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公开(公告)号：JP2004193555A
公开(公告)日：2004-07-08
申请号：JP2003284758
申请日：2003-08-01
Applicant: California Inst Of Technology , Shigeo Fujita , Mitsuru Funato , Yoichi Kawakami , Nichia Chem Ind Ltd , カリフォルニア インスティテュート オブ テクノロジー , 養一 川上 , 日亜化学工業株式会社 , 充 船戸 , 茂夫 藤田
Inventor： NARUKAWA YUKIO , NIKI ISAMU , SCHERER AXEL , OKAMOTO KOICHI , KAWAKAMI YOICHI , FUNATO MITSURU , FUJITA SHIGEO
CPC classification number: H01L33/24 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L33/32
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To improve the light emitting efficiency of a nitride semiconductor light emitting element consisting of a gallium-nitride-based semiconductor layer formed on a different kind of substrate. SOLUTION: An n-type layer 102 formed on a substrate 100 via a buffer layer 101 has a cross-sectional view with recessed and projecting part. An active layer 103 is formed on at least two projecting parts sides holding the recessed part. A p-type layer 104a is formed in the recessed part. 301 to 303 are insulating layers and 202 is a p electrode. The active layer and the n-type layer are oppositely formed when viewed from the p-type layer formed in the recessed part of the gallium-nitride-based semiconductor layer. The active layer and the p-type layer are formed between them when viewed from the recessed side of the n-type layer. COPYRIGHT: (C)2004,JPO&NCIPI
Abstract translation: 解决的问题：提高由形成在不同种类的基板上的氮化镓系半导体层构成的氮化物半导体发光元件的发光效率。 解决方案：经由缓冲层101形成在基板100上的n型层102具有凹入和突出部分的横截面图。 在保持凹部的至少两个突出部分侧上形成有源层103。 在凹部中形成p型层104a。 301〜303为绝缘层，202为p电极。 当从形成在氮化镓基半导体层的凹部中的p型层观察时，有源层和n型层相反地形成。 当从n型层的凹陷侧观察时，有源层和p型层形成在它们之间。 版权所有（C）2004，JPO＆NCIPI
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公开(公告)号：JP2004089204A
公开(公告)日：2004-03-25
申请号：JP2003398813
申请日：2003-11-28
Applicant: California Inst Of Technology , Cornell Research Foundation Inc , カリフォルニア・インスティテュート・オブ・テクノロジーCalifornia Institute Of Technology , コーネル・リサーチ・ファンデーション・インコーポレイテッドCornell Research Foundation, Incorporated
Inventor： BARANY FRANCIS , ZEBALA JOHN , NICKERSON DEBORAH A , KAISER JR ROBERT J , HOOD LEROY
IPC: C12N1/21 , C12N5/10 , C12N9/00 , C12N15/00 , C12N15/09 , C12N15/10 , C12Q1/25 , C12Q1/68 , C12R1/01 , C12R1/19 , G01N33/53 , G01N33/566
CPC classification number: C12Q1/6858 , C12N9/93 , C12N15/10 , C12Q1/6862 , C12Q2600/156 , C12Q2531/137 , C12Q2535/131 , C12Q2527/101 , C12Q2521/501
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for distinguishing a first nucleotide sequence from a second nucleotide sequence having at least one different base therefrom. SOLUTION: Employed is a first oligonucleotide set of at least two oligonucleotides suitable for ligation together at a first ligation junction and for hybridization without mismatch at the first ligation junction to the first nucleotide sequence, wherein the at least two oligonucleotides hybridize adjacent to one another on the first nucleotide sequence and have a hybridization temperature of about 50-80°C. COPYRIGHT: (C)2004,JPO
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93.发明专利
公开(公告)号：JP2004503038A
公开(公告)日：2004-01-29
申请号：JP2002509538
申请日：2001-07-12
Inventor： デレク・エイ・ディーブ
Abstract: 本発明の好適な態様はクエリー配列と１または複数のテンプレート配列との間の好適な配列アラインメントを決定する方法であり、以下の工程を含むものである：１）１または複数のブリッジ／バルジ・ギャップを決定するために少なくとも２つの参照用の配列をアラインさせる工程；２）各々の可能性のあるクエリー配列のアラインメントと各テンプレート配列との間のアラインメントスコアを、クエリー配列と各テンプレート配列との間の所与の配列アラインメントがブリッジ／バルジ・ギャップを生成するか否かに基づいて決定する工程、および、３）クエリー配列と各テンプレート配列とのアラインメントスコアに基づいて好適な配列アラインメントを決定する工程。
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公开(公告)号：JP2003533228A
公开(公告)日：2003-11-11
申请号：JP2001585318
申请日：2000-11-27
Applicant: カリフォルニア インスティテュート オブ テクノロジー , フランセズ・エイチ・アーノルド , リャンホン・スン , ロアンナ・ピー・ペトルニア
Inventor： フランセズ・エイチ・アーノルド , リャンホン・スン , ロアンナ・ピー・ペトルニア
CPC classification number: C12N9/0006 , C12N15/102
Abstract: (57)【要約】 (i)元となるガラクトースオキシダーゼポリペプチドをコードする少なくとも一つの元となるガラクトースオキシダーゼポリヌクレオチドを準備する工程；(ii)ランダムミュータジェネシスにより前記元となるポリヌクレオチドのヌクレオチド配列を改変し、ミュータントポリペプチドの集団を生産する工程；(iii)前記ミュータントポリペプチドを発現するように宿主細胞をトランスフォームする工程；(iv)前記宿主細胞によって生産され、少なくとも一つの改変された特性を有する第一世代の機能的ミュータントをスクリーニングする工程；(v)元となるポリヌクレオチドとして第一世代のミュータントをコードする少なくとも一つのポリヌクレオチドを選択する工程；及び(vi)改変工程、トランスフォーム工程、及びスクリーニング工程のラウンドを少なくとも一度繰り返し、一つ以上のミュータントの少なくとも一つの他の世代を得る工程；を含む方法を提供する。
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公开(公告)号：JP2003530459A
公开(公告)日：2003-10-14
申请号：JP2001575109
申请日：2001-04-05
Applicant: カリフォルニア インスティテュート オブ テクノロジー
Inventor： ディー． ケンプ，マイケル , エー． コーンフィールド，ジュリー
IPC: G02F1/1334 , C09K19/02 , C09K19/38 , C09K19/54 , C09K19/56 , G02F1/1337 , G02F1/137
CPC classification number: C09K19/542 , G02F1/133703 , G02F2001/13775 , Y10T428/10 , Y10T428/1036
Abstract: (57)【要約】 液晶分子の配向状態を制御するため、および／または液晶分子を力学的に安定にするため、液晶全体に均一に分散された高分子量の配向ポリマーを含む電気光学的に活性なポリマー・ゲル材料が提供される。 電気光学的に活性なこのポリマー・ゲル材料は均一なゲルを含んでおり、このゲル中では、ゲルのポリマー鎖が低濃度になっているため小さな液晶分子によって充分に溶媒和状態にされているが、電気光学的応答が容認できないほど遅くなることはない。 ゲル形成中にポリマー鎖を物理的または化学的に架橋させることにより、望む配向状態をゲル中で固定する。 次に、電気光学的に活性なこのポリマーを用い、液晶ディスプレイに、“外場が作用していない”状態における液晶ゲル内の配向状態を規定する。 電気光学的に活性なこのポリマーは、液晶の中間構造配列を記憶しており、物理的な衝撃を受けたときに発生する大規模なずれ（例えばＦＬＣに起こる扇形の欠陥）を抑制する。 電気光学的に活性なポリマー・ゲル材料の製造方法と、本発明の電気光学的に活性なポリマー・ゲル材料を用いた電気光学装置も提供される。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP2021525941A
公开(公告)日：2021-09-27
申请号：JP2020565794
申请日：2019-05-21
Applicant: 本田技研工業株式会社 , カリフォルニア インスティテュート オブ テクノロジー
Inventor： チョウ、ナム ホーン , 大道 馨 , マッキニー、リャン , シュウ、キングミン , ブルックス、クリストファー , ジョーンズ、サイモン シー. , ダロルズ、イザベル エム. , タン、ホンジン
IPC: H01M4/36 , H01M4/134 , H01M10/05 , H01M10/0566 , H01M4/38
Abstract: 本開示は、コアシェル型ナノ粒子及びヨークシェル型ナノ粒子を製造する方法、並びに該粒子を含む電極に関する。これらコアシェル型ナノ粒子、ヨークシェル型ナノ粒子、及び該粒子を含む電極は、フッ化物シャトル電池等の電気化学セルでの使用に適している。電気化学セル等において、シェルは金属コアの酸化を防止し得る。幾つかの実施形態において、電気化学活性構造体は、寸法変更可能な活物質を含み、この活物質が粒子を形成し、この粒子がフッ化物イオンとの反応時又はフッ化物イオン放出時に膨張又は収縮する。1つ以上の粒子の少なくとも一部がフッ化物伝導性カプセル材で包囲されており、任意に、犠牲層を使用するか選択的エッチングを行うことによって、活物質とカプセル材の間に1つ以上の隙間を形成する。フッ化物伝導性カプセル材は、1又は複数の金属を有してよい。電気化学活性構造体を二次電池に使用する場合、隙間の存在によって活物質の寸法の変化に対応することができる。 【選択図】図1A
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公开(公告)号：JP6849597B2
公开(公告)日：2021-03-24
申请号：JP2017536574
申请日：2016-02-03
Applicant: サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド , カリフォルニア インスティテュート オブ テクノロジー
Inventor： ハン,スンフン , ファン,ヤオ−ウェイ , アトウォーター,ハリー,エー. , リ,ホ,ワイ , ソーコヤン,ルザン , パパダキス,ジョージア , スアガラジャン,クリシュナン
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公开(公告)号：JP6720242B2
公开(公告)日：2020-07-08
申请号：JP2018061717
申请日：2018-03-28
Applicant: ザ ロックフェラー ユニバーシティー , カリフォルニア インスティテュート オブ テクノロジー
Inventor： シェイド,ジョハネス , ヌーゼンツヴァイク,ミシェル , ビョルクマン,パメラ,ジェイ. , ディスキン,ロン
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公开(公告)号：JP2020502752A
公开(公告)日：2020-01-23
申请号：JP2019532014
申请日：2017-12-15
Applicant: 本田技研工業株式会社 , カリフォルニア インスティテュート オブ テクノロジー
Inventor： チョウ、ナム ホーン , 大道 馨 , マッキニー、リャン , シュウ、キングミン , ブルックス、クリストファー , ジョーンズ、サイモン シー. , ダロルズ、イザベル エム. , タン、ホンジン
Abstract: 本開示は、コアシェル型ナノ粒子及びヨークシェル型ナノ粒子を製造する方法、並びに該粒子を含む電極に関する。これらコアシェル型ナノ粒子、ヨークシェル型ナノ粒子、及び該粒子を含む電極は、フッ化物シャトル電池等の電気化学セルでの使用に適している。電気化学セル等において、シェルは金属コアの酸化を防止し得る。幾つかの実施形態において、電気化学活性構造体は、寸法変更可能な活物質を含み、この活物質が粒子を形成し、この粒子がフッ化物イオンとの反応時又はフッ化物イオン放出時に膨張又は収縮する。1つ以上の粒子の少なくとも一部がフッ化物伝導性カプセル材で包囲されており、任意に、犠牲層を使用するか選択的エッチングを行うことによって、活物質とカプセル材の間に1つ以上の隙間を形成してよい。電気化学活性構造体を二次電池に使用する場合、隙間の存在によって活物質の寸法の変化に対応することができる。 【選択図】図1A
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公开(公告)号：JP2019071888A
公开(公告)日：2019-05-16
申请号：JP2018243618
申请日：2018-12-26
Applicant: ザ ロックフェラー ユニバーシティー , カリフォルニア インスティテュート オブ テクノロジー
Inventor： ムーケット,ヒューゴ , ヌッセンツヴァイク,ミッチェル , ビヨークマン,パメラ,ジェイ. , シャーフ,ルイーズ
IPC: C07K16/10 , C07K16/46 , C12N15/63 , C12N1/21 , C12N1/19 , C12N1/15 , C12N5/10 , C12P21/08 , A61K39/395 , A61K45/00 , A61P31/18 , C12N15/13
Abstract: 【課題】広域中和抗HIV抗体の提供。 【解決手段】相補性決定領域(CDR)H1、CDRH2、CDRH3、CDRL1、CDRL2、およびCDRL3が特定のアミノ酸配列からなる群より選択されるCDRセットのそれぞれの配列を含む、抗HIV抗体、またはその抗原結合部分。 【選択図】なし
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