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1.发明公开Mehrlagenleiterplatten und Multichipmodul-Substrate 失效Mehrlagenleiterplatten und Multipipmodul-Substrate。
公开(公告)号：EP0683516A2
公开(公告)日：1995-11-22
申请号：EP95106940.0
申请日：1995-05-08
IPC分类号： H01L23/14
CPC分类号： H05K3/388 , H01L23/145 , H01L2924/0002 , Y10S428/901 , Y10T428/24917 , H01L2924/00
摘要： Bei Mehrlagenleiterplatten und Multichipmodul-Substraten mit wenigstens einem schichtförmigen Verbund aus hochtemperaturstabilem Kunststoff und metallischen Leiterbahnen ist der Kunststoff mit einer dünnen Schicht aus amorphem wasserstoffhaltigem Kohlenstoff (a-C:H) mit einem Wasserpermeationskoeffizient -13 m 2 /s versehen, und die a-C:H-Schicht weist einen Härtegradient auf.
摘要翻译： 多层印刷电路板和多芯片模块化基板（I）包括耐高温塑料（II）和金属带状导体（III）的层叠复合材料，其中塑料（III）设置有薄涂层 的无定形氢。 具有硬度梯度的碳（a-C：H）和水渗透系数。 小于1.1×10 13 m 2 / s。 还声称是产品的一个过程。 （I）通过在气态烃上通过HF等离子体沉积在塑料（II）上形成一层a-C：H薄层。
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公开(公告)号：EP0617462A2
公开(公告)日：1994-09-28
申请号：EP94102740.1
申请日：1994-02-23
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/28 , H01L29/62 , H01L21/3105
CPC分类号： C23C16/56 , C23C16/26 , H01L21/049 , H01L21/28167 , H01L21/28264 , Y10S438/91
摘要： Amorpher wasserstoffhaltiger Kohlenstoff (a-C:H) mit niedriger Grenzflächenzustandsdichte wird dann erhalten, wenn a-C:H-Schichten, die auf einem Halbleitersubstrat durch Plasmaabscheidung erzeugt wurden, bei erhöhtem Druck und erhöhter Temperatur einer Behandlung mit Wasserstoff unterworfen werden.
摘要翻译： 当通过等离子体沉积在半导体衬底上产生的a-C：H层在升高的压力和升高的温度下用氢气进行处理时，获得具有低界面态密度的无定形含氢碳（a-C：H）。
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3.发明授权
公开(公告)号：EP0291779B1
公开(公告)日：1994-07-27
申请号：EP88107255.7
申请日：1988-05-05
IPC分类号： G03F7/023
CPC分类号： G03F7/0233 , Y10S430/107 , Y10S430/156
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4.发明公开Herstellung hochwärmebeständiger Reliefstrukturen 失效HerstellunghochwärmebeständigerReliefstrukturen。
公开(公告)号：EP0391200A2
公开(公告)日：1990-10-10
申请号：EP90105739.8
申请日：1990-03-26
CPC分类号： G03F7/0387 , G03F7/039 , Y10S430/146
摘要： Hochwärmebeständige Reliefstrukturen können dann in einfacher und kostengünstiger Weise aus Polybenzoxazol-Vorstufen hergestellt werden, ohne daß diese polymerisierbare Gruppen aufweisen bzw. ohne daß photoaktive Komponenten vorhanden sind, wenn lösliche Hydroxypolyamide in Form einer Schicht oder Folie auf ein Substrat aufgebracht und mittels eines UV-Excimer-Lasers mit einer Leistungsdichte > 10⁵ W/cm² pro Puls durch eine Maske belichtet werden und dann mit einem wäßrig-alkalischen Entwickler entwickelt und nachfolgend getempert wird.
摘要翻译： 如果以层或片的形式将可溶性羟基聚酰胺施用于基底并通过手段暴露，则可以以简单且廉价的方式从聚苯并恶唑前体制备非常热稳定的浮雕图案，而不含它们含有可聚合基团或不存在光敏组分 的通过掩模的功率密度> 10 5 W / cm 2的UV准分子激光器，然后用碱性显影剂水溶液显影，随后进行热处理。
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公开(公告)号：EP0831534A3
公开(公告)日：1998-05-20
申请号：EP97115838.1
申请日：1997-09-11
IPC分类号： H01L29/06 , H01L23/31 , H01L21/312
CPC分类号： H01L21/02118 , H01L21/02282 , H01L21/312 , H01L23/293 , H01L29/408 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Bei Halbleiterbauelementen mit einem Halbleiterkörper mit wenigstens einem an dessen Oberfläche tretenden pn-Übergang und mit einer Passivierungsschicht werden durch Feuchtigkeit oder Ionen bedingte Instabilitäten dann unterbunden, wenn die Passivierungsschicht aus Polybenzoxazol besteht.
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公开(公告)号：EP0690494A3
公开(公告)日：1998-03-18
申请号：EP95109271.7
申请日：1995-06-14
发明人： Leuschner, Rainer, Dr. , Ahne, Hellmut, Dr. , Birkle, Siegfried, Dr. , Hammerschmidt, Albert, Dr. , Sezi, Recai, Dr. , Noll, Tobias, Prof. Dr. , Dumoulin, Ann, Dr.
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/52
CPC分类号： H01L21/4846 , H01L21/4857 , H01L2924/0002 , H05K3/0023 , H05K3/0041 , H05K3/048 , H05K3/184 , H05K3/388 , H05K3/465 , H05K3/4661 , H05K2203/072 , H01L2924/00
摘要： Ein Verfahren zur Herstellung von Multichip-Modulen mit Schichtfolgen aus dielektrischem Material mit darin eingebetteten Leiterbahnen ist durch folgende Merkmale gekennzeichnet:
als dielektrisches Material wird ein temperaturstabiles, basenresistentes Polymer mit einer Dielektrizitätskonstante ≦ 3 verwendet, das auf ein nichtleitendes Substrat aufgebracht wird und als Randbegrenzung für einen stromlosen, autokatalytischen Aufbau der Leiterbahnen dient, das dielektrische Material wird mit einer Schicht aus in organischen Solventien löslichem Material versehen (Lift-off-Schicht), das dielektrische Material und die Lift-off-Schicht werden in einem einzigen lithographischen Schritt strukturiert, wobei entweder eine direkte oder eine indirekte Strukturierung erfolgt und im dielektrischen Material Gräben mit einem Aspektverhältnis ≧ 1 gebildet werden, auf das dielektrische Material bzw. auf die Lift-off-Schicht wird durch Aufdampfen in gerichteter Weise eine metallische Keimschicht aufgebracht, die Lift-off-Schicht wird mit einem organischen Solvens entfernt, und in den Gräben werden durch stromlose Metallabscheidung Leiterbahnen erzeugt.-
公开(公告)号：EP0291778B1
公开(公告)日：1994-03-16
申请号：EP88107254.0
申请日：1988-05-05
CPC分类号： C08G73/22 , H01B3/303 , Y10T428/31504 , Y10T428/31725
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公开(公告)号：EP0394767A3
公开(公告)日：1991-07-24
申请号：EP90107014.4
申请日：1990-04-12
发明人： Birkle, Siegfried, Dr. , Hammerschmidt, Albert, Dr. , Kammermaier, Johann, Dr. , Leuschner, Rainer, Dr. , Schulte, Rolf W.
IPC分类号： H01L23/373 , H01L23/29
CPC分类号： H01L21/02118 , H01L21/02115 , H01L21/312 , H01L23/295 , H01L23/3737 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Ein planarisierendes Dielektrikum, das insbesondere für elektronische Bauelemente geeignet ist, erfüllt dann die geforderten Eigenschaften in hohem Maße, wenn es aus einer Matrix aus einem hochtemperaturbeständigen organischen Polymeren besteht, in die in feiner Verteilung ein fester, im Sauerstoffplasma ätzbarer Füllstoff mit hoher Wärmeleitfähigkeit und guten dielektrischen Eigenschaften eingelagert ist.
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9.发明公开
公开(公告)号：EP0291779A3
公开(公告)日：1989-09-20
申请号：EP88107255.7
申请日：1988-05-05
IPC分类号： G03F7/023
CPC分类号： G03F7/0233 , Y10S430/107 , Y10S430/156
摘要： Photoresists sollen sich insbesondere auch für einen Hochtemperatureinsatz eignen. Die neuen Positivresists auf der Basis von Polybenzoxazol-Vorstufen und Diazochinonen sollen nicht nur hochwärmebeständig, sondern auch kostengünstig herstellbar sein und ein hohes Auflösungsvermögen besitzen. Erfindungsgemäß sind die Polybenzoxazol-Vorstufen Hydroxypolyamide folgender Struktur:
wobei R, R*, R₁ und R aromatische Gruppen sind,
und bezüglich n₁ und n₂ folgendes gilt:
n₁ und n₂ = 1 bis 100,
mit der Maßgabe: R ≠ R* und/oder R₁ ≠ R . Chips, bipolare Gate-Arrays und Memories-
公开(公告)号：EP0617462B1
公开(公告)日：1999-04-28
申请号：EP94102740.1
申请日：1994-02-23
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/28 , H01L29/43 , H01L21/3105
CPC分类号： C23C16/56 , C23C16/26 , H01L21/049 , H01L21/28167 , H01L21/28264 , Y10S438/91
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