PROCÉDÉ ITÉRATIF DE RECONSTRUCTION DE LA TOPOLOGIE D'UN RÉSEAU DE CÂBLES

    公开(公告)号:EP4439991A1

    公开(公告)日:2024-10-02

    申请号:EP24166470.5

    申请日:2024-03-26

    IPC分类号: H04B3/46 G01R31/11 H04L43/00

    CPC分类号: H04B3/46 G01R31/11

    摘要: Procédé itératif de reconstruction de la topologie d'un réseau de câbles, comprenant les étapes de :
    - Obtenir (200) un réflectogramme temporel mesuré,
    - Rechercher un modèle de topologie de réseau de câbles correspondant audit réflectogramme mesuré en exécutant à partir d'un modèle initial de topologie, plusieurs itérations d'au moins deux étapes successives de transformation d'un modèle de topologie :
    i. Une première étape d'optimisation (202) des branches non optimisées d'au moins un modèle de topologie sauvegardé à l'itération précédente, l'optimisation portant au moins sur la longueur des branches et/ou l'impédance des charges en fin de branches,
    ii. Une seconde étape de génération (204) de nouveaux modèles de topologie en remplaçant une charge en fin de branche d'un modèle de topologie sauvegardé après la première étape d'optimisation (202), par une jonction vers plusieurs branches non optimisées.

    CIRCUIT ÉLECTRONIQUE QUANTIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ

    公开(公告)号:EP4435867A1

    公开(公告)日:2024-09-25

    申请号:EP24165157.9

    申请日:2024-03-21

    摘要: Un aspect de l'invention concerne un circuit (1) électronique comprenant :
    - une couche semiconductrice (2), dite « couche qubits » ;
    - des piliers semiconducteurs (3), distants les uns des autres, s'étendant perpendiculairement à la face avant (2a) de la couche qubits (2) depuis et intégrale avec la couche qubits (2),
    - une couche de séparation (42) s'étendant au contact de la couche qubits (2) ;
    - des premières électrodes conductrices (61), dites « lignes de couplage », s'étendant parallèlement à la couche qubits (2) ;
    - des deuxièmes électrodes conductrices (62), dites « colonnes de couplage », s'étendant parallèlement à la couche qubits (2) ;
    - des troisièmes électrodes conductrices (71), dites « lignes de contrôle », s'étendant sur l'espaceur (42) ; et
    - des vias conducteurs (72), dits « vias de contrôle », s'étendant perpendiculairement à la face couche qubits (2) depuis l'espaceur (42) et présentant une extrémité disposée à proximité de la couche qubits (2),
    - les troisièmes électrodes conductrices (62) et les vias conducteurs (72) étant configurés pour moduler le potentiel électrostatique au niveau de la couche qubits et former des boîtes quantiques dans la couche qubits.