摘要:
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines dotierten Quarzglases, ein dotiertes Quarzglas sowie elektrische Lampen mit Bestandteilen aus diesem dotierten Quarzglas. Beim erfindungsgemäßen Herstellungsverfahren wird als Ausgangsprodukt für die Quarzglaserschmelzung ein homogenisiertes Rohstoffgemisch, bestehend aus gereinigtem, pegmatitischem Quarzsand und bis zu 5 Gewichtsprozent Ceraluminat (CeAlO₃) sowie evtl. weiteren Dotierungsmitteln, verwendet. Das Verfahren ist sehr kostengünstig und liefert homogenes Quarzglas mit geringer UV-Transparenz.
摘要:
Die Lampe besitzt einen Außenkolben (1) aus dotiertem Quarzglas, der das Entladungsgefäß (5) eng umgibt. Das Kolbenglas ist mit einer cerhaltigen Verbindung dotiert, wobei der reine Cer-Anteil, bezogen auf das Gesamtgewicht, 0,065-0,65 % beträgt.
摘要:
Die Erfindung betrifft eine Entladungslampe, insbesondere eine Hochdruckentladungslampe mit einem Entladungsgefäß (1), das mindestens ein abgedichtetes, mit einer Stromdurchführung (2) versehenes Ende (11) aufweist. Erfindungsgemäß ist der sich in das abgedichtete Ende (11) erstreckende Abschnitt (41) der Elektrode (4) mit einer Beschichtung (410) versehen, die ein hochschmelzendes Metall aus der Gruppe der Platinmetalle, vorzugsweise Ruthenium, enthält.
摘要:
Bei einem optoelektronischen Halbleiter-Bauelement ist ein strahlungsemittierender oder -empfangender Halbleiterkörper (Chip) auf einem elektrisch leitenden Leiterrahmen befestigt und von einem Gehäuse umgeben. Alle eingesetzten Gehäusematerialien und der Leiterrahmen weisen im Temperaturbereich, der in Herstellung und Anwendung auftritt, aneinander angepaßte thermische Ausdehnungskoeffizienten auf.
摘要:
Das Verfahren verwendet die folgenden Schritte:
a) Bereitstellen eines Substrats als Gehäuseteil mit darauf aufgebrachten elektrischen Anschlüssen, von weiteren Gehäuseteilen, die zumindest einen Deckel umfassen, und von Glaslot, wobei Substrat, Gehäuseteile und Glaslot im thermischen Ausdehnungskoeffizienten aufeinander angepasst sind, indem ihr thermischen Ausdehnungskoeffizienten weniger als 1,0 x 10 -6 K -1 voneinander abweicht; b) evtl. Vermengen des Glaslots mit einem Binder oder Lösungsmittel; c) Auftragen des Glaslots zumindest auf den Deckel in Form einer umlaufenden Naht; d) evtl. Austreiben des Binders oder Lösungsmittels; e) Aufsintern des Lots; f) Belegen des Substrats mit den das Halbleiterbauelement samt Elektroden repräsentierenden Schichten; g) Auflegen des Deckels auf das Substrat; h) lokales Aufheizen des Glaslots mittels einer Lichtquelle mit vorgegebener Peakwellenlänge.
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Bei einem optoelektronischen Halbleiter-Bauelement ist ein strahlungsemittierender oder -empfangender Halbleiterkörper (Chip) auf einem elektrisch leitenden Leiterrahmen befestigt und von einem Gehäuse umgeben. Alle eingesetzten Gehäusematerialien und der Leiterrahmen weisen im Temperaturbereich, der in Herstellung und Anwendung auftritt, aneinander angepaßte thermische Ausdehnungskoeffizienten auf.
摘要:
Das Verfahren verwendet die folgenden Schritte:
a) Bereitstellen eines Substrats als Gehäuseteil mit darauf aufgebrachten elektrischen Anschlüssen, von weiteren Gehäuseteilen, die zumindest einen Deckel umfassen, und von Glaslot, wobei Substrat, Gehäuseteile und Glaslot im thermischen Ausdehnungskoeffizienten aufeinander angepasst sind, indem ihr thermischen Ausdehnungskoeffizienten weniger als 1,0 x 10 -6 K -1 voneinander abweicht; b) evtl. Vermengen des Glaslots mit einem Binder oder Lösungsmittel; c) Auftragen des Glaslots zumindest auf den Deckel in Form einer umlaufenden Naht; d) evtl. Austreiben des Binders oder Lösungsmittels; e) Aufsintern des Lots; f) Belegen des Substrats mit den das Halbleiterbauelement samt Elektroden repräsentierenden Schichten; g) Auflegen des Deckels auf das Substrat; h) lokales Aufheizen des Glaslots mittels einer Lichtquelle mit vorgegebener Peakwellenlänge.
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Die Erfindung betrifft eine Entladungslampe, insbesondere eine Hochdruckentladungslampe mit einem Entladungsgefäß (1), das mindestens ein abgedichtetes, mit einer Stromdurchführung (2) versehenes Ende (11) aufweist. Erfindungsgemäß ist der sich in das abgedichtete Ende (11) erstreckende Abschnitt (41) der Elektrode (4) mit einer Beschichtung (410) versehen, die ein hochschmelzendes Metall aus der Gruppe der Platinmetalle, vorzugsweise Ruthenium, enthält.