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    MULTILAYER STRUCTURE FOR REDUCING FILM ROUGHNESS IN MAGNETIC DEVICES
    3.
    发明公开
    MULTILAYER STRUCTURE FOR REDUCING FILM ROUGHNESS IN MAGNETIC DEVICES 审中-公开

    公开(公告)号：EP3381065A1

    公开(公告)日：2018-10-03

    申请号：EP16791746.7

    申请日：2016-10-24

    申请人： Headway Technologies, Inc.

    发明人： ZHU, Jian ,  JAN, Guenole ,  LEE, Yuan-Jen ,  LIU, Huanlong ,  TONG, Ru-Ying ,  WANG, Po-Kang

    IPC分类号： H01L43/08 ,  H01F10/16 ,  H01F10/32 ,  H01L43/12

    摘要： A seed layer stack with a smooth top surface having a peak to peak roughness of 0.5 nm is formed by sputter depositing an amorphous layer on a seed layer such as Mg where the seed layer has a resputtering rate 2 to 30× that of the amorphous layer. The uppermost seed layer is a template layer that is NiCr or NiFeCr. As a result, perpendicular magnetic anisotropy in an overlying magnetic layer that is a reference layer, free layer, or dipole layer is substantially maintained during high temperature processing up to 400° C. and is advantageous for magnetic tunnel junctions in embedded MRAMs, spintronic devices, or in read head sensors. The amorphous seed layer is SiN, TaN, or CoFeM where M is B or another element with a content that makes CoFeM amorphous as deposited. The seed layer stack may include a bottommost Ta or TaN buffer layer.

    ORGANE RÉGLANT POUR MONTRE BRACELET, ET PIÈCE D'HORLOGERIE COMPORTANT UN TEL ORGANE RÉGLANT
    6.
    发明公开
    ORGANE RÉGLANT POUR MONTRE BRACELET, ET PIÈCE D'HORLOGERIE COMPORTANT UN TEL ORGANE RÉGLANT 审中-公开
    设定元件的手表及时钟这样的设置ELEMENT

    公开(公告)号：EP2497095A1

    公开(公告)日：2012-09-12

    申请号：EP10773314.9

    申请日：2010-11-02

    申请人： LVMH Swiss Manufactures SA

    发明人： PICHON, Bertrand

    IPC分类号： H01F10/16

    CPC分类号： G04B17/00 ,  H01F10/16

    摘要： Magnetic setting member for a wristwatch movement, comprising: a balance (1); permanent magnets (2, 10) for bringing said balance into at least one rest position; and an escapement (5, 6) for transmitting pulses to the balance in order to move the balance (1) away from the rest position; at least one of said permanent magnets being formed from a non-sintered crystalline material, for example based on platinum and cobalt.

    FERROMAGNETIC TUNNEL JUNCTION STRUCTURE AND MAGNETORESISTIVE ELEMENT USING SAME
    7.
    发明公开
    FERROMAGNETIC TUNNEL JUNCTION STRUCTURE AND MAGNETORESISTIVE ELEMENT USING SAME 有权
    FERROMAGNETISCHE TUNNELVERBINDUNGSSTRUKTUR UND MAGNETORESISTIVES ELEMENT DAMIT

    公开(公告)号：EP2434556A1

    公开(公告)日：2012-03-28

    申请号：EP10777669.2

    申请日：2010-05-07

    申请人： National Institute for Materials Science

    发明人： INOMATA Koichiro ,  WANG Wenhong ,  SUKEGAWA Hiroaki

    IPC分类号： H01L43/08 ,  G01R33/09 ,  G11B5/39 ,  H01F10/16 ,  H01F10/32 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L43/10

    CPC分类号： G11B5/3909 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/098 ,  G11B5/3906 ,  G11B2005/3996 ,  H01F10/1936 ,  H01F10/3254 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

    摘要： For the present ferromagnetic tunnel junction structure, employed is a means characterized by using an MgO barrier and using a Co 2 FeAl full-Heusler alloy for any of the ferromagnetic layers therein. The ferromagnetic tunnel junction structure is characterized in that Co 2 FeAl includes especially a B2 structure and one of the ferromagnetic layers is formed on a Cr buffer layer. The magnetoresistive element is characterized in that the ferromagnetic tunnel junction structure therein is any of the above-mentioned ferromagnetic tunnel junction structure. Accordingly, a large TMR, especially a TMR over 100% at room temperature can be attained, using Co 2 FeAl having a smallest a though not a half-metal.

    摘要翻译： 对于本发明的铁磁隧道结结构，使用的是使用MgO阻挡层并且使用Co 2 FeAl全Heusler合金作为其中的任何铁磁层的手段。 铁磁隧道结结构的特征在于Co 2 FeAl特别包括B2结构，并且在Cr缓冲层上形成一个铁磁层。 磁阻元件的特征在于其中的铁磁隧道结结构是上述铁磁隧道结结构中的任一个。 因此，使用尽可能不是半金属的最小的Co 2 FeAl，可以获得大的TMR，特别是在室温下超过100％的TMR。

    MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND MEMORY DEVICE USING SAME
    8.
    发明公开
    MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND MEMORY DEVICE USING SAME 有权
    磁力元素在SPEICHERANORDNUNG DAMIT

    公开(公告)号：EP2375464A1

    公开(公告)日：2011-10-12

    申请号：EP09834596.0

    申请日：2009-10-02

    申请人： Fuji Electric Co., Ltd.

    发明人： YAMADA, Michiya ,  OGIMOTO, Yasushi

    IPC分类号： H01L43/08 ,  H01F10/16 ,  H01F10/32 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105

    CPC分类号： H01L43/08 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  H01F10/126 ,  H01F10/325 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3286 ,  H01L27/224 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

    摘要： The present invention provides a magnetic memory element having a memory cell of size 4F 2 which realizes crosspoint-type memory. In a magnetic memory element 100, a first magnetic layer 22, a third magnetic layer (spin polarization enhancement layer) 27, an intermediate layer 21, a fourth magnetic layer (spin polarization enhancement layer) 26, and a second magnetic layer 20 are stacked in order. The intermediate layer 21 is made of an insulating material or a nonmagnetic material. The second magnetic layer 20 comprises a ternary alloy of gadolinium, iron and cobalt, a binary alloy of gadolinium and cobalt, or a binary alloy of terbium and cobalt. Alternatively, the first magnetic layer 22 comprises a ternary alloy of terbium, iron and cobalt, or a binary alloy of terbium and cobalt.

    摘要翻译： 本发明提供一种具有大小为4F 2的存储单元的磁存储元件，其实现交叉点型存储器。 在磁存储元件100中，堆叠第一磁性层22，第三磁性层（自旋极化增强层）27，中间层21，第四磁性层（自旋极化增强层）26和第二磁性层20 为了。 中间层21由绝缘材料或非磁性材料制成。 第二磁性层20包括钆，铁和钴的三元合金，钆和钴的二元合金，或铽和钴的二元合金。 或者，第一磁性层22包括铽，铁和钴的三元合金，或铽和钴的二元合金。

    Metastabiles, nanostabilisiertes Material und Verfahren zu dessen Herstellung
    9.
    发明公开
    Metastabiles, nanostabilisiertes Material und Verfahren zu dessen Herstellung 审中-公开
    Metastabiles，nanostabilisiertes材料和Verfahren zu dessen Herstellung

    公开(公告)号：EP2336385A1

    公开(公告)日：2011-06-22

    申请号：EP10193995.7

    申请日：2010-12-07

    申请人： Karlsruher Institut für Technologie

    发明人： Klever, Christian ,  Leiste, Harald ,  Seemann, Klaus ,  Stüber, Michael ,  Ulrich, Sven

    IPC分类号： C23C14/06 ,  C23C30/00 ,  H01F10/14 ,  H01F10/16

    CPC分类号： C23C14/0641 ,  C23C14/185 ,  C23C28/00 ,  H01F1/16 ,  H01F41/18

    摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein metastabiles, nanostabilisiertes Material, aufgebaut aus mehreren Lagen (A,B), beide in kubisch flächenzentrierter Gitterstruktur, wobei die Lage (A) die allgemeine Formel (R,N) und die Lage (B) die allgemeine Formel (R,aÜM)N aufweist, wobei
    R
    Refraktäres Element, ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Ti, Ta, Hf, V, Nb, Zr, Cr und Mischungen davon,
    ÜM
    Übergangsmetalle, aus gewählt aus der Gruppe bestehend aus Fe, Co und Mischungen davon,
    N
    Stickstoff,

    a = 1, 2, wobei a für die Anzahl unterschiedlicher ÜM steht, Herstellungsverfahren und Verwendung.

    摘要翻译： 亚稳定的纳米稳定材料（I）包括面层立方结构的多层（A，B），其中层A包含含氮化合物（II），层B包含金属化合物（III）。 亚稳定的纳米稳定材料（I）包括面心立方结构的多层（A，B），其中层A包含式（R，N）（II）的含氮化合物，层B包含金属 式（（R，aM）N）（III）化合物。 R：包含Ti，Ta，Hf，V，Nb，Zr和/或Cr的难熔元素; M：包含Fe和/或Co的过渡金属; 并且a：1或2.包括用于生产（I）的独立权利要求，包括以面心立方结构的形式自身生长的材料作为层A和以其自身的形式生长的材料 在载体上作为层B的面心立方结构。