荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
    2.
    发明专利
    荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 有权
    带电粒子束写入装置和带电粒子束写入方法

    公开(公告)号:JP2016219577A

    公开(公告)日:2016-12-22

    申请号:JP2015101953

    申请日:2015-05-19

    Inventor: 松井 秀樹

    Abstract: 【課題】セトリング時間を短縮し、スループットを向上させることができる荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法を提供する。 【解決手段】本実施形態による描画装置100の記憶部142は、偏向器216を制御するDACアンプ136のセトリング時間、及び偏向器216によるビーム偏向量を変えながら評価基板上に描画された各評価パターンの描画位置の設計位置からの位置ずれ量と前記セトリング時間との対応関係を示す近似式を記憶する。ショット位置補正部52は、各ショットの偏向量に基づく前記DACアンプのセトリング時間と、前記近似式とから、このセトリング時間における偏向量とショット位置ずれ量との関係を示す補正式を作成し、このショットの偏向量と前記補正式とを用いて位置補正量を求め、ショットデータで定義されるショット位置を補正する。描画部150は、ショット位置が補正されたショットデータを用いて描画を行う。 【選択図】図1

    Abstract translation: 甲缩短稳定时间,以提供带电粒子束描绘设备和带电粒子束写入方法能够提高生产率。 根据本实施例中,DAC放大器136的稳定时间来控制偏转器216,并且当由所述偏转器216改变光束偏转量的评价基板上所绘制的评价的描绘装置100的存储单元142中 存储的近似表达式表示从该图案的描绘位置的设计位置的位置偏差量和整定时间之间的关系。 拍摄位置校正单元52创建基于每个镜头的偏转量的DAC放大器的稳定时间,从所述近似方程,示出了在建立时间偏转量和拍摄位置偏移量之间的关系的校正方程, 通过使用镜头的偏转量确定的位置校正量和所述校正公式校正由拍摄数据中定义的拍摄位置。 渲染单元150个执行通过使用拍摄数据的拍摄位置呈现已被校正。 点域1

    集束イオンビーム装置
    10.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2017054632A

    公开(公告)日:2017-03-16

    申请号:JP2015176553

    申请日:2015-09-08

    Abstract: 【課題】従来技術よりコンデンサレンズの収差を小さくしてより小さなビーム径を実現でき、かつ集束イオンビームの安定性を向上させることができる集束イオンビーム装置を提供することを目的とする。 【解決手段】集束イオンビーム装置は、イオンビームを放出するイオン源と、イオン源のエミッタの先端からイオンを引き出す引出電極と、引出電極との電位差によって、引出電極によって引き出されたイオンを集束させるコンデンサレンズを構成する第1レンズ電極と、を備え、引出電極と第1レンズ電極との間に強いレンズ作用を発生させて、イオン源から放出させたイオンの全てを集束させることにより、第一電極を含むコンデンサレンズを通過させる。 【選択図】図3

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