摘要:
A method of forming a window cap wafer (WCW) structure for semiconductor devices includes machining a plurality of cavities into a front side of a first substrate; bonding the first substrate to a second substrate, at the front side of the first substrate; removing a back side of the first substrate so as to expose the plurality of cavities, thereby defining the WCW structure comprising the second substrate and a plurality of vertical supports comprised of material of the first substrate.
摘要:
Provided is an infrared image sensor for detecting infrared rays. The infrared image sensor includes a light-receiving unit including a pixel region in which a plurality of pixels are arranged and at least one reference pixel; a difference circuit for acquiring a first differential signal that is a differential signal between a signal of one pixel contained in the pixel region and a signal of the reference pixel and a second differential signal that is a differential signal between signals of two predetermined pixels out of the pixels contained in the pixel region; and a pixel signal calculating unit that calculates a signal of each of the pixels on the basis of the first differential signal and the second differential signal.
摘要:
A two-level IR detector imaging array of high fill-factor design. The upper microbridge detector level is spaced above and overlies the integrated circuit and bus lines on the substrate surface below.
摘要:
L'invention concerne un détecteur de rayonnement comprenant un élément en matériau supraconducteur (1) alimenté par un générateur électrique (2) ainsi que des moyens pour mesurer la résistance de l'élément (1). Par exemple, le générateur est une source de tension constante. Les moyens de mesure sont une résistance (3) placée en série avec l'élément supraconducteur (1) et un appareil de mesure de tension (4) connecté aux bornes de la résistance (3). Un rayonnement F a pour effet de faire varier la résistance de l'élément supraconducteur (1). Par suite, de la valeur de la résistance de l'élément supraconducteur (1) on déduit l'intensité du rayonnement reçu. APPLICATIONS : Détection des rayonnements situés entre les ondes visibles et les ondes millimétriques.
摘要:
We disclose herein a thermal IR detector array device comprising a dielectric membrane, supported by a substrate, the membrane having an array of IR detectors, where the array size is at least 3 by 3 or larger, and there are tracks embedded within the membrane layers to separate each element of the array, the tracks also acting as heatsinks and/or cold junction regions.
摘要:
Détecteur bolométrique (100) de longueurs d'ondes LWIR, comportant : - un substrat (102) ; - une membrane (104) suspendue au-dessus du substrat par des éléments de support (108) ; - un élément absorbeur comprenant plusieurs structures MIM chacune formée d'un élément métallique inférieur (112), d'un élément métallique supérieur (114) propre à chaque structure MIM et d'un élément diélectrique (110, 118) disposé entre les éléments métalliques inférieur et supérieur ; - un élément thermomètre comprenant un matériau thermométrique ; dans lequel : - la membrane comporte l'élément métallique supérieur, le matériau thermométrique et une partie de l'élément diélectrique de chaque structure MIM, - les éléments métalliques supérieurs d'au moins deux structures MIM ont des dimensions différentes dans un plan principal de la membrane, et - l'élément diélectrique de chacune des structures MIM comporte l'un des matériaux suivants présentant des modes vibrationnels dans la gamme LWIR : Al 2 O 3 , AIN, TiO 2 .
摘要翻译:LWIR波长的辐射测量检测器,包括:基板; 通过支撑元件悬浮在基底上的膜; 吸收元件包括多个MIM结构,每个MIM结构均形成有下部金属元件,特定于每个MIM结构的上部金属元件和位于下部和上部金属元件之间的介电元件; 包括至少一种测温材料的测温元件; 其中:所述膜包括所述上金属元件,所述测温材料和每个MIM结构的所述电介质元件的一部分,所述至少两个MIM结构的上金属元件在所述膜的主平面中相对于彼此具有不同的尺寸, 并且每个MIM结构的电介质元件包括在LWIR范围内具有振动模式的以下材料中的至少一种:Al 2 O 3,AlN,TiO 2。
摘要:
A method of forming a window cap wafer (WCW) structure for semiconductor devices includes machining a plurality of cavities into a front side of a first substrate; bonding the first substrate to a second substrate, at the front side of the first substrate; removing a back side of the first substrate so as to expose the plurality of cavities, thereby defining the WCW structure comprising the second substrate and a plurality of vertical supports comprised of material of the first substrate.
摘要:
The invention relates to a bolometer element, a bolometer cell, a bolometer camera, and a method for reading a bolometer cell. The bolometer cell comprises several bolometer elements, which comprises several bolometer elements located in a matrix, as well as conductors for detecting electrically from each bolometer element the radiation power acting on the bolometer elements, in which case each bolometer element comprises a first bolometer (601) having a first heating resistance (611) for sensing radiation power acting on the element. According to the invention, each bolometer element additionally comprises a second bolometer (602), having a second heating resistance (612), in which case in each bolometer element the first (601) and second (602) bolometers are electrically connected to each other in such a way that the heating resistance (611) of the first bolometer (601) can be biased with the aid of a voltage through the heating resistance (612) of the second bolometer (602) in order to amplify the radiation power detected with the aid of the connection. With the aid of the invention, it is possible to implement an extremely sensitive bolometer camera.
摘要:
Ce détecteur comprend un ensemble de capteurs élémentaires aptes à détecter ledit rayonnement. Cet ensemble comporte au moins deux zones de détection distinctes, une première zone de détection composée de capteurs élémentaires présentant une première constante de temps thermique, et une seconde zone de détection composée de capteurs élémentaires présentant une seconde constante de temps thermique différente de ladite première constante de temps thermique.