VERFAHREN UND EINRICHTUNG ZUM PLASMAAKTIVIERTEN BEDAMPFEN
    1.
    发明公开
    VERFAHREN UND EINRICHTUNG ZUM PLASMAAKTIVIERTEN BEDAMPFEN 失效
    方法和设备等离子体活化蒸镀

    公开(公告)号:EP0734459A1

    公开(公告)日:1996-10-02

    申请号:EP95901341.0

    申请日:1994-11-22

    IPC分类号: H05H1 C23C14

    CPC分类号: C23C14/32

    摘要: The object of the invention is to achieve a high and stable deposition rate over a long period of time in order to apply preferably reactive layers of electrically insulating compounds. Reactivity, energetic activation and layer composition and structure should be regulated and kept constant by acting on the plasma density. For that purpose, vapour propagates from the vaporiser (1) through a plasma produced between electrodes (1, 1') and interacts therewith. The electrodes are made of a material to be vaporised or of a component and/or doting material of the layer to be applied. The plasma is maintained in the vapour of the material to be vaporised and/or in an inert gas. This process is suitable for improving the surface of semi-finished products and assembly units, in particular for applying oxide layers with barrier effect on plastic foils in the packaging industry.

    VERFAHREN UND EINRICHTUNG ZUM AUFDAMPFEN VON SiO x?-SCHICHTEN AUF EIN SUBSTRAT
    3.
    发明公开
    VERFAHREN UND EINRICHTUNG ZUM AUFDAMPFEN VON SiO x?-SCHICHTEN AUF EIN SUBSTRAT 失效
    方法和装置的SiO x的蒸镀?在衬底上的层。

    公开(公告)号:EP0581774A1

    公开(公告)日:1994-02-09

    申请号:EP92904217.0

    申请日:1992-02-04

    IPC分类号: C23C14

    CPC分类号: C23C14/30 C23C14/10

    摘要: L'invention concerne un procédé et une installation pour le dépôt de couches de SiOx sur un substrat par évaporation de SiO2 avec utilisation d'un évaporateur linéaire à faisceau d'électrons à piège magnétique, consistant en ce que le faisceau d'électrons est guidé vers le produit à évaporer le long d'une ligne de déflexion parallèle à l'axe longitudinal du piège magnétique et défléchi de manière discontinue le long de la ligne de déflexion, de telle manière qu'il se forme une série de points d'évaporation (5) à densité de puissance élevée, le champ magnétique entre le produit à évaporer et le substrat à revêtir atteignant une valeur maximum de densité de flux magnétique de 50 à 100 G et le produit de l'écart et de la densité de flux magnétique moyenne entre le produit à évaporer et le substrat représentant au moins 15 G x m.

    VERFAHREN UND EINRICHTUNG ZUM PLASMAAKTIVIERTEN BEDAMPFEN
    8.
    发明授权
    VERFAHREN UND EINRICHTUNG ZUM PLASMAAKTIVIERTEN BEDAMPFEN 失效
    方法和设备等离子体活化蒸镀

    公开(公告)号:EP0734459B1

    公开(公告)日:1999-02-03

    申请号:EP95901341.8

    申请日:1994-11-22

    CPC分类号: C23C14/32

    摘要: The object of the invention is to achieve a high and stable deposition rate over a long period of time in order to apply preferably reactive layers of electrically insulating compounds. Reactivity, energetic activation and layer composition and structure should be regulated and kept constant by acting on the plasma density. For that purpose, vapour propagates from the vaporiser (1) through a plasma produced between electrodes (1, 1') and interacts therewith. The electrodes are made of a material to be vaporised or of a component and/or doting material of the layer to be applied. The plasma is maintained in the vapour of the material to be vaporised and/or in an inert gas. This process is suitable for improving the surface of semi-finished products and assembly units, in particular for applying oxide layers with barrier effect on plastic foils in the packaging industry.