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    Procede de realisation de cavites d'air dans des microstructures, notamment du type structures d'interconnexions a cavites d'air pour circuit integre
    1.
    发明公开
    Procede de realisation de cavites d'air dans des microstructures, notamment du type structures d'interconnexions a cavites d'air pour circuit integre 审中-公开
    制造微结构的空气空隙的过程中，特别是空气腔连接结构用于集成电路的

    公开(公告)号：EP2117042A1

    公开(公告)日：2009-11-11

    申请号：EP09159385.5

    申请日：2009-05-05

    Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE

    Inventor： ZENASNI, Aziz

    IPC: H01L21/768

    CPC classification number: B81C1/00047 ,  B81C2201/0108 ,  B81C2201/0128 ,  H01L21/7682

    Abstract: L'invention se rapporte à un procédé pour réaliser au moins une cavité d'air dans une microstructure, qui comprend :
    1) la fourniture d'une microstructure comprenant au moins une cavité remplie d'un matériau sacrificiel qui se décompose à partir d'une température θ 1 , cette cavité étant délimitée sur au moins une partie de sa surface par une membrane non poreuse, constituée d'un matériau formant une matrice et d'un agent porogène qui se décompose à une température θ 2 1 d'au moins 20°C et qui est dispersé dans cette matrice ;
    2) le traitement de la microstructure à une température ≥ à θ 2 mais 1 pour décomposer sélectivement l'agent porogène ; puis
    3) le traitement de la microstructure à une température ≥ à θ 1 pour décomposer le matériau sacrificiel.
    Applications : fabrication de structures d'interconnexions à cavités d'air pour circuit intégré et de toute autre microstructure dans les industries microélectronique et microtechnologique.

    Abstract translation: 该方法包括提供一个微观结构（10）与填充有牺牲材料，其中该间隙是由非多孔性膜（18）限定的间隙。 微观结构在温度进行热处理所做的是小于θ-1，用于选择性地分解成孔剂到制备的多孔膜（14）。 微观结构在温度下进行热处理确实等于θ-1用于分解材料和用于通过多孔膜从该间隙获取的物质的提取，以获得空气间隙（19，20），而不是填充有间隙 材料。

    Verfahren zum Herstellen einer Vielzahl plattenförmiger Mikrostrukturkörper aus Metall
    3.
    发明公开
    Verfahren zum Herstellen einer Vielzahl plattenförmiger Mikrostrukturkörper aus Metall 失效
    用于生产具有多个微结构的金属体的方法

    公开(公告)号：EP0331208A3

    公开(公告)日：1990-01-31

    申请号：EP89105374.6

    申请日：1986-03-18

    Applicant: Kernforschungszentrum Karlsruhe GmbH

    Inventor： Ehrfeld, Wolfgang, Dr. ,  Hagman, Peter, Dr. ,  Maner, Asim, Dr. ,  Münchmeyer, Dietrich, Dr. ,  Becker, Erwin, Prof. Dr.

    IPC: C25D1/10 ,  B01D59/18

    CPC classification number: B81C99/008 ,  B81C2201/0128 ,  B81C2201/032 ,  B81C2201/034 ,  C25D1/10

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Vielzahl plattenförmiger Mikrostrukturkörper aus Metall, bei dem durch wiederholtes Abformen eines die Mikrostrukturen auf­weisenden Werkzeugs mit einer elektrisch isolierenden Abform­masse Negativformen der Mikrotrukturen erzeugt werden, die galvanisch mit einem Metall aufgefüllt werden, wonach die Ne­gativformen entfernt werden, und bei dem die elektrisch iso­lierende Abformmasse mit einer elektrisch leitenden, als Elek­trode für die Galvanik dienenden Schicht verbunden wird, wobei die Dicke der elektrisch isolierenden Abformmasse der Höhe der herzustellenden Mikrostrukturen entspricht. Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren der gat­tungsgemäßen Art so zu gestalten, daß der Herstellungsaufwwand verringert und damit bessere Voraussetzungen für eine Massen­herstellung geschaffen werden. Zur Lösung schlägt die vorlie­gende Erfindung vor, daß vor dem Abformen eine Schicht (31) aus der elektrisch isolierende Abformmasse mit der Schicht (3) aus elektrisch leitender Abformmasse verbunden wird, und daß das Werkzeug (31) soweit in die Schicht (31) aus der elek­trisch isolierenden Abformmasse eingedrückt wird, bis die Stirnflächen (33a) der Mikrostrukturen (33) des Werkzeugs (31) die Schicht (30) aus elektrisch leitender Abformmasse berüh­ren.

    PLASMA-ASSISTED MICROSTRUCTURE ALIGNMENT AND PRE-BONDING METHOD OF GLASS OR QUARTZ CHIP
    4.
    发明公开
    PLASMA-ASSISTED MICROSTRUCTURE ALIGNMENT AND PRE-BONDING METHOD OF GLASS OR QUARTZ CHIP 有权

    公开(公告)号：EP3306650A4

    公开(公告)日：2018-07-25

    申请号：EP15903951

    申请日：2015-11-17

    Applicant: UNIV BEIJING TECHNOLOGY

    Inventor： GUO GUANGSHENG ,  WANG SIYU ,  PU QIAOSHENG ,  WANG XIAYAN

    IPC: H01L21/20 ,  B81C3/00 ,  H01L21/68

    CPC classification number: H01L21/67028 ,  B81C1/00928 ,  B81C3/001 ,  B81C3/002 ,  B81C2201/0102 ,  B81C2201/0128 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2201/019 ,  B81C2203/051 ,  H01L21/68

    Abstract: The plasma-assisted method of precise alignment and pre-bonding for microstructure of glass and quartz microchip belongs to micromachining and bonding technologies of the microchip. The steps of which are as follows: photoresist and chromium layers on glass or quartz microchip are completely removed followed by sufficient cleaning of the surface with nonionic surfactant and quantities of ultra-pure water. Then the surface treatment is proceeded for an equipping surface with high hydrophily with the usage of plasma cleaning device. Under the drying condition, the precise alignment is accomplished through moving substrate and cover plate after being washed with the help of microscope observation. Further on, to achieve precise alignment and pre-bonding of the microstructure of glass and quartz microchip, a minute quantity of ultrapure water is instilled into a limbic crevice for adhesion, and entire water is completely wiped out by vacuum drying following sufficient squeezing. Based on the steps above, it is available to achieve permanent bonding by further adopting thermal bonding method. In summary, it takes within 30 min to finish the whole operation of precise alignment and pre-bonding by this method. Besides, this method is of great promise because of its speediness, efficiency, easy maneuverability, operational safety and wide applications.

    Verfahren zum Herstellen einer Vielzahl plattenförmiger Mikrostrukturkörper aus Metall
    6.
    发明公开
    Verfahren zum Herstellen einer Vielzahl plattenförmiger Mikrostrukturkörper aus Metall 失效
    一种用于制造多个从金属板形微观结构体的方法。

    公开(公告)号：EP0331208A2

    公开(公告)日：1989-09-06

    申请号：EP89105374.6

    申请日：1986-03-18

    Applicant: Kernforschungszentrum Karlsruhe GmbH

    Inventor： Ehrfeld, Wolfgang, Dr. ,  Hagman, Peter, Dr. ,  Maner, Asim, Dr. ,  Münchmeyer, Dietrich, Dr. ,  Becker, Erwin, Prof. Dr.

    IPC: C25D1/10 ,  B01D59/18

    CPC classification number: B81C99/008 ,  B81C2201/0128 ,  B81C2201/032 ,  B81C2201/034 ,  C25D1/10

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Vielzahl plattenförmiger Mikrostrukturkörper aus Metall, bei dem durch wiederholtes Abformen eines die Mikrostrukturen auf­weisenden Werkzeugs mit einer elektrisch isolierenden Abform­masse Negativformen der Mikrotrukturen erzeugt werden, die galvanisch mit einem Metall aufgefüllt werden, wonach die Ne­gativformen entfernt werden, und bei dem die elektrisch iso­lierende Abformmasse mit einer elektrisch leitenden, als Elek­trode für die Galvanik dienenden Schicht verbunden wird, wobei die Dicke der elektrisch isolierenden Abformmasse der Höhe der herzustellenden Mikrostrukturen entspricht. Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren der gat­tungsgemäßen Art so zu gestalten, daß der Herstellungsaufwwand verringert und damit bessere Voraussetzungen für eine Massen­herstellung geschaffen werden. Zur Lösung schlägt die vorlie­gende Erfindung vor, daß vor dem Abformen eine Schicht (31) aus der elektrisch isolierende Abformmasse mit der Schicht (3) aus elektrisch leitender Abformmasse verbunden wird, und daß das Werkzeug (31) soweit in die Schicht (31) aus der elek­trisch isolierenden Abformmasse eingedrückt wird, bis die Stirnflächen (33a) der Mikrostrukturen (33) des Werkzeugs (31) die Schicht (30) aus elektrisch leitender Abformmasse berüh­ren.

    Abstract translation: 本发明涉及一种方法，用于制造多个由金属板形微观结构体，通过重复模制具有与Mikrotrukturen的电绝缘模制化合物的负形式，其中，其被流电填充有金属，随后负模具移除工具的微结构中创建，并且 其中所述电绝缘模制化合物被结合到导电的，用作用于电镀层的电极，其中所述微结构的高度的电绝缘模制化合物的厚度要生产对应。 本发明的目的来设计的一般类型的方法，使得减少Herstellungsaufwwand并创建大规模生产更好的条件。 为了解决本发明提出的是，电绝缘模制化合物与层（3）的层（31）被模制之前，连接在导电印模材料，并且所述工具（31），只要进入的层（31） 电绝缘模制化合物被按压，直到端面（33A）接触的工具（31）导电性模塑复合物的层（30）的所述微结构（33）。

    Verfahren zum Herstellen einer Vielzahl plattenförmiger Mikrostrukturkörper aus Metall
    9.
    发明公开
    Verfahren zum Herstellen einer Vielzahl plattenförmiger Mikrostrukturkörper aus Metall 失效
    一种用于制造多个从金属板形微观结构体的方法。

    公开(公告)号：EP0328161A2

    公开(公告)日：1989-08-16

    申请号：EP89105375.3

    申请日：1986-03-18

    Applicant: KERNFORSCHUNGSZENTRUM KARLSRUHE GMBH

    Inventor： Ehrfeld, Wolfgang, Dr. ,  Hagmann, Peter, Dr. ,  Maner, Asim, Dr. ,  Münchmeyer, Dietrich, Dr. ,  Becker, Erwin, Prof. Dr.

    IPC: C25D1/10 ,  B01D59/18

    CPC classification number: B81C99/008 ,  B81C2201/0128 ,  B81C2201/032 ,  B81C2201/034 ,  C25D1/10

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Vielzahl plattenförmiger Mikrostrukturkörper aus Metall, bei dem durch wiederholtes Abformen eines die Mikrostrukturen auf­weisenden Werkzeugs mit einer elektrisch isolierenden Abform­masse Negativformen der Mikrostrukturen erzeugt werden, die galvanisch mit einem Metall aufgefüllt werden, wonach die Ne­gativformen entfernt werden, und bei dem elektrisch leitendes Material wieder lösbar auf die Mikrostrukturen des Werkzeugs aufgebracht und im Zuge des Abformens auf die Abformmasse übertragen wird. Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren der gattungsgemäßen Art so zu gestalten, daß damit eine störungsfreie galvanische Auffüllung der Negativformen selbst bei sehr hohen Aspektverhältnissen und kleinsten cha­rakteristischen, lateralen Abmessungen der Mikrostrukturen er­möglicht wird. Zur Lösung schlägt die vorliegende Erfindung vor, daß das elektrisch leitende Material auf die Stirnflächen (5a) der Mikrostrukturen (5) des Werkzeugs (4) aufgebracht wird, von wo es im Zuge des Abformens auf die diesen Stirnflä­chen (5a) gegenüberliegenden Formböden (10a) der Abformmasse (9) übertragen wird.

    Abstract translation: 本发明涉及一种方法，用于制造多个由金属板形微观结构体，通过重复模制具有与所述微结构，其中，其被流电填充有金属，随后负模具除去的电绝缘模制化合物阴模的工具微结构创建的，并 可拆卸地施加在导电材料回到工具的微结构和在印模材料模制的过程中传输。 本发明解决了设计的一般类型，使得负模具，从而无故障的电填充成为可能，即使具有非常高的纵横比和微结构的最小特征的横向尺寸的方法的问题。 为了解决本发明提出的是在端面上（图5a）中的导电材料被施加到微结构（5）的工具（4），（从它在这些端面（5a）的模制模的底部10a的过程中相对 ）被发送到所述印模材料（9）。

    PLASMA-ASSISTED MICROSTRUCTURE ALIGNMENT AND PRE-BONDING METHOD OF GLASS OR QUARTZ CHIP
    10.
    发明公开
    PLASMA-ASSISTED MICROSTRUCTURE ALIGNMENT AND PRE-BONDING METHOD OF GLASS OR QUARTZ CHIP 有权
    玻璃或石英芯片的等离子体辅助显微结构对准和预结合方法

    公开(公告)号：EP3306650A1

    公开(公告)日：2018-04-11

    申请号：EP15903951.0

    申请日：2015-11-17

    Applicant: Beijing University of Technology

    Inventor： GUO, Guangsheng ,  WANG, Siyu ,  PU, Qiaosheng ,  WANG, Xiayan

    IPC: H01L21/60 ,  H01L21/68

    CPC classification number: H01L21/67028 ,  B81C1/00928 ,  B81C3/001 ,  B81C3/002 ,  B81C2201/0102 ,  B81C2201/0128 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2201/019 ,  B81C2203/051 ,  H01L21/68

    Abstract: The plasma-assisted method of precise alignment and pre-bonding for microstructure of glass and quartz microchip belongs to micromachining and bonding technologies of the microchip. The steps of which are as follows: photoresist and chromium layers on glass or quartz microchip are completely removed followed by sufficient cleaning of the surface with nonionic surfactant and quantities of ultra-pure water. Then the surface treatment is proceeded for an equipping surface with high hydrophily with the usage of plasma cleaning device. Under the drying condition, the precise alignment is accomplished through moving substrate and cover plate after being washed with the help of microscope observation. Further on, to achieve precise alignment and pre-bonding of the microstructure of glass and quartz microchip, a minute quantity of ultrapure water is instilled into a limbic crevice for adhesion, and entire water is completely wiped out by vacuum drying following sufficient squeezing. Based on the steps above, it is available to achieve permanent bonding by further adopting thermal bonding method. In summary, it takes within 30 min to finish the whole operation of precise alignment and pre-bonding by this method. Besides, this method is of great promise because of its speediness, efficiency, easy maneuverability, operational safety and wide applications.

    Abstract translation: 等离子体辅助玻璃和石英微结构微结构的精确对准和预键合方法属于微芯片的微细加工和键合技术。 其步骤如下：将玻璃或石英微芯片上的光刻胶和铬层完全除去，然后用非离子表面活性剂和一定量的超纯水充分清洗表面。 然后利用等离子体清洁装置进行表面处理以获得具有高亲水性的装备表面。 在干燥条件下，借助显微镜观察清洗后，通过移动基板和盖板完成精确对准。 此外，为了实现玻璃和石英微芯片的微结构的精确对准和预粘合，将微量超纯水灌注到边缘缝隙中以进行粘附，并且在充分挤压后通过真空干燥完全擦去全部水。 基于上述步骤，可通过进一步采用热粘合方法实现永久粘合。 总之，用这种方法完成精确对准和预粘接的整个操作需要30分钟。 此外，该方法具有快速，高效，易操作，操作安全，应用广泛等特点。

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