公开(公告)号：EP2643854B1

公开(公告)日：2017-12-20

申请号：EP11785433.1

申请日：2011-11-22

申请人： RISE Acreo AB ,  De La Rue International Limited

发明人： BERGGREN, Magnus ,  NORBERG, Petronella ,  ROBERTSSON, Mats ,  WANG, Xin ,  COOPER, Philip, George ,  ANDERSSON ERSMAN, Peter

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L51/05 ,  G07D7/00

CPC分类号： H01L29/68 ,  G07D7/01 ,  H01L21/28 ,  H01L29/47 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/872 ,  H02J17/00 ,  H02J50/10 ,  H02J50/20

摘要： High frequency currents may be rectified by means of a printable diode comprising a first and a second electrode, between which a semiconducting layer comprising semiconducting particles embedded in an inert matrix, and a conducting layer comprising conducting particles embedded in an inert matrix are arranged.

公开(公告)号：EP2919274A1

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：EP13853186.8

申请日：2013-10-31

申请人： Japan Science and Technology Agency ,  The University Of York

发明人： HIROHATA, Atsufumi

IPC分类号： H01L29/82

CPC分类号： H01L43/02 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/10 ,  H01L29/66984 ,  H01L29/68 ,  H01L29/82

摘要： A spin valve element 10 including a spin injector 12 made of a ferromagnetic material, a spin detector 16 made of a ferromagnetic material, and a channel part 14 made of a non-magnetic material. The spin detector 16 is arranged at a position separated from the spin injector 12, the channel part 14 is connected with the spin injector 12 and the spin detector 16 directly or through an insulating layer, and a plurality of spin diffusion portions 30 to 34 with enlarged cross section areas in a direction perpendicular to a spin current is formed in the channel part 14.

摘要翻译： 包括由铁磁材料制成的自旋注入器12的自旋阀元件10，由铁磁材料制成的自旋检测器16和由非磁性材料制成的通道部分14。 自旋检测器16配置在与自旋注入器12分离的位置，通道部14直接或通过绝缘层与自旋注入器12和自旋检测器16连接，多个自旋扩散部30〜34与 在通道部14中形成有与自旋电流垂直的方向的扩大截面积。

公开(公告)号：EP0111868A3

公开(公告)日：1986-10-01

申请号：EP83112487

申请日：1983-12-12

申请人： NEC CORPORATION

发明人： Satoh, Noboru

IPC分类号： G11C11/34 ,  G11C27/02

CPC分类号： H01L29/68 ,  G11C27/005 ,  G11C27/02

摘要： @ The non-volatile semiconductor memory elements having an MIS structure show a hysteresis curve in the gate voltage - the threshold voltage characteristic. The continuously changing region of the hysteresis curve is used to operate the memory elements as analog memories. The input analog signal is applied to the gate electrode of a selected memory element after it is converted to have a voltage-within the continuously changing region, to change the threshold voltage of the selected memory element. The changed threshold voltage is read out in read-out operation.

公开(公告)号：EP2919274B1

公开(公告)日：2018-04-18

申请号：EP13853186.8

申请日：2013-10-31

申请人： Japan Science and Technology Agency ,  The University Of York

发明人： HIROHATA, Atsufumi

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/82 ,  H01L43/02

CPC分类号： H01L43/02 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/10 ,  H01L29/66984 ,  H01L29/68 ,  H01L29/82

摘要： A spin valve element 10 including a spin injector 12 made of a ferromagnetic material, a spin detector 16 made of a ferromagnetic material, and a channel part 14 made of a non-magnetic material. The spin detector 16 is arranged at a position separated from the spin injector 12, the channel part 14 is connected with the spin injector 12 and the spin detector 16 directly or through an insulating layer, and a plurality of spin diffusion portions 30 to 34 with enlarged cross section areas in a direction perpendicular to a spin current is formed in the channel part 14.

公开(公告)号：EP2919274A4

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：EP13853186

申请日：2013-10-31

申请人： JAPAN SCIENCE & TECH AGENCY ,  UNIV YORK

发明人： HIROHATA ATSUFUMI

IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L29/66 ,  H01L29/82

CPC分类号： H01L43/02 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/10 ,  H01L29/66984 ,  H01L29/68 ,  H01L29/82

摘要： A spin valve element 10 including a spin injector 12 made of a ferromagnetic material, a spin detector 16 made of a ferromagnetic material, and a channel part 14 made of a non-magnetic material. The spin detector 16 is arranged at a position separated from the spin injector 12, the channel part 14 is connected with the spin injector 12 and the spin detector 16 directly or through an insulating layer, and a plurality of spin diffusion portions 30 to 34 with enlarged cross section areas in a direction perpendicular to a spin current is formed in the channel part 14.

公开(公告)号：EP3273474A1

公开(公告)日：2018-01-24

申请号：EP17179930.7

申请日：2017-07-06

申请人： SEMIKRON Elektronik GmbH & Co. KG

发明人： Kobolla, Harald ,  Ammon, Jörg

IPC分类号： H01L23/433 ,  H01L23/00 ,  H01L25/07

CPC分类号： H01L29/417 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/42 ,  H01L23/433 ,  H01L23/498 ,  H01L24/72 ,  H01L24/83 ,  H01L24/84 ,  H01L25/072 ,  H01L29/68

摘要： Es wird eine Schalteinrichtung mit einem Substrat, einem hierauf angeordneten Leistungshalbleiterbauelement, mit einer Verbindungseinrichtung und mit einer Druckeinrichtung vorgestellt, wobei das Substrat gegeneinander elektrisch isolierte Leiterbahnen aufweist und auf einer der Leiterbahnen ein Leistungshalbleiterbauelement mit seiner ersten Hauptfläche angeordnet und elektrisch leitend damit verbunden ist, wobei die Verbindungseinrichtung als Folienverbund mit einer elektrisch leitenden und einer elektrisch isolierenden Folie ausgebildet ist und somit eine erste und eine zweite Hauptfläche ausbildet, wobei die Schalteinrichtung mittels der Verbindungseinrichtung intern schaltungsgerecht verbunden ist und hierbei eine Kontaktfläche der Verbindungseinrichtung mit einer ersten Kontaktfläche einer der Leiterbahnen kraftschlüssig und elektrisch leitend verbunden ist, hierzu die Druckeinrichtung einen Druckkörper und ein hiervon in Richtung des Substrats hervorstehendes Druckelement aufweist, wobei das Druckelement auf einen ersten Abschnitt der zweiten Hauptfläche des Folienverbunds drückt und hierbei das Druckelement, dieser erste Abschnitt und die erste Kontaktfläche der Leiterbahn in Normalenrichtung des Substrats zueinander fluchtend angeordnet sind.

摘要翻译： 本发明公开了包含基底的开关装置，一个设置在其上的功率半导体元件，具有连接装置和一个带打印装置，其特征在于，相对于彼此，所述衬底包括电绝缘的导体轨迹，并且被布置在所述导电路径中的一个，与它的第一主表面的功率半导体器件和与之电连接， 所述连接装置被设计为具有导电性和电绝缘薄膜，从而第一和形成的第二主表面的复合膜，其中所说的切换装置是内部电路友好通过连接装置相连接，从而迫使配合连接装置的接触表面与所述导体路径中的一个的第一接触表面和 为此目的，电连接印刷装置，压力体并且在基体压力元件的方向上从其突出 ，其中在所述膜复合材料的所述第二主表面的第一部分，在这种情况下，压力元件，该第一部分和在所述基板的法线方向上的导体轨道的第一接触面的按压部件按压被设置在对准彼此。

公开(公告)号：EP2643854A1

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：EP11785433.1

申请日：2011-11-22

申请人： Acreo Swedish ICT AB ,  De La Rue International Limited

发明人： BERGGREN, Magnus ,  NORBERG, Petronella ,  ROBERTSSON, Mats ,  WANG, Xin ,  COOPER, Philip, George ,  ANDERSSON ERSMAN, Peter

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L51/05 ,  G07D7/00

CPC分类号： H01L29/68 ,  G07D7/01 ,  H01L21/28 ,  H01L29/47 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/872 ,  H02J17/00 ,  H02J50/10 ,  H02J50/20

摘要： High frequency currents may be rectified by means of a printable diode comprising a first and a second electrode, between which a semiconducting layer comprising semiconducting particles embedded in an inert matrix, and a conducting layer comprising conducting particles embedded in an inert matrix are arranged.

摘要翻译： 可以通过包括第一和第二电极的可印刷二极管来整流高频电流，其间包括嵌入在惰性基质中的半导体颗粒的半导体层和包含嵌入在惰性基质中的导电颗粒的导电层。

公开(公告)号：EP0111868A2

公开(公告)日：1984-06-27

申请号：EP83112487.0

申请日：1983-12-12

申请人： NEC CORPORATION

发明人： Satoh, Noboru

IPC分类号： G11C11/34 ,  G11C27/02

CPC分类号： H01L29/68 ,  G11C27/005 ,  G11C27/02

摘要： @ The non-volatile semiconductor memory elements having an MIS structure show a hysteresis curve in the gate voltage - the threshold voltage characteristic. The continuously changing region of the hysteresis curve is used to operate the memory elements as analog memories. The input analog signal is applied to the gate electrode of a selected memory element after it is converted to have a voltage-within the continuously changing region, to change the threshold voltage of the selected memory element. The changed threshold voltage is read out in read-out operation.