in einem Fixiermaterial (6) angeordnet ist, wobei der Grundkörper eine Vorder- (8) und eine Rückseite (7) aufweist gekennzeichnet durch die folgenden Merkmale: der Grundkörper (3) wird von einem Element gebildet, wobei die die Durchgangsöffnung (11) beschreibende Grundgeometrie wenigstens durch einen Trennvorgang erzeugt wird; zwischen Vorderseite und Rückseite des Grundkörpers (3) sind Mittel (35) zur Vermeidung einer Relativbewegung von Fixiermaterial (6) in Richtung der Rückseite (7) gegenüber dem Innenumfang der Durchgangsöffnung vorgesehen.
摘要:
Die Erfindung betrifft ein Bauelement, insbesondere LED-Modul mit einem transparenten Substrat (1), einer auf das transparente Substrat (1) aufgebrachten leitfähigen Schicht, wobei die leitfähige Schicht im sichtbaren Wellenlängenbereich transparent oder quasi transparent und beliebig strukturierbar ist, wenigstens einem Leuchtmittel, das auf eine Fläche des transparenten Substrates aufgebracht ist, dadurch gekennzeichnet, dass das transparente Bauelement wenigstens ein weiteres transparentes Substrat umfasst, das über den auf dem Trägersubstrat wenigstens einen aufgebrachten Leuchtmittel angeordnet ist, so dass das Leuchtmittel geschützt zwischen dem Trägersubstrat und dem weiteren transparenten Substrat liegt.
摘要:
Die vorliegende Erfindung betrifft die Herstellung eines Substrates, das insbesondere für die EUV-Mikrolithographie geeignet ist und aus einer Basisschicht mit geringem thermischen Ausdehnungskoeffizienten besteht, auf die mindestens eine Deckschicht, die aus einem Halbleitermaterial, vorzugsweise aus Silizium, besteht, vorzugsweise durch Ionenstrahl-Sputtern aufgetragen ist. Durch eine zusätzliche IBF-Behandlung lassen sich äußerst formgetreue Substrate mit äußerst geringer Rauhigkeit herstellen.
摘要:
Um die Eigenschaften von Barrierebeschichtungen zu verbessern, sieht die Erfindung ein Verfahren zum Aufbringen von Schichten auf ein Substrat (10) vor, wobei zum Beschichten ein Plasma eingesetzt wird, das insbesondere unter Verwendung von Mikrowellen in einer Gasatmosphäre, die zumindest einen Precursor umfaßt, erzeugt wird, wobei auf dem Substrat (10) vor dem Abscheiden zumindest einer weiteren Schicht zumindest eine organische Haftvermittlerschicht (11) abgeschieden wird, die zumindest in den ersten Monolagen im Lagenwachstum aufwächst.
摘要:
Die Erfindung gibt ein Verfahren zum Aufbringen von Wechselschichten durch chemische Gasphasenabscheidung, welches die Verfahrensschritte des Abscheidens einer Haftvermittlerschicht auf einem Substrat, und des Aufbringens einer Sperrschicht umfaßt, wobei alternierend Wechselschichten aus organischen und anorganischen Materialien abgeschieden werden, bei welchem die Beschichtungszeit zum Aufbringen der Haftvermittlerschicht zwischen 0,05s bis 4,0 s liegt, und/oder die Beschichtungszeit zum Aufbringen der anorganischen Sperrschicht zwischen 0,1s bis 6,0s liegt sowie ein verfahrensgemäß hergestelltes Verbundmaterial an.