公开(公告)号：JP6985974B2

公开(公告)日：2021-12-22

申请号：JP2018087566

申请日：2018-04-27

申请人： 富士フイルム株式会社

发明人： 篠田 克己 ,  ▲高▼瀬 雅典 ,  澤谷 岳尭

IPC分类号： G03F7/11 ,  G03F7/004 ,  H05K3/06 ,  B32B27/00 ,  G03F7/09

公开(公告)号：JP6970016B2

公开(公告)日：2021-11-24

申请号：JP2017537015

申请日：2015-10-02

申请人： アルヴェオル ,  サントル ナショナル ドゥ ラ ルシェルシュ シアンティフィック ,  ユニベルシテ ドゥ ボルドー

发明人： シュトゥーダー,ヴィンセント

IPC分类号： G03F7/09 ,  C12M1/34 ,  G01N37/00 ,  G03F7/004

公开(公告)号：JPWO2020129845A1

公开(公告)日：2021-11-04

申请号：JP2019048949

申请日：2019-12-13

申请人： 三菱製紙株式会社

发明人： 入澤 宗利 ,  中村 優子 ,  梶谷 邦人

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/09 ,  G03F7/023

摘要： 本発明の課題は、ポジ型ドライフィルムレジストを基材に貼り付けた後に、(a)支持体フィルム及び(b)剥離層を、(c)ポジ型感光性レジスト層と(b)剥離層の界面から容易に剥がすことができ、また、ポジ型ドライフィルムレジストをカット又はスリットする際に割れが発生し難いポジ型ドライフィルムレジストと該ポジ型ドライフィルムレジストを用いたエッチング方法を提供することであり、少なくとも(a)支持体フィルムと(b)剥離層と(c)ポジ型感光性レジスト層がこの順で積層してなり、(b)剥離層が、ポリビニルアルコールを含み、且つ、(c)ポジ型感光性レジスト層が、ノボラック樹脂及びキノンジアジドスルホン酸エステルを主成分として含むことを特徴とするポジ型ドライフィルムレジスト、及び、該ポジ型ドライフィルムレジストを用いたエッチング方法により上記課題を解決した。

公开(公告)号：JP6957856B2

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：JP2016201244

申请日：2016-10-12

申请人： 三菱ケミカル株式会社

发明人： 棟 泰人 ,  中山 慧美

IPC分类号： C08J7/04 ,  B32B27/36 ,  G03F7/004 ,  H05K3/28 ,  G03F7/11 ,  G03F7/09

公开(公告)号：JPWO2020162183A1

公开(公告)日：2021-10-21

申请号：JP2020002157

申请日：2020-01-22

申请人： 三井化学株式会社

发明人： 井上 浩二 ,  川島 啓介 ,  藤井 謙一 ,  小田 隆志

IPC分类号： G03F7/09 ,  H01L21/027 ,  G03F7/11

摘要： (i)以下数式(1)で定義される元素構成比率Reが1.5〜2.8であり、(ii)ガラス転移温度が30〜250℃であり、(iii)特定の構造単位を有する樹脂を少なくとも1種(好ましくは2種以上)含む、多層レジストプロセスに用いられる下層膜形成用材料。数式(1)中、N H は、下層膜形成用材料の固形分中の、水素原子の数であり、N C は、下層膜形成用材料の固形分中の、炭素原子の数であり、N O は、下層膜形成用材料の固形分中の、酸素原子の数である。 【数1】

公开(公告)号：JP6949384B2

公开(公告)日：2021-10-13

申请号：JP2019222944

申请日：2019-12-10

申请人： 國立交通大學

发明人： 張 翼 ,  林 岳欽 ,  蔡 明諺 ,  張 博盛

IPC分类号： G03F7/40 ,  G03F7/42 ,  G03F7/26 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  G03F7/09 ,  G03F7/38

公开(公告)号：JP2021097131A

公开(公告)日：2021-06-24

申请号：JP2019227177

申请日：2019-12-17

申请人： イビデン株式会社

发明人： 渡辺 啓司 ,  小野 元通 ,  信時 徹也 ,  大竹 奨士

IPC分类号： H05K3/38 ,  G03F7/004 ,  G03F7/09 ,  H05K3/18

摘要： 【課題】 ファインピッチな導体層を形成できるドライフィルムレジストの提供 【解決手段】 実施形態のドライフィルムレジスト10では、ベース材16に接している状態の絶縁層の第1面Ffの算術平均表面粗さRaは、1.1〜1.2μmであり、表面が粗い。絶縁層14を無電解めっき膜に接着させる際に、表面の粗い絶縁層14と無電解めっき膜との間に気泡が残らず、絶縁層14と無電解めっき膜との密着性が高くなる。 【選択図】 図1

公开(公告)号：KR20210034316A

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：KR1020190116115A

申请日：2019-09-20

申请人： 동우 화인켐 주식회사

发明人： 김동영 ,  조용환

IPC分类号： G03F7/09 ,  C08G61/12 ,  C08L65/00

CPC分类号： G03F7/091 ,  C08G61/124 ,  C08L65/00

摘要： 본 발명에 따른 하드마스크용 조성물은 화학식 1로 표시되는 중합체 및 용매를 포함하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR102230039B1

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：KR1020190032709A

申请日：2019-03-22

申请人： (주)코이즈 ,  주식회사 코이즈첨단소재 ,  최상준

发明人： 조재형 ,  최상준 ,  김재기

IPC分类号： G03F7/09 ,  C08G61/12

CPC分类号： G03F7/091 ,  C08G61/125

摘要： (a) 하기 화학식 1로 표시되는 아릴카바졸-플로렌계로 이루어지는 공중합체 또는 이를 포함하는 공중합체 혼합물(blend) 및 (b) 유기 용매를 포함하여 이루어지는 반사방지 하드마스크 조성물이 제공된다.
[화학식 1]

公开(公告)号：KR102229657B1

公开(公告)日：2021-03-18

申请号：KR1020157022546A

申请日：2014-05-08

申请人： 닛산 가가쿠 가부시키가이샤

发明人： 타카후미 엔도 ,  케이스케 하시모토 ,  히로카즈 니시마키 ,  리키마루 사카모토

IPC分类号： G03F7/09 ,  G03F7/11 ,  H01L21/027

CPC分类号： C09D179/02 ,  C08G73/06 ,  C09D161/12 ,  C09D179/04 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  G03F7/11 ,  H01L21/027 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144

摘要： [과제] 높은 드라이에칭내성과 위글링내성을 가지며, 단차나 요철부에 대하여 양호한 평탄화성이나 매립성을 발현하는 레지스트 하층막을 형성하기 위한 레지스트 하층막 형성 조성물을 제공한다. [해결수단] 방향족환을 포함하는 유기 화합물 A와, 페놀성 하이드록시기를 갖는 방향족 탄소환기를 적어도 2개 가지며, 그리고 이 방향족 탄소환기가 3급탄소원자를 개재하여 결합한 구조를 갖는 알데히드 B의 반응에 의해 얻어지는 수지를 포함하는 레지스트 하층막 형성 조성물. 알데히드 B가 하기 식(1)이다. Ar
1 및 Ar
2 는 각각 탄소원자수 6 내지 40의 아릴기를 나타낸다. 얻어지는 수지가 식(2)이다. 방향족환을 포함하는 유기 화합물 A가 방향족 아민, 또는 페놀성 하이드록시기 함유 화합물이다. 용제를 추가로 포함한다. 산 및/또는 산발생제, 가교제를 추가로 포함한다. 레지스트 하층막 형성 조성물을 반도체기판 상에 도포하고 소성하여 하층막을 형성하는 공정을 포함하는 반도체의 제조에 이용되는 레지스트 패턴의 형성방법.