摘要:
Zur Vermeidung von Edelmetall-Plattierungen eines Montagebandes mit aus Kupfer oder einer Kupferlegierung bestehender Oberfläche sind der Halbleiterkörper (11) und die Verbindungsdrähte (12) eines planaren Halbleiterbauelements mit der aus Kupfer oder einer Kupferlegierung bestehenden Oberfläche des Montagebandes bzw. der Zuleitungen direkt kontaktiert. Die direkte Kontaktierung erfolgt beim Herstellverfahren durch die reduktive Reinigung, insbesondere mittels eines Wasserstoffstroms oder einer Wasserstoffflamme, die unmittelbar vor der Kontaktierung auf die entsprechenden Bereiche des Montagebandes einwirken gelassen wird. Beim Aufsockeln der Halbleiterkörper auf das Montageband ist vor der Kleberaufbringstation (A) eine Station (C) zur Erzeugung einer Wasserstoffflamme und zur Abgabe eines kühlenden Stickstoffstroms angeordnet. Die Vorrichtung für die Herstellung der Drahtverbindungen enthält entlang der Kapillaren (14) für den Golddraht (12) ein Gaszuführungsrohr (15) mit der Kanüle (16) am Ende, durch die hindurch wiederum Wasserstoff strömt oder an deren Ende wiederum eine Wasserstoffflamme brennt, die auf die aus Kupfer oder einer Kupferlegierung bestehende Oberfläche des Montagebandes (1) einwirken gelassen wird.