公开(公告)号：EP2893558A1

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：EP12884191.3

申请日：2012-09-05

申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives ,  STMicroelectronics, Inc.

发明人： VINET, Maud ,  LOUBET, Nicolas ,  WACQUEZ, Romain

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L21/76224 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76232 ,  H01L21/76283 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/66772

摘要： A method of producing a microelectronic device in a substrate comprising a first semiconductor layer, a dielectric layer and a second monocrystalline semiconductor layer, comprising the following steps: etching a trench through the first semiconductor layer and the dielectric layer, and such that the trench delimits one active region of the microelectronic device, chemical vapor etching of the second semiconductor layer, at the level of the bottom wall of the trench, according to at least two crystalline planes of the second semiconductor layer such that an etched part of the second semiconductor layer extends under a part of the active region, filling of the trench and of said etched part of the second semiconductor layer with a dielectric material.

公开(公告)号：EP2718965A1

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：EP11867399.5

申请日：2011-06-09

申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives ,  STMicroelectronics, Inc.

发明人： POSSEME, Nicolas ,  GRENOUILLET, Laurent ,  LE TIEC, Yannick ,  LOUBET, Nicolas ,  VINET, Maud

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66477 ,  H01L21/2652 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/84 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66772

摘要： The substrate successively comprises a support substrate, an electrically insulating layer, a semiconductor material layer, and a gate pattern. The semiconductor material layer and gate pattern are covered by a covering layer. A first doping impurity is implanted in the semiconductor material layer through the covering layer so as to place the thickness of maximum concentration of the first doping impurity in the first layer. The covering layer is partly eliminated so as to form lateral spacers leaving source/drain electrodes free.

公开(公告)号：EP2641264A1

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：EP10859767.5

申请日：2010-11-19

申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives ,  Stmicroelectronics, Inc.

发明人： DESTEFANIS, Vincent ,  LOUBET, Nicolas

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/0226 ,  H01L21/02499 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02642

摘要： The deposition method comprises providing a substrate with a first mono-crystalline zone made of a semiconductor material and a second zone made of an insulating material. During a passivation step, a passivation atmosphere is applied on the substrate so as to cover the first zone with doping impurities. During a deposition step, gaseous silicon and/or germanium precursors are introduced and a doped semiconductor film is formed. The semiconductor film is mono-crystalline over the first zone and has a different texture over the second zone. During an etching step, a chloride gaseous precursor is applied on the substrate so as to remove the semiconductor layer over the second zone.

公开(公告)号：EP2893558B1

公开(公告)日：2019-01-09

申请号：EP12884191.3

申请日：2012-09-05

申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

发明人： VINET, Maud ,  LOUBET, Nicolas ,  WACQUEZ, Romain

IPC分类号： H01L21/762

公开(公告)号：EP3511293A1

公开(公告)日：2019-07-17

申请号：EP18306759.4

申请日：2018-12-20

申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives ,  International Business Machines Corporation

发明人： REBOH, Shay ,  AUGENDRE, Emmanuel ,  COQUAND, Rémi ,  LOUBET, Nicolas

IPC分类号： B82Y10/00 ,  H01L29/417 ,  H01L29/775 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/40 ,  H01L21/336

摘要： Le procédé de fabrication d'au moins un transistor à effet de champ est tel qu'il comporte une étape de fourniture d'un substrat (1) surmonté de première, deuxième et troisième structures (100, 200, 300), la deuxième structure (200) étant agencée entre les première et troisième structures (100, 300). La deuxième structure (200) comprend au moins un premier nano-objet (201) situé à distance du substrat (1), une partie (201c) du premier nano-objet (201) étant destinée à former une zone de canal du transistor. Le procédé de fabrication comporte en outre une étape de formation d'électrodes (11, 12) du transistor comprenant : une étape de croissance par épitaxie d'un premier matériau d'où il résulte l'obtention d'une première continuité de matière (13) en premier matériau entre la deuxième structure (200) et la première structure (100), et l'obtention d'une deuxième continuité de matière (14) en premier matériau entre la deuxième structure (200) et la troisième structure (300) ; une étape de croissance par épitaxie d'un deuxième matériau, à partir du premier matériau des première et deuxième continuités de matière (13, 14), le deuxième matériau ayant un paramètre de maille différent du paramètre de maille du premier matériau des première et deuxième continuités de matière (13, 14).

公开(公告)号：EP3442027A1

公开(公告)日：2019-02-13

申请号：EP18187257.3

申请日：2018-08-03

申请人： Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives ,  International Business Machines Corporation

发明人： COQUAND, Rémi ,  LOUBET, Nicolas ,  REBOH, Shay ,  CHAO, Robin

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L29/775 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08

摘要： Réalisation d'un dispositif microélectronique comprenant une structure semi-conductrice dotée de barreaux semi-conducteurs disposés les uns au-dessus des autres, le procédé comprenant les étapes de :
- réalisation sur un support, d'une structure empilée comportant une alternance de premiers barreaux (14-1, 14-3, 14-5, 14-7) à base d'un premier matériau et ayant une première dimension critique, et de deuxièmes barreaux (14-2, 14-4, 14-6) à base d'un deuxième matériau, le deuxième matériau étant semi-conducteur, les deuxièmes barreaux ayant une deuxième dimension critique supérieure à la première dimension critique, puis,
- dopage en surface de portions latérales (15) saillantes des deuxièmes barreaux, dépôt d'une couche de matériau diélectrique (21) sur l'empilement, puis la gravure de la couche de matériau diélectrique exposant les portions latérales dopées des deuxièmes barreaux, avant formation de bloc de source (28) et de drain (26) sur ces portions.