公开(公告)号：EP3245667A1

公开(公告)日：2017-11-22

申请号：EP15817533.1

申请日：2015-12-23

申请人： Anvil Semiconductors Limited

发明人： WARD, Peter

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02694 ,  C30B25/18 ,  C30B29/06 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/34 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/861

摘要： We describe a method for reducing bow in a composite wafer comprising a silicon wafer and a silicon carbide layer grown on the silicon wafer. The method includes applying nitrogen atoms during the growth process of the silicon carbide layer on the silicon wafer so as to generate a compressive stress within the composite wafer.

公开(公告)号：EP2771903A2

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：EP12780270.0

申请日：2012-10-23

申请人： Anvil Semiconductors Limited

发明人： WARD, Peter

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02529 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/3081 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66363 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/74

摘要： A method comprises providing a monocrystalline silicon wafer (11) having a principal surface (17) which supports a masking layer (24), for example silicon dioxide or polycrystalline silicon, having windows (25) to expose corresponding regions of the silicon wafer, forming silicon carbide seed regions (30) on the exposed regions of the wafer, for example by forming carbon and converting the carbon into silicon carbide, and growing monocrystalline silicon carbide (31) on the silicon carbide seed regions. Thus, monocrystalline silicon carbide can be formed selectively on the silicon wafer which can help to avoid wafer bow.

公开(公告)号：EP3602607A1

公开(公告)日：2020-02-05

申请号：EP18715641.9

申请日：2018-03-29

申请人： Cambridge Enterprise Limited ,  Anvil Semiconductors Limited

发明人： WALLIS, David John ,  FRENTRUP, Martin ,  KAPPERS, Menno Johannes ,  SAHONTA, Suman-Lata

IPC分类号： H01L21/20

公开(公告)号：EP3195369A1

公开(公告)日：2017-07-26

申请号：EP15771234.0

申请日：2015-09-17

申请人： Anvil Semiconductors Limited

发明人： WARD, Peter ,  LOPHITIS, Neophytos ,  TRAJKOVIC, Tanya ,  UDREA, Florin

IPC分类号： H01L29/861 ,  H01L29/872 ,  H01L29/10 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/24 ,  H01L29/20 ,  H01L29/16 ,  H01L29/267 ,  H01L29/08

CPC分类号： H01L29/0619 ,  H01L21/266 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/083 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/267 ,  H01L29/36 ,  H01L29/402 ,  H01L29/47 ,  H01L29/475 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

摘要： We disclose a high voltage semiconductor device comprising a semiconductor substrate of a second conductivity type; a semiconductor drift region of the second conductivity type disposed over the semiconductor substrate, the semiconductor substrate region having higher doping concentration than the drift region; a semiconductor region of a first conductivity type, opposite to the second conductivity type, formed on the surface of the device and within the semiconductor drift region, the semiconductor region having higher doping concentration than the drift region; and a lateral extension of the first conductivity type extending laterally from the semiconductor region into the drift region, the lateral extension being spaced from a surface of the device.

摘要翻译： 我们公开了一种包括半导体衬底（110）的宽带隙功率晶体管; 设置在半导体衬底（110）上的第二导电类型的半导体漂移区（130） 位于所述半导体漂移区（130）内的与所述第二导电类型相反的第一导电类型的体区（140）; 在一个实施例中，第二导电类型的源极区域（150）位于体区域（140）内并且位于源极区域（150）上方的栅极（180），栅极用于控制半导体之间的沟道区域中的电荷 漂移区和源极区，并且由此控制半导体漂移区内的电荷的流动。 在其他实施例中，可以在漂移区上形成肖特基金属接触。 体区（140）包括横向延伸到漂移区中的第一导电类型的横向延伸部（145），横向延伸部与晶体管的表面（160）间隔开。 该器件可以是垂直MOSFET或绝缘栅双极晶体管IGBT，并可用于高电压应用。

公开(公告)号：EP3070734A1

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：EP16167448.6

申请日：2012-10-23

申请人： Anvil Semiconductors Limited

发明人： WARD, Peter

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L29/66 ,  H01L29/739 ,  H01L29/74 ,  H01L29/16 ,  H01L29/04

CPC分类号： H01L21/02529 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/3081 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66363 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/74

摘要： A method comprisesproviding a monocrystalline silicon wafer (11) having a principal surface (17) which supports a masking layer (24), for example silicon dioxide or polycrystalline silicon, having windows (25) to expose corresponding regions of the silicon wafer, forming silicon carbide seed regions (30) on the exposed regions of the wafer, for example by forming carbon and converting the carbon into silicon carbide, and growing monocrystalline silicon carbide (31) on the silicon carbide seed regions. Thus, monocrystalline silicon carbide can be formed selectively on the silicon wafer which can help to avoid wafer bow.

摘要翻译： 一种方法包括提供具有主表面（17）的单晶硅晶片（11），该主表面（17）支撑掩模层（24），例如二氧化硅或多晶硅，具有窗口（25）以暴露硅晶片的相应区域，形成硅 碳化物种子区域（30），例如通过形成碳并将碳转化为碳化硅，以及在碳化硅种子区域上生长单晶碳化硅（31）。 因此，可以在硅晶片上选择性地形成单晶碳化硅，这有助于避免晶片弓形。