公开(公告)号：EP2594928B1

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：EP12007744.1

申请日：2012-11-15

申请人： Micronas GmbH

发明人： Wilbertz, Christoph ,  Kolleth, Tobias ,  Frerichs, Heinz-Peter

IPC分类号： G01N27/414 ,  H01L23/485 ,  H01L21/56 ,  H01L25/00 ,  H01L23/482

CPC分类号： H01L29/66 ,  G01N27/4143 ,  G01N27/4148 ,  H01L23/3171 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05017 ,  H01L2224/05138 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05564 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05578 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05638 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/05686 ,  H01L2224/05687 ,  H01L2224/1319 ,  H01L2224/1329 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16112 ,  H01L2224/1613 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/17505 ,  H01L2224/17517 ,  H01L2224/26145 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/32058 ,  H01L2224/32112 ,  H01L2224/3213 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/33505 ,  H01L2224/33517 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73207 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8185 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10155 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/0476 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

公开(公告)号：EP2594928A3

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：EP12007744.1

申请日：2012-11-15

申请人： Micronas GmbH

发明人： Wilbertz, Christoph ,  Kolleth, Tobias ,  Frerichs, Heinz-Peter

IPC分类号： G01N27/414

CPC分类号： H01L29/66 ,  G01N27/4143 ,  G01N27/4148 ,  H01L23/3171 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05017 ,  H01L2224/05138 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05564 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05578 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05638 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/05686 ,  H01L2224/05687 ,  H01L2224/1319 ,  H01L2224/1329 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16112 ,  H01L2224/1613 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/17505 ,  H01L2224/17517 ,  H01L2224/26145 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/32058 ,  H01L2224/32112 ,  H01L2224/3213 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/33505 ,  H01L2224/33517 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73207 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8185 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10155 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/0476 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： Halbleiter-Gassensor auf der Basis eines integrierten Feldeffekttransistors mit einen Halbleiterkörper mit einer an der Oberfläche des Halbleiterkörpers ausgebildeten Passivierungsschicht, der eine durch einen Spalt von einen Kanalbereich getrennte gassensitive Steuerelektrode aufweist und als Suspended Gate Feldeffekttransistor (SGFET) ausgebildet ist, oder die Steuerelektrode als eine erste Platte eines Kondensators mit Spalt angeordnet ist und eine zweite Platte des Kondensators mit einem Gate des als Capacitve Controlled ausgebildeten Feldeffekttransistors (CCFET) verbunden ist, und die Steuerelektrode eine Halbleiter-Trägerschicht mit einer aufliegenden Haftvermittlerschicht und einer auf der Haftvermittlerschicht aufliegenden gassensitiven Schicht aufweist, und mit einem Referenzpotential verschaltet ist, und die Oberfläche der gassensitiven Schicht dem Kanalbereich oder der zweiten Platte zugewandt ist, und ein Stützgebiet mit einer ersten Tragstruktur mit einem ersten Auflagebereich und einer zweiten Tragstruktur mit einem zweiten Auflagebereich vorgesehen ist, wobei auf der Oberfläche des Halbleiterkörpers ein Anschlussgebiet vorgesehen ist und das Stützgebiet innerhalb des Anschlussgebletes angeordnet ist, und das Anschlussgeblet einen ersten Anschlussberelch und einen zweiten Anschlussbereich aufweist und der erste Anschlussbereich mit der Steuerelektrode mittels eines ersten Verbindungsmittels eine elektrische Verbindung und eine kraftschlüssige Verbindung aufweist und der zweiten Anschlussbereich mit der Steuerelektrode mittels eines zweiten Verbindungsmittels wenigstens eine kraftschlüssige Verbindung aufweist.

公开(公告)号：EP2594928A2

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：EP12007744.1

申请日：2012-11-15

申请人： Micronas GmbH

发明人： Wilbertz, Christoph ,  Kolleth, Tobias ,  Frerichs, Heinz-Peter

IPC分类号： G01N27/414

CPC分类号： H01L29/66 ,  G01N27/4143 ,  G01N27/4148 ,  H01L23/3171 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05017 ,  H01L2224/05138 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05564 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05578 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05638 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/05686 ,  H01L2224/05687 ,  H01L2224/1319 ,  H01L2224/1329 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16112 ,  H01L2224/1613 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/17505 ,  H01L2224/17517 ,  H01L2224/26145 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/32058 ,  H01L2224/32112 ,  H01L2224/3213 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/33505 ,  H01L2224/33517 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73207 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8185 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10155 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/0476 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： Halbleiter-Gassensor auf der Basis eines integrierten Feldeffekttransistors mit einen Halbleiterkörper mit einer an der Oberfläche des Halbleiterkörpers ausgebildeten Passivierungsschicht, der eine durch einen Spalt von einen Kanalbereich getrennte gassensitive Steuerelektrode aufweist und als Suspended Gate Feldeffekttransistor (SGFET) ausgebildet ist, oder die Steuerelektrode als eine erste Platte eines Kondensators mit Spalt angeordnet ist und eine zweite Platte des Kondensators mit einem Gate des als Capacitve Controlled ausgebildeten Feldeffekttransistors (CCFET) verbunden ist, und die Steuerelektrode eine Halbleiter-Trägerschicht mit einer aufliegenden Haftvermittlerschicht und einer auf der Haftvermittlerschicht aufliegenden gassensitiven Schicht aufweist, und mit einem Referenzpotential verschaltet ist, und die Oberfläche der gassensitiven Schicht dem Kanalbereich oder der zweiten Platte zugewandt ist, und ein Stützgebiet mit einer ersten Tragstruktur mit einem ersten Auflagebereich und einer zweiten Tragstruktur mit einem zweiten Auflagebereich vorgesehen ist, wobei auf der Oberfläche des Halbleiterkörpers ein Anschlussgebiet vorgesehen ist und das Stützgebiet innerhalb des Anschlussgebletes angeordnet ist, und das Anschlussgeblet einen ersten Anschlussberelch und einen zweiten Anschlussbereich aufweist und der erste Anschlussbereich mit der Steuerelektrode mittels eines ersten Verbindungsmittels eine elektrische Verbindung und eine kraftschlüssige Verbindung aufweist und der zweiten Anschlussbereich mit der Steuerelektrode mittels eines zweiten Verbindungsmittels wenigstens eine kraftschlüssige Verbindung aufweist.

摘要翻译： 传感器（10）具有具有钝化层（30）和控制电极（100）的主要部分（20）。 接触区域具有第一接触区域，其具有通过钝化层并且具有导电层的底表面的结构（112）。 第一接触区域经由连接部件（130）与控制电极具有摩擦和电连接。 第二接触区域经由连接部件（140）与控制电极摩擦连接。 连接部件（130）至少部分地填充地层并将电极连接到导电层。