利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

95 条记录 (耗时 0.017 秒)

    Tragmittel für Öfen
    4.
    发明公开
    Tragmittel für Öfen 审中-公开
    TragmittelfürÖfen

    公开(公告)号：EP2703759A1

    公开(公告)日：2014-03-05

    申请号：EP12183023.6

    申请日：2012-09-04

    申请人： Schwartz, Eva

    发明人： Schwartz, Rolf-Josef

    IPC分类号： F27B9/20 ,  F27B9/24 ,  F27B17/00 ,  F27D3/00 ,  F27D3/02 ,  F27D3/12 ,  F27D5/00

    CPC分类号： F27B9/20 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5006 ,  C04B41/5031 ,  C04B41/5064 ,  C04B41/85 ,  C04B41/87 ,  F27B9/24 ,  F27B17/0016 ,  F27D3/0024 ,  F27D3/0084 ,  F27D3/02 ,  F27D3/12 ,  F27D5/00 ,  C04B35/00 ,  C04B41/4537

    摘要： Die Erfindung betrifft eine Trennschicht auf einem Tragmittel für Öfen, in denen metallische Werkstücke wärmebehandelt werden. Bei der Wärmebehandlung AlSi-beschichteter Bleche ergibt sich das Problem, dass die Werkstoffe der Tragmittel der Öfen mit dem Aluminium der Beschichtung der Werkstücke thermo-chemisch reagieren und daher die Standzeit der Tragmittel gering ist. Aufgabe der Erfindung ist es, ein Tragmittel für einen Ofen für die Wärmebehandlung AlSi-beschichteter Metallteile anzugeben, das eine deutlich längere Standzeit als bekannte Tragmittel bei einem deutlich geringerem Preis als Tragmittel aus nichtoxidischer aluphober Keramik aufweist. Zur Lösung des Problems schlägt die Erfindung vor, dass das Tragmittel eine Oberfläche aus einem thermostabilen Metalloxid oder Metallnitrid, wie beispielsweise Aluminiumoxid, Boroxid oder Bornitrid aufweist.

    摘要翻译： 介质即辊（30）具有包含热化学稳定的分离层的外表面（34），其在1000摄氏度时需要较高的约950kJ / mol的形成能。 分离层含有约6重量％的氧化铝，并且形成为氧化铝膜（33）。 分离层包括增加部分的氧化硼或氮化硼。 分离层包括约5微米的层厚度。 介质的芯（31）由稳定的金属基材或陶瓷基材制成。

    Coatings for microelectronic devices and substrates
    9.
    发明公开
    Coatings for microelectronic devices and substrates 失效
    Überzugsschichtfürmikroelektronische Anordnungen und Substrate。

    公开(公告)号：EP0442632A2

    公开(公告)日：1991-08-21

    申请号：EP91300701.9

    申请日：1991-01-30

    申请人： DOW CORNING CORPORATION

    发明人： Haluska, Loren Andrew

    IPC分类号： H01L21/314 ,  H01L21/48 ,  H01L21/312 ,  C04B41/87 ,  C04B41/89

    CPC分类号： H01L21/481 ,  C04B41/4554 ,  C04B41/52 ,  C04B2111/00844 ,  Y10S428/934 ,  Y10S428/938 ,  C04B41/463 ,  C04B41/5006 ,  C04B41/5025 ,  C04B41/5072 ,  C04B41/4505

    摘要： The present invention relates to a method of forming a ceramic or ceramic-like coating on a substrate, especially electronic devices, as well as the substrate coated thereby. The method comprises coating said substrate with a solution comprising a solvent, hydrogen silsesquioxane resin and a modifying ceramic oxide precursor selected from the group consisting of tantalum oxide precursors, niobium oxide precursors, vanadium oxide precursors, phosphorous oxide precursors and boron oxide precursors. The solvent is then evaporated to thereby deposit a preceramic coating on the substrate. The preceramic coating is then ceramified by heating to a temperature of between about 40°C. and about 1000°C. This coating, moreover, may be covered by additional passivation and barrier coatings.

    摘要翻译： 本发明涉及一种在基材，特别是电子器件上形成陶瓷或陶瓷样涂层的方法，以及由此涂覆的基材。 该方法包括用包含溶剂，氢倍半硅氧烷树脂和选自钽氧化物前体，氧化铌前体，氧化钒前体，氧化磷前体和氧化硼前体的改性陶瓷氧化物前体的溶液涂覆所述衬底。 然后蒸发溶剂，从而在基材上沉积预陶瓷涂层。 然后通过加热到约40℃至约1000℃之间的温度，将陶瓷陶瓷涂层陶瓷化。此外，该涂层可以被额外的钝化和阻隔涂层覆盖。