基板処理装置
    1.
    发明专利
    基板処理装置 审中-公开

    公开(公告)号:JP2021114545A

    公开(公告)日:2021-08-05

    申请号:JP2020006856

    申请日:2020-01-20

    Abstract: 【課題】 処理液中に形成する不活性ガスの気泡によって基板の処理の均一性を向上することができる基板処理装置を提供する。 【解決手段】処理槽18の底部に複数の液供給管31と複数の気泡管部37とが配されている。液供給管31には、下方内向きと下方外向きに処理液を吐出する液吐出孔31a、31bが形成されている。気泡管部37には、下方内向き窒素ガスを吐出するガス吐出孔37aが形成されている。気泡管部37のそれぞれは、基板11の配列範囲のほぼ中央で仕切り板40によって第1吐出部41と第2吐出部42とに区分されている。各気泡管部37の第1吐出部41及び第2吐出部42は、それらにそれぞれ接続された流量調整部52によって流量が独立に調整される窒素ガスが供給される。 【選択図】図3

    Substrate processing method and a substrate processing apparatus

    公开(公告)号:JP5271060B2

    公开(公告)日:2013-08-21

    申请号:JP2008307837

    申请日:2008-12-02

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate treatment apparatus capable of preventing the re-adhesion of contaminant and the like and improving a cleaning treatment effect. SOLUTION: The treatment apparatus includes a treatment tank where each substrate to be treated is erected and stored in a clearance between a pair of confronted first and second erection walls erected by leaving a prescribed interval, a treatment liquid is supplied and the surface treatment of the substrate to be treated is performed. In the first and second erection walls 2b and 3, a first fluid control means is arranged on an inner wall face of either confronted wall. The first fluid control means is formed of dimples a 1 to a n changing a flow of the treatment liquid between an inner wall face side where the fluid control means is arranged and a substrate face side of the substrate W to be treated. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

    超音波溶着装置
    10.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2021136069A

    公开(公告)日:2021-09-13

    申请号:JP2020028797

    申请日:2020-02-21

    Abstract: 【課題】溶着不良が生じにくい超音波溶着装置を提供する。 【解決手段】超音波ホーン21は、その圧接面21aをラミネートシート15,16の周縁部に圧接した状態でX方向に移動することによりラミネートシート15,16の周縁部を超音波溶着する。超音波ホーン21の圧接面21aは、圧接する向きに突出する円弧形状になっている。圧接面21aは、それとの間にラミネートシート15、16を挟む載置面との間隔が、溶着時に超音波ホーン21が移動方向の先端から後端側に向かって連続的に漸減している。この圧接面21aにより、円滑にラミネートシート15、16が密着される。 【選択図】図5

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