公开(公告)号：JP2021193452A

公开(公告)日：2021-12-23

申请号：JP2021141598

申请日：2021-08-31

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 岡本 佑樹

IPC: G09G3/20 ,  G09F9/30 ,  H01L51/50 ,  H01L27/32 ,  G09G3/3233

Abstract: 【課題】消費電力の低い表示装置を提供する。周囲の明るさによらず、視認性の高い表示 装置を提供する。 【解決手段】受光素子、表示素子、第1のトランジスタ、及び第2のトランジスタを有す る表示装置である。第1のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、受光素子の一 方の電極と電気的に接続される。第1のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、 第2のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続される。表示装置は、 第2のトランジスタが導通することで、受光素子が検出した光量に応じて、表示素子の階 調を変化させる機能を有する。 【選択図】図2

公开(公告)号：JP2021193445A

公开(公告)日：2021-12-23

申请号：JP2021122138

申请日：2021-07-27

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 小山 潤 ,  梅崎 敦司

IPC: G09G3/20 ,  G11C19/28 ,  G02F1/133 ,  G09G3/36

Abstract: 【課題】駆動回路の駆動電圧を小さくし、駆動回路の低消費電力化を図ることを課題とす る。 【解決手段】レベルシフタ回路によって、信号IN1の振幅電圧を大きくして、出力する ことができる。具体的には、信号IN1の振幅電圧を高くして、出力することができる。 これにより、信号INを出力する回路(シフトレジスタ回路、デコーダ回路など)、の振 幅電圧を小さくすることができる。そのため、該回路の消費電力を小さくすることができ る。または、該回路を構成するトランジスタに印加される電圧を小さくすることができる 。そのため、該トランジスタの劣化又は破壊を抑制することができる。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6987195B2

公开(公告)日：2021-12-22

申请号：JP2020138433

申请日：2020-08-19

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 吉住 英子 ,  北野 靖 ,  瀬尾 広美 ,  高橋 辰義 ,  瀬尾 哲史

IPC: H05B33/02 ,  H01L27/32 ,  G09F9/30 ,  C07D241/38 ,  C07F15/00 ,  C09K11/06 ,  H01L51/50

公开(公告)号：JP6987107B2

公开(公告)日：2021-12-22

申请号：JP2019205138

申请日：2019-11-13

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 田中 哲弘 ,  竹内 敏彦 ,  山根 靖正

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L27/06 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L29/786

公开(公告)号：JP6986902B2

公开(公告)日：2021-12-22

申请号：JP2017162095

申请日：2017-08-25

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 井上 広樹

IPC: G09G5/00 ,  G09G3/20 ,  H03K19/0185

公开(公告)号：JP6986862B2

公开(公告)日：2021-12-22

申请号：JP2017111699

申请日：2017-06-06

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 後藤 尚人 ,  保坂 泰靖 ,  矢口 瑞穂

IPC: H01L29/786 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14 ,  H01L21/336

公开(公告)号：JP6983848B2

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：JP2019193260

申请日：2019-10-24

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 中田 昌孝 ,  阿部 貴征 ,  千田 尚之

IPC: H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02 ,  H05B33/04 ,  H05B33/06 ,  G09F9/30

公开(公告)号：JP6983581B2

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：JP2017163852

申请日：2017-08-29

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 井上 広樹 ,  高橋 圭

IPC: H03F3/45 ,  G09G3/20 ,  G09G3/3233 ,  G09G3/3275 ,  G09G3/3266 ,  G09G3/36 ,  H03K19/0175

公开(公告)号：JP6982705B2

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：JP2021036560

申请日：2021-03-08

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 小山 潤

IPC: G09G3/20 ,  G09G3/36 ,  H01L29/786 ,  G11C19/28

公开(公告)号：JPWO2020121097A1

公开(公告)日：2021-12-16

申请号：JPIB2019060207

申请日：2019-11-27

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 渡部 剛吉 ,  植田 藍莉 ,  大澤 信晴 ,  瀬尾 哲史

IPC: H05B33/04 ,  H05B33/26 ,  H01L51/50 ,  H05B33/24

Abstract: マイクロキャビティ構造を有する発光デバイスにおいて、発光効率を従来よりも向上させることが可能である新規な発光デバイスを提供する。近赤外領域の発光を示すマイクロキャビティ構造を有する発光デバイスにおいて、第1の電極(反射電極)および第2の電極(半透過半反射電極)の一方、または両電極が、可視光領域(400nm以上750nm未満)の光に対してよりも近赤外領域の光(例えば850nmの光)に対して高い反射率を示す。